检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2000年第10期21卷 1019-1023页

作者：孙剑吴嘉达钟晓霞来冰丁训民李富铭复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室上海200433 上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .... 详细信息

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .

关键词：硅表面处理 ECR等离子体单晶硅

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经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性

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Journal of Semiconductors 2000年第1期21卷 38-43页

作者：刘小兵熊祖洪史向华袁帅廖良生长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋Ｈ２Ｏ混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析，指出在后处理样品表面形成的Ａｌ２Ｏ３与ＳｉＯ... 详细信息

在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋Ｈ２Ｏ混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析，指出在后处理样品表面形成的Ａｌ２Ｏ３与ＳｉＯｘ结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因．

关键词：多孔硅光致发光钝化氧化铝氧化硅

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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化

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真空科学与技术 2000年第2期20卷 99-102页

作者：孙剑吴嘉达钟晓霞来冰丁训民李富铭复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 上海交通大学应用物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。

关键词：等离子体氮化氮化硅硅表面处理薄膜制备

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载能原子沉积Au/Au(100)外延薄膜生长的计算机模拟

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物理学报 2000年第6期49卷 1124-1131页

作者：张庆瑜马腾才潘正瑛汤家镛大连理工大学三束材料改性国家重点实验室大连116024 复旦大学现代物理研究所基于加速器的原子及原子核物理开放实验室上海200433

在分子动力学研究的基础上建立了载能原子的沉积动力学物理模型 ,并根据在局域环境下的表面原子扩散模型 ,通过运动学MonteCarlo方法研究了载能粒子沉积Au/Au(10 0 )薄膜的初期生长过程 ,探讨了载能粒子沉积对薄膜生长的影响及其随基体... 详细信息

在分子动力学研究的基础上建立了载能原子的沉积动力学物理模型 ,并根据在局域环境下的表面原子扩散模型 ,通过运动学MonteCarlo方法研究了载能粒子沉积Au/Au(10 0 )薄膜的初期生长过程 ,探讨了载能粒子沉积对薄膜生长的影响及其随基体温度的变化 .通过计算机模拟发现 :载能粒子沉积的Au/Au(10 0 )薄膜生长仍然呈现层状生长三维岛状生长准二维层状 .在薄膜生长初期 ,载能粒子的作用是促进表面原子的成核 ,增加基体表面的缺陷 ;在薄膜的生长阶段 ,载能粒子通过抑制三维岛的生长速率起着平滑薄膜表面形貌的作用 .载能粒子是通过改变薄膜局域表面形貌而影响着薄膜的生长行为。

关键词：金/金薄膜载能原子沉积外延薄膜生长计算机模

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Au/Au(100)外延薄膜生长的计算机模拟及其微观机制研究

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物理学报 2000年第2期49卷 297-305页

在分子动力学研究的基础上建立了气相沉积原子的沉积动力学物理模型,并根据在局域环境下的表面原子扩散模型,通过运动学MonteCarlo方法研究了Au/Au(100)外延薄膜的初期生长过程,探讨了薄膜外延生长随基体温度的变化.通过气相外延沉积的... 详细信息

在分子动力学研究的基础上建立了气相沉积原子的沉积动力学物理模型,并根据在局域环境下的表面原子扩散模型,通过运动学MonteCarlo方法研究了Au/Au(100)外延薄膜的初期生长过程,探讨了薄膜外延生长随基体温度的变化.通过气相外延沉积的计算机模拟发现:单原子扩散过程在薄膜生长中起着极为关键的作用.当薄膜生长温度低于单原子的扩散温度时,表面原子的成核和表面岛的生长主要是由沉积原子的空间随机性和表面原子密度增加而决定的;随着薄膜生长温度的提高。

关键词：金/金外延薄膜生长计算机模拟微观机制

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掺杂型极化聚合物薄膜电光特性及弛豫过程研究

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中国激光 2000年第8期27卷 746-750页

作者：徐志凌刘丽英刘秀侯占佳徐雷王文澄叶明新复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学材料系上海200433

报道了利用椭偏反射法对掺杂型极化聚合物α′-氰基 - 4′-硝基 - 4 - N,N-二甲基胺基CNDS/PMMA薄膜电光系数的测量 ,并实时测量了镀 Al电极的 CNDS/PMMA薄膜电光信号的弛豫过程 ,深入分析了引起此过程初期异常弛豫的原因 .

关键词：极化聚合物薄膜电光系数弛豫

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SiO_2-GeO_2薄膜二次谐波产生的稳定性研究

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光学学报 2000年第7期20卷 1004-1008页

作者：徐志凌杨鹏刘丽英徐雷侯占佳王文澄复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433

利用溶胶 -凝胶 (sol- gel)方法制备了 Si O2 - Ge O2 薄膜 ,并测量了薄膜样品电场极化后光学二次谐波信号的相对大小和时间弛豫特性。通过对不同衬底材料及不同温度下电场极化薄膜样品二次谐波信号的时间弛豫特性比较 ,表明薄膜与衬底... 详细信息

利用溶胶 -凝胶 (sol- gel)方法制备了 Si O2 - Ge O2 薄膜 ,并测量了薄膜样品电场极化后光学二次谐波信号的相对大小和时间弛豫特性。通过对不同衬底材料及不同温度下电场极化薄膜样品二次谐波信号的时间弛豫特性比较 ,表明薄膜与衬底之间界面电荷的稳定性受衬底材料体电导率的影响。

关键词： SiO22-GeO2 二次谐波产生薄膜稳定性

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Co_xAg_(1-x)纳米颗粒膜的磁光Kerr效应

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中国科学（A辑） 2000年第4期30卷 359-365页

作者：郑卫民王辉褚君浩陈良尧邓振波中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学物理系上海200433 复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含... 详细信息

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含量较低的样品 ,随着退火温度的升高 ,磁光Kerr效应增强 ,并且在Ag的等离子振荡边附近出现了强的共振峰 ;峰的位置发生红移 .通过数据计算分析 ,这种共振磁光Kerr效应的增强是由于Ag陡峭的等离子振荡边作用结果 .

关键词：纳米磁性颗粒膜磁光Kerr效应钴-银颗粒膜

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呼之欲出的新一代MOS栅极电介质材料

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物理 2000年第7期29卷 388-392页

作者：陈刚王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

传统的SiO2 栅极电介质材料无法克服MOS器件特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响 .作为进一步提高微电子器件集成度的途径 ,利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代SiO2 的研究工作已经展开 .文中介绍了此类材料抑制隧穿效应... 详细信息

传统的SiO2 栅极电介质材料无法克服MOS器件特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响 .作为进一步提高微电子器件集成度的途径 ,利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代SiO2 的研究工作已经展开 .文中介绍了此类材料抑制隧穿效应影响的原理和其应当满足的各项性能指标 .并对目前几种主要的研究方案 ,如几种高介电常数金属氧化物、硅酸盐及其迭层结构的研究状况和优缺点给予了简要评述 .

关键词：高介电常数材料栅极电介质集成度 MOS器件

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光辉的一生崇高的品德——深切怀念谢希德教授

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物理 2000年第7期29卷 420-424页

作者：陆栋王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

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