检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1998年第1期19卷 66-71页

作者：柯炼林峰张胜坤谌达宇陆昉王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及... 详细信息

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．

关键词：锗硅单量子阱退火效应

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有机薄膜电致发光器件失效过程的动态观测及分析

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发光学报 1998年第2期19卷 169-175页

作者：何钧廖良生周翔缪熙月熊祖洪侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对有机薄膜电致发光器件失效的全过程进行了显微动态观察．发现器件工作时，有机层／金属界面形成的气泡逐渐变大变多，最终导致器件完全失效．气泡中不仅含有水汽，还存在大量有机气体．

关键词：有机薄膜器件失效分析动态观测

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Lennard-Jones分子基态结构的反常拓扑性质

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物理化学学报 1998年第5期14卷 391-393页

作者：刘磊复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433

根据遗传算法的基本原理，建立了一种优化分子几何结构的理论计算程序，对用Lennard-Jones势描述的惰性气体分子LJ38的结构进行了优化计算，并进一步计算了其结构的拓扑指数．结果显示出LJ38分子基态结构具有奇特的和文献报等不一致的... 详细信息

根据遗传算法的基本原理，建立了一种优化分子几何结构的理论计算程序，对用Lennard-Jones势描述的惰性气体分子LJ38的结构进行了优化计算，并进一步计算了其结构的拓扑指数．结果显示出LJ38分子基态结构具有奇特的和文献报等不一致的反常拓扑性质．

关键词：分子拓扑学惰性气分子遗传算法 LJ38 LJn

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Si局域分子束外延技术

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真空科学与技术 1998年第2期18卷 116-120页

作者：朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春卢学坤刘晓晗黄大鸣复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构。实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触。这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度。

关键词：局域分子束外延光致发光强度掩模

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1.30 μm/1.55 μm SiGe多模干涉滤波器

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光学学报 1998年第11期18卷 1508-1512页

作者：李宝军李国正刘恩科王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室西安交通大学微电子工程系

用多模干涉原理分析和设计了光通信波长（１．３０μｍ～１．５５μｍ）的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ滤波器，并用模的传播分析方法对其传输特性进行了研究。结果发现，在Ｇｅ含量ｘ＝０．０４时，干涉区的脊高和宽度分别为６．３５μｍ和... 详细信息

用多模干涉原理分析和设计了光通信波长（１．３０μｍ～１．５５μｍ）的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ滤波器，并用模的传播分析方法对其传输特性进行了研究。结果发现，在Ｇｅ含量ｘ＝０．０４时，干涉区的脊高和宽度分别为６．３５μｍ和８μｍ。如果多模干涉区长度ＬＭ＝２３０２．５μｍ，可滤１．３０μｍ而通１．５５μｍ的波长。且具有３１ｄＢ的对比度和０．０１ｄＢ的插入损耗；如果多模干涉区长度ＬＭ＝２５１２．５μｍ，可滤１．５５μｍ而通１．３０μｍ的波长。具有１６ｄＢ的对比度和０．０９ｄＢ的插入损耗。

关键词：滤波器多模干涉 SiGe 光通信系统

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分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光

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Journal of Semiconductors 1998年第8期19卷 561-564页

作者：林峰盛篪龚大卫刘晓晗复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２。

关键词：分子束外延硅外延生长二氧化硅超晶格

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应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱

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Journal of Semiconductors 1998年第11期19卷 818-823页

作者：史向华柯练靳彩霞魏彦峰凌震俞根才王杰复旦大学应用表面物理国家重点实验室长沙电力学院物理系

本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献... 详细信息

本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．

关键词：应变层超晶格光致发光谱外延生长半导体生长

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S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究

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Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 166-171页

作者：史向华靳彩霞凌震俞根才王杰侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比... 详细信息

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的晶体质量，因此Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的效果明显优于（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液．

关键词：分子速外延硒化锌砷化镓衬底

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Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响

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物理学报 1998年第6期47卷 978-984页

作者：杨宇夏冠群赵国庆王迅中国科学院上海冶金研究所复旦大学物理二系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱中并在６００℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致... 详细信息

对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱中并在６００℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在８５０℃的高温退火后重新观测到带边激子发光．这种团簇缺陷的热离化能约为０１ｅＶ，比Ｓｉ中空穴或填隙原子缺陷的热激活能（约００５ｅＶ）高．这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的．

关键词：量子阱发光性硅离子注入分子束外延

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S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究

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Journal of Semiconductors 1998年第4期19卷 316-320页

作者：胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学技术大学国家同步辐射实验室

前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合... 详细信息

前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。

关键词：砷化镓 SRPES 钝化

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