检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1997年第2期18卷 81-84页

作者：梁励芬董树忠复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但... 详细信息

用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但在大气中存放15分钟后，硅片表面开始逐渐呈现出清晰的Si（100）2×1结构，随后再逐渐转变为1×1结构．这可能是混合气体与Si表面作用，能更有效地清除表面残余的沾污物和氧化层，暴露清洁的硅2×1再构表面，进一步由于吸附H，使表面悬挂键被氢原子占据，转变为1×1结构．有序结构可维持3小时，因此用所述混合气体处理硅片是更有效清洁和钝化硅表面的一种方法．

关键词：硅 STM 混合气体处理表面原子结构

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砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究

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Journal of Semiconductors 1997年第2期18卷 146-150页

作者：曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2... 详细信息

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．

关键词：砷化镓氯化硫溶液腐蚀速率

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究

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红外与毫米波学报 1997年第6期16卷 406-412页

作者：王东红黄大鸣魏彦锋靳彩霞王杰陈张海陆卫复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较．我们发现对于ｘ＜０．２，０．２＜ｘ＜０．５和ｘ≥０．５三种不同情形，反射光谱表现出不同的结构．

关键词：外延薄膜红外反射光谱锌锰硒三元半导体

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气相[(SiO_2)_nX]^-团簇产生机理

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高等学校化学学报 1997年第6期18卷 943-946页

作者：徐灿张荣君朱雷赵利钱士雄李郁芬龙英才复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学化学系上海200433

利用XeCl准分子激光烧蚀多种硅氧多孔结构材料，在负离子通道测得丰富的[（SiO2）nX]-负离子团簇，并讨论了多孔网络结构和表面活性基团的分布对激光能量的吸收、传输及团簇产生的重要作用．

关键词：激光烧蚀多孔网结构二氧化硅团簇团簇

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Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究

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Journal of Semiconductors 1997年第9期18卷 648-653页

作者：靳彩霞凌震王东红俞根才王杰黄大鸣侯晓远沈孝良姚文华复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛... 详细信息

用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数．此时，在（100）平面内，ZnSe阱层受到张应变，而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变，从而，导致其喇曼光谱中，ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动．当超晶格总厚度小于其临界厚度时，超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数，此时，ZnSe阶层不再受到应变，而Zn1－xMnxSe垒层受到压应变，在其喇曼光谱中，仅视察到ZnSe材料光学声子峰．本文从理论上分析计算了由这种应变引起的LO峰的频率移动，结果和实验所测值符合很好．

关键词：分子束外生长化合物半导体应变超晶格

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多孔硅在液体中的两种电致发光光谱

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物理学报 1997年第6期46卷 1223-1229页

作者：廖良生袁泽亮刘小兵侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭... 详细信息

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的ＳｉＯ２薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层。

关键词：多孔硅电致发光光谱液体红光发射白光

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Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

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Journal of Semiconductors 1997年第1期18卷 50-53页

作者：梁励芬董树忠顾志光李炳宗复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学电子工程系上海200433

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2... 详细信息

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜．AES，XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si（100）衬底的外延生长膜．STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整，主要由交替出现的平台和台阶结构组成．平台的平均宽度为9nm，台阶高度为2个原子层厚度，分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离（100）面引起的．平台表面呈平行台阶方向的相距约1．1nm的条状结构．在平台区域的局部表面观测到有序结构，其排列方向与条状突起方向间呈45°夹角．对CoSi2薄膜进行剥层腐蚀后再用STM观察其图象，结果表明CoSi2膜的纵向生长也是均匀的。

关键词：硅半导体薄膜技术 STM

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X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响

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物理学报 1997年第9期46卷 1796-1800页

作者：朱海军蒋最敏郑文莉姜晓明徐阿妹毛明春胡冬枝张翔九王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院高能物理研究所

利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的，并且... 详细信息

利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的，并且应力释放是缓慢的，即使Ｇｅ外延层厚为６ｎｍ，仍有４２％的应变没有弛豫．

关键词： X射线衍射锗结构异质外延薄层表面活化剂

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GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究

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Journal of Semiconductors 1997年第7期18卷 497-501页

作者：靳彩霞王东红凌震俞根才王杰黄大鸣侯晓远沈孝良姚文华复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模... 详细信息

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性．其中，ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化．用改进了的随机元等位移（MREI）模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系，并与测量结果作了比较，理论和实验符合很好．

关键词：砷化镓衬底分子束外延光学声子散射合金

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

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Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 881-887页

作者：魏彦锋黄大鸣王东红靳彩霞王杰沈孝良复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，... 详细信息

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．

关键词：分子束延法外延生长三元合金薄膜半导体材料

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