检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1994年第3期15卷 213-216页

作者：黄大鸣杨敏盛篪卢学坤龚大卫张翔九王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理学综合实验室

在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利... 详细信息

在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确．

关键词： SiGe/Si 量子阱激子发光谱

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9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器

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红外与毫米波学报 1994年第2期13卷 149-152页

作者：龚大卫卢学坤卫星杨小平胡际璜盛篪张翔九王迅周涛叶红娟沈学础复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．

关键词：异质结锗硅合金红外探测器

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发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化

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物理 1994年第12期23卷 761-762页

作者：俞鸣人王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室

发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化自从Ｃａｎｈａｍ［１］在１９９０年发现多孔硅（ＰＳ）在窒温下高效率的可见光发射以来，由于其在光电技术上的应用前景，加上它和硅大规模集成工艺的可容性，很快就引起人们的极大关注。因此，... 详细信息

发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化自从Ｃａｎｈａｍ［１］在１９９０年发现多孔硅（ＰＳ）在窒温下高效率的可见光发射以来，由于其在光电技术上的应用前景，加上它和硅大规模集成工艺的可容性，很快就引起人们的极大关注。因此，之后不久各国有好多研究组都重复了这...

关键词：多孔硅荧光峰位钉扎尺寸量子化

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GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

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Journal of Semiconductors 1994年第7期15卷 505-510页

作者：李喆深蔡卫中苏润洲侯晓远董国胜金晓峰丁训民王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室东北林业大学物理系

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇ... 详细信息

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．

关键词：砷化镓钝化氯化硫处理

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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

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物理学报 1994年第7期43卷 1137-1143页

作者：袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．

关键词：分子束外延快速退火电学性质

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表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍

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物理 1994年第3期23卷 164-166页

作者：蒋平复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９... 详细信息

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９日在上海举行。来自１３个国家和地区...

关键词：表面结构吸附半导体材料金属

来源：评论

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量子围栏──扫描隧道显微术的又一杰作

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物理 1994年第10期23卷 582-584页

作者：蒋平梁励芬董树忠复旦大学李政道物理学综合实验室应用表面物理国家重点实验室

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状... 详细信息

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状态密度对空间和能量的分布．预期这一成果将在许多方面促进今后研究工作的发展。

关键词：量子围栏表面态扫描隧道显微

来源：评论

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SiGe/Si异质结器件

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1994年第6期4卷 693-698页

作者：张翔九王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

自50年代初期,人们即已开始研究SiGe半导体材料。可是由于生长技术困难未能获得品质优良的半导体材料,因而在相当长的一个时期内,一直未受到重视。直到70年代中期,Kasper等彩用超高真空蒸发的方法,在Si衬底上生长出了品质良好的SiGe材料... 详细信息

自50年代初期,人们即已开始研究SiGe半导体材料。可是由于生长技术困难未能获得品质优良的半导体材料,因而在相当长的一个时期内,一直未受到重视。直到70年代中期,Kasper等彩用超高真空蒸发的方法,在Si衬底上生长出了品质良好的SiGe材料,才重新引起了人们的重视。以后,随着Si分子束外延技术(Molecular beam epitaxy。

关键词：异质结器件半导体材料硅锗材料硅

来源：评论

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储油岩心的核磁共振微成像

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科学通报 1994年第15期39卷 1439-1440页

作者：肖立志杜有如叶朝辉沈伊民沈伊民中国科学院武汉物理研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室武汉430071 复旦大学分析测试中心上海200433

核磁共振(NMR)微成像是一种正在兴起的快速、无损、直观显示和监测多孔非均匀介质内部结构和微观动态过程的现代分析测试及基础研究手段,在油藏描述与强化采油机理研究中具有广阔的应用前景,是世界石油工业的前沿技术.本工作旨在探索适... 详细信息

核磁共振(NMR)微成像是一种正在兴起的快速、无损、直观显示和监测多孔非均匀介质内部结构和微观动态过程的现代分析测试及基础研究手段,在油藏描述与强化采油机理研究中具有广阔的应用前景,是世界石油工业的前沿技术.本工作旨在探索适合于各种类型储油岩石结构描述的NMR微成像实验方法.

关键词：储油岩心 NMR 微成像

来源：评论

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低传输损耗SiGe光波导研制成功

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真空科学与技术学报 1994年第3期 195-195页

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