检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2015年第1期45卷 140-144页

作者：陈军黄大鸣复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降... 详细信息

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。

关键词： InGaAs MOSFET 电容电压特性量子效应

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射频集成电路用高性能金属—绝缘体—金属电容的研究

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功能材料与器件学报 2014年第1期20卷 13-19页

作者：张秋香朱宝丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院上海200433 上海建桥学院电子工程系上海201315

随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较... 详细信息

随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。

关键词：金属—绝缘体—金属(MIM)电容高介电常数绝缘介质电极

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基于Walsh谱变换的S盒算法

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计算机工程 2014年第7期40卷 18-22页

作者：孙慧盈陆继承魏长征俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对一阶差分功耗分析(DPA)攻击问题,借鉴现有的频谱变换S盒防护方法,利用Walsh谱变换的单比特输出特性,并运用Walsh谱变换与构造相应掩码变量,提出一种基于Walsh谱变换的安全S盒算法。阐述算法的具体实现过程,分析所有敏感数据的掩码... 详细信息

针对一阶差分功耗分析(DPA)攻击问题,借鉴现有的频谱变换S盒防护方法,利用Walsh谱变换的单比特输出特性,并运用Walsh谱变换与构造相应掩码变量,提出一种基于Walsh谱变换的安全S盒算法。阐述算法的具体实现过程,分析所有敏感数据的掩码安全性。以数据加密标准算法为例,描述该算法在实际应用中的具体实现。通过50万条功耗曲线的DPA攻击进行实验,结果表明,与基于傅里叶变换的S盒算法相比,该算法在保证安全性的同时,可避免复杂的算术掩码操作。

关键词：旁路分析 S盒差分功耗分析傅里叶变换 Walsh谱变换掩码数据加密标准

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湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究

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无机材料学报 2013年第4期28卷 420-424页

作者：王韬屈新萍复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金字塔结构,得到了最低为6%左右的反射率。然后采用水热法在该衬底生长氧化锌纳米棒,得到了最低小于3%的反射率,比单采用腐蚀或者ZnO纳米棒生长的硅表面的反射率更低。这种减反方法工艺简单、高效,有望得到应用。

关键词：减反层四甲基氢氧化铵湿法腐蚀各向异性 ZnO纳米棒

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非晶In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器研究

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半导体技术 2013年第7期38卷 481-486页

作者：崔兴美陈笋丁士进复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜... 详细信息

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器的结构、编程和擦除特性等文献报道进行了总结,重点讨论了该类存储器在通常情况下擦除效率低的原因及其改善措施。因此,对今后开发高性能a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器具有很好的指导意义。

关键词：非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO) 薄膜晶体管(TFT) 存储器系统面板(SoP) 柔性器件

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量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响

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微电子学 2013年第2期43卷 292-295页

作者：姚成军黄大鸣施道航焦广泛复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体... 详细信息

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体管的电流电压特性,特别是正偏压温度不稳定性(PBTI)是非常重要的。另外,随着沟道长度和体硅厚度的缩小,隧穿晶体管的电流电压特性和可靠性都得到了改善,但在保持相同等效氧化层厚度的情况下,使用高介电常数的栅介质不会改善器件的电流电压特性及可靠性。

关键词：隧穿场效应晶体管量子效应可靠性

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一种新的高级加密标准模板攻击方法

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计算机工程 2013年第8期39卷 166-168页

作者：胡永波郑业扬俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 复旦大学微电子学院上海201203 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对高级加密标准(AES)算法存在对模板攻击效率较低的问题,提出一种新的模板攻击方法,包括攻击算法以及优化的攻击过程,建立每个非线性表的汉明权重模板和128次模板匹配,以此获取AES算法的全部密钥,优化的攻击过程包括对信号的有效预处... 详细信息

针对高级加密标准(AES)算法存在对模板攻击效率较低的问题,提出一种新的模板攻击方法,包括攻击算法以及优化的攻击过程,建立每个非线性表的汉明权重模板和128次模板匹配,以此获取AES算法的全部密钥,优化的攻击过程包括对信号的有效预处理和主成分分析。实验结果证明,该方法可提高AES模板攻击的效率,成倍降低存储器的用量和运算复杂度。

关键词：高级加密标准侧道信号攻击模板攻击主成分分析相关系数矩阵贝叶斯定理

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改进的门单元多输入跳变电流源模型

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计算机辅助设计与图形学学报 2012年第11期24卷 1513-1520页

作者：钱晨曦陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 详细信息

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获得更高的模型精度;同时将二输入门单元模型扩展到多输入门单元,并详述了建模方法.多种门单元上的数值实验结果表明,与已有模型相比,在可接受的时间开销内,文中模型能够显著地提高门单元时延和输出波形的仿真精度.

关键词：电流源模型密勒电容多输入跳变串扰噪声波形仿真

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基于模型修正技术的模拟集成电路几何规划优化方法

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计算机辅助设计与图形学学报 2012年第6期24卷 721-727页

作者：李亨陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正... 详细信息

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正这一正项式模型.实例表明,与传统基于公式的优化方法和基于仿真的优化方法相比,该方法能够在尽量保证计算效率和全局最优解的前提下使优化精度满足晶体管级SPICE仿真的要求.

关键词：电路优化几何规划模型修正运算放大器

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高灵敏度谐振式红外光声气体传感器研究

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传感器与微系统 2012年第10期31卷 57-60页

作者：方兴李嘉纪新明包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构... 详细信息

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构对信号的影响,发现增加输出腔内麦克风到谐振腔的距离可显著增加光声信号。另外,在激光岀射端口放置反射金属膜也有利于提高光声信号,从而提高系统检测极限。

关键词：光声传感器谐振式频率灵敏度信噪比

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