检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2007年第4期37卷 474-477,481页

作者：王锡明周嘉阮刚 LEE H-D 合肥学院机械系合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海201203 城南国立大学电子工程系

应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬... 详细信息

应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬底温度和介质导热系数的温升加大也小;结构I的散热能力良好,结构III最差。对三种互连结构的尺寸分析表明,层间介质的厚度对互连系统的温升影响大,必须在电学模拟和温度模拟完成后找到一个最佳厚度值,以保证既有好的散热条件,又有利于减小RC延迟。互连结构的温升随电介质导热系数的减小呈二阶指数升高,特别当介质导热系数小于0.1 W/℃.m时,互连结构设计将会成为器件温升和系统可靠性的关键所在,引入新技术或许势在必行。

关键词：超大规模集成电路铜互连温度分析低介电常数材料

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SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究

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微细加工技术 2007年第1期 56-59页

作者：程正喜郭育林周嘉复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而... 详细信息

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率。

关键词：反应离子刻蚀 Al SF6/O2 催化作用

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片上集成三电极体系微电极阵列的表征

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微纳电子技术 2007年第7期44卷 329-331页

作者：吕尊实周嘉陈华黄宜平鲍敏杭复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种，电极特征尺寸为100-900μm，工作电极与对电极间距为50-200μm。利用循环伏安法，在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下，对各三电极微系统进行了电极性能表征... 详细信息

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种，电极特征尺寸为100-900μm，工作电极与对电极间距为50-200μm。利用循环伏安法，在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下，对各三电极微系统进行了电极性能表征，具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响，为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据。

关键词：微电极表征循环伏安法

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基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究

基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究

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2007年上海市电子电镀学术年会

作者：赵莹谢琦屈新萍复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系

本文采用电镀方法制备具有一定孪晶密度的纯铜样品,并对不同的电镀参数和不同电镀衬底的实验结果进行了初步比较。发现不同的衬底结构对孪晶的产生和密度有很大影响。同时发现 W 基扩散阻挡层的电镀铜有很强的(111)择优晶向。

关键词：电镀孪晶

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多层薄膜微结构热应力计算

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微细加工技术 2007年第2期2卷 20-23页

作者：王锡明王军军周嘉合肥学院机械系合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

建立了以制作工艺为基础、适合多层薄膜微结构的热应力的计算公式。在Stoney方程相同的条件下,验证了所建模型的准确性。所建模型应用于多层微悬臂梁结构在残余应力作用下的形变计算,与实验测量结果的对比表明,误差在10%以内,说明所建... 详细信息

建立了以制作工艺为基础、适合多层薄膜微结构的热应力的计算公式。在Stoney方程相同的条件下,验证了所建模型的准确性。所建模型应用于多层微悬臂梁结构在残余应力作用下的形变计算,与实验测量结果的对比表明,误差在10%以内,说明所建模型具有非常好的实用性,可以为多层薄膜微结构设计和优化提供理论依据。

关键词：微机电系统残余应力模拟

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关于纳米压印在提高发光二极管发光效率方面的研究

关于纳米压印在提高发光二极管发光效率方面的研究

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2007年中国国际工业博览会科技论坛暨上海市激光学会2007年学术年会

作者：李为军谢申齐张波陆卫上海技术物理研究所国家红外重点实验室复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室

近来,随着第三代半导体材料氮化镓(GaN)的突破,InGaN基半导体已经吸引了人们的广泛注意,特别是在发光装置的应用上,例如高亮度的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。虽然GaN基LED已经产业化,但芯片出光效率低的问题仍没很好的解决。由于... 详细信息

近来,随着第三代半导体材料氮化镓(GaN)的突破,InGaN基半导体已经吸引了人们的广泛注意,特别是在发光装置的应用上,例如高亮度的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。虽然GaN基LED已经产业化,但芯片出光效率低的问题仍没很好的解决。由于衬底和外延膜的晶格不匹配效应导致LED内部存在大量地非辐射缺陷,使得GaN基LED内部光电转换效率很低,不能出射的光在LED结区转换为热能,提高了结温,使晶格震动加剧,影响了内部量子效率,也使LED的寿命大打折扣。因此,如何提高LED出光效率是发展大功率GaN基LED需要解决的关键问题。近来越来越多的技术和手段用来提高LED的出光效率,其中包括微观尺度的表面粗糙化(micro-roughening),对基底的mirco-pattern或micro-pyramid处理;也有利用布拉格反射镜(deflected Bragg reflector),或是芯片非极性面/半极性面生长技术等。而最新的研究表面,利用二维光子晶体技术能极大提升LED出光效率。传统的在晶体层光刻的方法是采用电子束微影术,搭配干刻蚀方法,但是高能电子或分子束,往往在光子晶体层的表面造成悬键,恶化有效的电子空穴对辐射结合严重的影响了LED的出光效益。纳米压印光刻技术则采用绘有纳米图案的刚性压模将基片上的聚合物薄膜压出纳米级图形,再对压印件进行常规的刻蚀、剥离等加工,能极大的降低操作工艺对器件的表面的损伤。目前,人们对纳米压印这一低成本图形转移技术的关注越来越多。本实验利用纳米压印(nano-imprinting lithography)和紫外感光的液态高分子光刻胶Su-8技术,在GaN多量子阱结构的LED基片上组装不同图案(光栅图案和Chiral图案),并初步考察了不同图案对LED出光效率的影响。通过325nm He-Cd激光的光致发光谱(PL)研究,结果发现用周期为300nm的硅栅模板压印图案的LED基片出光强度极大提高,与没通过纳米压印的基片相比,出光强度提高了将近30%。而用周期为4μm的Chiral模板压印的基片和没压印基片相比,光的强度也提高了17%左右。通过实验研究表明,利用纳米压印技术,在氮化镓(GaN)为主要材料的LED组件上,刻蚀出二维光子晶体(Photonic Crystal),能有效提高LED的发光效益。

关键词：纳米压印光刻技术 Su-8:氮化镓发光二极管

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原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究

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无机材料学报 2006年第5期21卷 1217-1222页

作者：卢红亮徐敏丁士进任杰张卫复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室上海200433

以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表... 详细信息

以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1．52)比退火前的(1．57)更接近化学计量比的***分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1．15nm．

关键词： Al2O3薄膜原子层淀积(ALD) X射线光电子能谱(XPS)

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四角晶相HfO_2(001)表面原子和电子结构研究

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物理学报 2006年第3期55卷 1374-1378页

作者：卢红亮徐敏陈玮任杰丁士进张卫复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室上海200433

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比,t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表... 详细信息

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比,t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度.t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.

关键词：密度泛函理论 t-HfO2(001) 表面电子结构

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ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

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化学学报 2006年第11期64卷 1133-1139页

作者：任杰陈玮卢红亮徐敏张卫复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应... 详细信息

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反应焓变,可以发现双羟基Si表面反应,由于相邻羟基的存在,对ZrCl4的半反应影响较大,尤其是化学吸附能增加明显.而对于H2O的半反应,单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显.使用内禀反应坐标(IRC)方法,验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理.另外,发现随着温度的升高,吸附络合物的稳定性降低,其向反应物方向的解吸附变得容易,而向产物方向的解离难度增加.

关键词：原子层淀积密度泛函理论高介电常数栅介质氧化锆

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超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 197-201页

作者：谭晶晶周觅陈韬谢琦茹国平屈新萍复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433

研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双... 详细信息

研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.

关键词：钌氮化钽铜互连扩散阻挡层

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