检索结果-内蒙古大学图书馆

计测技术 2018年第1期38卷 9-16页

作者：翟珊顾昌林冯吉军卢红亮上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室上海200093 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片... 详细信息

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片,并详细研究了集成氮化硅微腔光学传感芯片在折射率测量方面的应用。

关键词：集成光子芯片微环谐振腔氮化硅光学传感器悬空结构

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热退火对等离子体增强化学气相沉积SiCOH薄膜结构与性能的影响

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物理学报 2015年第10期64卷 263-269页

作者：谭再上吴小蒙范仲勇丁士进复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

热退火是多孔低介电常数薄膜制备过程中的重要一环,对薄膜结构及性能具有重要影响.本文以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了SiCOH薄膜,对其进行了氮气氛围下的热退火处理,分析了热退火对薄膜结构与... 详细信息

热退火是多孔低介电常数薄膜制备过程中的重要一环,对薄膜结构及性能具有重要影响.本文以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了SiCOH薄膜,对其进行了氮气氛围下的热退火处理,分析了热退火对薄膜结构与性能的影响,探究了退火过程中薄膜结构变化的可能的反应机理.傅里叶变换红外光谱和固体核磁共振谱结果表明,沉积薄膜是一种有机无机杂化薄膜.退火过程中,薄膜中的—CH2,—CH3等有机组分被分解除去,形成了以稳定的Si—O—Si等无机组分为骨架的多孔结构,并通过氮气吸附/脱附等温线测试得到了验证.在此期间,薄膜骨架微结构亦发生一系列调整,C=C,Si—C含量增加,Si、O、C等元素间发生进一步键合.C=C含量的提高,使得薄膜的消光系数和漏电流密度增大.实验证明,退火后薄膜具有低折射率、低介电常数特性,是一类具有优异的介电性能和力学性能的材料,作为芯片后端互连层间介质具有极大的应用潜力.

关键词：热退火 SiCOH薄膜等离子体增强化学气相沉积结构与性能

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一种基于量子隧道效应提高石墨烯FET开关比的方法

一种基于量子隧道效应提高石墨烯FET开关比的方法

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2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

作者：何伟屈新萍微电子学院复旦大学ASIC和系统国家重点实验室上海邯郸路220号200433

由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件性能,本文主要研究运用量子隧道效应来制备新型石墨烯FET器件以提高器件开关比,并通过改善石墨烯与基底界... 详细信息

由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件性能,本文主要研究运用量子隧道效应来制备新型石墨烯FET器件以提高器件开关比,并通过改善石墨烯与基底界面接触来提高石墨烯FET器件的载流子迁移率的工艺方法.

关键词：石墨烯场效应晶体管开关比载流子迁移率量子隧道效应

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碱性双氧水中甘氨酸对钼腐蚀的抑制机理研究

碱性双氧水中甘氨酸对钼腐蚀的抑制机理研究

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2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

作者：杨光何鹏冯晖屈新萍复旦大学ASIC和系统国家重点实验室微电子学院上海市邯郸路220号200433

在集成电路工艺中,钼是新型铜互连扩散阻挡层的选择之一.已经发现甘氨酸对钼在碱性双氧水中的腐蚀有抑制作用.本文研究了在碱性双氧水中甘氨酸对钼的电化学行为的影响,并通过拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)对样... 详细信息

在集成电路工艺中,钼是新型铜互连扩散阻挡层的选择之一.已经发现甘氨酸对钼在碱性双氧水中的腐蚀有抑制作用.本文研究了在碱性双氧水中甘氨酸对钼的电化学行为的影响,并通过拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表面分析.开路电位(OCP)、恒电位曲线等电化学实验结果与表面分析结果相吻合.结果表明甘氨酸促进了MoO3的溶解,使得氧化层中Mo2O5增多,进而抑制Mo的腐蚀并改善表面形貌.

关键词：集成电路加工工艺碱性双氧水甘氨酸钼元素腐蚀抑制表面形貌

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InGaAs MOSFET的电容电压特性

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微电子学 2015年第1期45卷 140-144页

作者：陈军黄大鸣复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降... 详细信息

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。

关键词： InGaAs MOSFET 电容电压特性量子效应

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湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究

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无机材料学报 2013年第4期28卷 420-424页

作者：王韬屈新萍复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金字塔结构,得到了最低为6%左右的反射率。然后采用水热法在该衬底生长氧化锌纳米棒,得到了最低小于3%的反射率,比单采用腐蚀或者ZnO纳米棒生长的硅表面的反射率更低。这种减反方法工艺简单、高效,有望得到应用。

关键词：减反层四甲基氢氧化铵湿法腐蚀各向异性 ZnO纳米棒

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量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响

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微电子学 2013年第2期43卷 292-295页

作者：姚成军黄大鸣施道航焦广泛复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体... 详细信息

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体管的电流电压特性,特别是正偏压温度不稳定性(PBTI)是非常重要的。另外,随着沟道长度和体硅厚度的缩小,隧穿晶体管的电流电压特性和可靠性都得到了改善,但在保持相同等效氧化层厚度的情况下,使用高介电常数的栅介质不会改善器件的电流电压特性及可靠性。

关键词：隧穿场效应晶体管量子效应可靠性

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Mg-In-Zn-O肖特基源漏薄膜晶体管的性能研究

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固体电子学研究与进展 2012年第5期32卷 510-515页

作者：吴佳宏屈新萍 ASIC和系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O(MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5%配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶... 详细信息

通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O(MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5%配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶体管性能随着Mg含量增加而变差。实验结果发现,由于先在氧化层上淀积金属源漏,使得器件受到较多界面态的影响,导致漏电流崩塌效应,漏电流随着漏电压的增大而略微变小,当改变金属的淀积顺序时,此效应得到改善。

关键词：溶胶-凝胶法 MIZO薄膜薄膜晶体管

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改进的门单元多输入跳变电流源模型

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计算机辅助设计与图形学学报 2012年第11期24卷 1513-1520页

作者：钱晨曦陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 详细信息

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获得更高的模型精度;同时将二输入门单元模型扩展到多输入门单元,并详述了建模方法.多种门单元上的数值实验结果表明,与已有模型相比,在可接受的时间开销内,文中模型能够显著地提高门单元时延和输出波形的仿真精度.

关键词：电流源模型密勒电容多输入跳变串扰噪声波形仿真

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基于模型修正技术的模拟集成电路几何规划优化方法

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计算机辅助设计与图形学学报 2012年第6期24卷 721-727页

作者：李亨陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正... 详细信息

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正这一正项式模型.实例表明,与传统基于公式的优化方法和基于仿真的优化方法相比,该方法能够在尽量保证计算效率和全局最优解的前提下使优化精度满足晶体管级SPICE仿真的要求.

关键词：电路优化几何规划模型修正运算放大器

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