检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2014年第1期20卷 13-19页

作者：张秋香朱宝丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院上海200433 上海建桥学院电子工程系上海201315

随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较... 详细信息

随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。

关键词：金属—绝缘体—金属(MIM)电容高介电常数绝缘介质电极

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应用于30GHz锁相环的高性能电荷泵设计

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微电子学 2014年第6期44卷 718-721,726页

作者：陆泼张楠谢磊刘宝宝李巍张润曦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于IBM 0.13μm CMOS工艺,设计了一款应用于30GHz低杂散锁相环的电荷泵电路。该电荷泵采用带隙基准为电流源和运算放大器提供偏置,采用复制支路和比较器实现上下电流源的静态匹配,将输入输出轨对轨运算放大器接成单位增益缓冲器来避免... 详细信息

基于IBM 0.13μm CMOS工艺,设计了一款应用于30GHz低杂散锁相环的电荷泵电路。该电荷泵采用带隙基准为电流源和运算放大器提供偏置,采用复制支路和比较器实现上下电流源的静态匹配,将输入输出轨对轨运算放大器接成单位增益缓冲器来避免电荷共享效应,通过加入互补开关管来减小时钟馈通和电荷注入效应。后仿真结果表明,在电源电压为2.5V,电荷泵电流为200μA,调谐范围为0.5～2V时,充放电电流的最大静态失配小于0.1%;在750kHz环路带宽下,计算得到锁相环参考杂散小于-72dBc,满足IEEE 802.15.3c标准对60GHz本振信号杂散的要求。

关键词：电荷泵 30GHz锁相环电流失配参考杂散

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基于Walsh谱变换的S盒算法

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计算机工程 2014年第7期40卷 18-22页

作者：孙慧盈陆继承魏长征俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对一阶差分功耗分析(DPA)攻击问题,借鉴现有的频谱变换S盒防护方法,利用Walsh谱变换的单比特输出特性,并运用Walsh谱变换与构造相应掩码变量,提出一种基于Walsh谱变换的安全S盒算法。阐述算法的具体实现过程,分析所有敏感数据的掩码... 详细信息

针对一阶差分功耗分析(DPA)攻击问题,借鉴现有的频谱变换S盒防护方法,利用Walsh谱变换的单比特输出特性,并运用Walsh谱变换与构造相应掩码变量,提出一种基于Walsh谱变换的安全S盒算法。阐述算法的具体实现过程,分析所有敏感数据的掩码安全性。以数据加密标准算法为例,描述该算法在实际应用中的具体实现。通过50万条功耗曲线的DPA攻击进行实验,结果表明,与基于傅里叶变换的S盒算法相比,该算法在保证安全性的同时,可避免复杂的算术掩码操作。

关键词：旁路分析 S盒差分功耗分析傅里叶变换 Walsh谱变换掩码数据加密标准

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以学生学习为中心的工科课程教学

以学生学习为中心的工科课程教学

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2013 3rd International Conference on Education and Education Management(EEM 2013)

作者：尹建君复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室

本文具体以本科生课程《数字逻辑基础》为切入点,初步探讨以学生学习为中心的本科工科课程教学实施过程中的一些方法,包括真实了解学生的想法、怎么样学生学到的更多、作业形式的多样化、有效教学课堂氛围的建立、适当的讨论与参与等。... 详细信息

本文具体以本科生课程《数字逻辑基础》为切入点,初步探讨以学生学习为中心的本科工科课程教学实施过程中的一些方法,包括真实了解学生的想法、怎么样学生学到的更多、作业形式的多样化、有效教学课堂氛围的建立、适当的讨论与参与等。通过以学生学习为中心的教学尝试,提升学生参与主动学习的积极性,有效提高教学质量,并为学生进一步专业学习和后续自主学习打下基础。

关键词：学生学习为中心本科教学工科课程

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湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究

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无机材料学报 2013年第4期28卷 420-424页

作者：王韬屈新萍复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金字塔结构,得到了最低为6%左右的反射率。然后采用水热法在该衬底生长氧化锌纳米棒,得到了最低小于3%的反射率,比单采用腐蚀或者ZnO纳米棒生长的硅表面的反射率更低。这种减反方法工艺简单、高效,有望得到应用。

关键词：减反层四甲基氢氧化铵湿法腐蚀各向异性 ZnO纳米棒

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激光干涉光刻工艺开发与应用研究

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传感器与微系统 2013年第5期32卷 9-12页

作者：于航陆冰睿陈国平刘冉复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

成功开发出以劳厄干涉为基础的激光干涉光刻系统与工艺,该工艺可在大面积范围内加工二维周期性图形,非常适合于生产光电子器件和微电子器件的周期性结构。通过实验研究了使用该工艺加工表面纳米结构的流程,对比了几种光刻胶在该工艺中... 详细信息

成功开发出以劳厄干涉为基础的激光干涉光刻系统与工艺,该工艺可在大面积范围内加工二维周期性图形,非常适合于生产光电子器件和微电子器件的周期性结构。通过实验研究了使用该工艺加工表面纳米结构的流程,对比了几种光刻胶在该工艺中的性能特点。该工艺不需要掩模、昂贵的短波长光源和成像透镜。初步实验结果表明:该工艺可以生产大面积亚微米周期的光栅、点阵以及锥形结构,为激光干涉光刻加工纳米结构的后续工作奠定了基础。

关键词：激光干涉光刻微纳结构光刻胶

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对称加密算法AES和DES的差分错误分析

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复旦学报（自然科学版） 2013年第3期52卷 297-302页

作者：孙维东俞军沈磊复旦大学微电子研究院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

分析对称加密算法AES和DES对差分错误分析的安全性.描述了一种针对AES加密算法的差分错误分析方法,通过软件模拟成功恢复根密钥.实验结果表明,只需20次左右的错误注入就能实现AES差分错误分析.提出一种新的DES差分错误分析方法,该方法与... 详细信息

分析对称加密算法AES和DES对差分错误分析的安全性.描述了一种针对AES加密算法的差分错误分析方法,通过软件模拟成功恢复根密钥.实验结果表明,只需20次左右的错误注入就能实现AES差分错误分析.提出一种新的DES差分错误分析方法,该方法与AES差分错误分析在原理上类似,软件模拟结果表明破解DES需要的错误注入次数更多.因此无任何防护手段的AES和DES加密算法很容易受到差分错误分析的攻击.最后提出引入错误侦测机制能有效抵御此类攻击.

关键词：高级加密标准数据加密标准差分错误分析智能卡

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非晶In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器研究

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半导体技术 2013年第7期38卷 481-486页

作者：崔兴美陈笋丁士进复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜... 详细信息

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳。最后对基于a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器的结构、编程和擦除特性等文献报道进行了总结,重点讨论了该类存储器在通常情况下擦除效率低的原因及其改善措施。因此,对今后开发高性能a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器具有很好的指导意义。

关键词：非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO) 薄膜晶体管(TFT) 存储器系统面板(SoP) 柔性器件

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量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响

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微电子学 2013年第2期43卷 292-295页

作者：姚成军黄大鸣施道航焦广泛复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体... 详细信息

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体管的电流电压特性,特别是正偏压温度不稳定性(PBTI)是非常重要的。另外,随着沟道长度和体硅厚度的缩小,隧穿晶体管的电流电压特性和可靠性都得到了改善,但在保持相同等效氧化层厚度的情况下,使用高介电常数的栅介质不会改善器件的电流电压特性及可靠性。

关键词：隧穿场效应晶体管量子效应可靠性

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一种新的高级加密标准模板攻击方法

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计算机工程 2013年第8期39卷 166-168页

作者：胡永波郑业扬俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 复旦大学微电子学院上海201203 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对高级加密标准(AES)算法存在对模板攻击效率较低的问题,提出一种新的模板攻击方法,包括攻击算法以及优化的攻击过程,建立每个非线性表的汉明权重模板和128次模板匹配,以此获取AES算法的全部密钥,优化的攻击过程包括对信号的有效预处... 详细信息

针对高级加密标准(AES)算法存在对模板攻击效率较低的问题,提出一种新的模板攻击方法,包括攻击算法以及优化的攻击过程,建立每个非线性表的汉明权重模板和128次模板匹配,以此获取AES算法的全部密钥,优化的攻击过程包括对信号的有效预处理和主成分分析。实验结果证明,该方法可提高AES模板攻击的效率,成倍降低存储器的用量和运算复杂度。

关键词：高级加密标准侧道信号攻击模板攻击主成分分析相关系数矩阵贝叶斯定理

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