检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学（E辑） 2005年第3期35卷 278-289页

作者：熊祖洪樊永良詹义强张松涛丁训民侯晓远西南师范大学物理学院重庆400715 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布 Bragg 反射镜(PS-DBR)/SiO2/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分 PS-DBR 由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发... 详细信息

从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布 Bragg 反射镜(PS-DBR)/SiO2/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分 PS-DBR 由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发射扫描电子显微图清晰显示: SBM-OLEDs 具有纳米级层次结构和平整的界面. PS-DBR 反射谱的阻止带宽 160 nm, 且反射率达 99%.SBM-OLEDs 的反射谱中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜. 在绿光和红光波段, 从 SBM-OLEDs 中都得到了改进的电致发光(EL)谱: 绿光(红光)EL 谱的半高宽可由无微腔的 83 nm (70 nm)窄化为有微腔时的 8 nm (12 nm), 且为单峰发射,微腔器件 EL 谱的色纯性有较大提高. 与非微腔器件相比, 发绿光和发红光的微腔在谐振波长处 EL的强度分别增强了 6倍和 4倍. 对微腔器件的电流-亮度-电压(I-B-V)特性和影响器件寿命的因素也进行了讨论.

关键词：多孔硅电化学腐蚀硅基微腔电致发光有机光发射二极管

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表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍

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物理 1994年第3期23卷 164-166页

作者：蒋平复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９... 详细信息

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９日在上海举行。来自１３个国家和地区...

关键词：表面结构吸附半导体材料金属

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Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究

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Journal of Semiconductors 1995年第2期16卷 81-86页

作者：张明董国胜朱兴国徐敏金晓峰复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室浙江工学院基础部

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，... 详细信息

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，界面表现出金属性．我们认为这是铁磁交换积分导致３ｄ能带分裂的结果．另外，从Ｍｎ３ｓ芯能级的多重分裂来看，至少从θ＞０．４ｎｍ开始，Ｍｎ的原子局域磁矩大小就不再变化．

关键词：锰砷化镓界面磁性光电子能谱电子结构

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量子围栏──扫描隧道显微术的又一杰作

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物理 1994年第10期23卷 582-584页

作者：蒋平梁励芬董树忠复旦大学李政道物理学综合实验室应用表面物理国家重点实验室

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状... 详细信息

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状态密度对空间和能量的分布．预期这一成果将在许多方面促进今后研究工作的发展。

关键词：量子围栏表面态扫描隧道显微

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WTe2在室温下的红外纳米成像

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四川大学学报（自然科学版） 2019年第6期56卷 1093-1096页

作者：罗国语代珍兵李志强王冲晏湖根于白茹四川大学物理学院成都610065 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200438 复旦大学物理学系上海200438

本文用扫描散射近场光学显微镜(s-SNOM)在室温下研究了碲化钨(WTe 2)的近场光学响应,利用有限偶极模型计算了WTe 2样品与金刚石基底的近场散射信号比,发现观测结果并不能完全由块材所描述,从而推测出样品表面具有与块材无耦合作用的WTe ... 详细信息

本文用扫描散射近场光学显微镜(s-SNOM)在室温下研究了碲化钨(WTe 2)的近场光学响应,利用有限偶极模型计算了WTe 2样品与金刚石基底的近场散射信号比,发现观测结果并不能完全由块材所描述,从而推测出样品表面具有与块材无耦合作用的WTe 2纳米薄层,并对在样品边缘发现的很强的亮纹做出了可能的解释.这个工作为今后对拓扑材料的光学研究提供了参考.

关键词：碲化钨拓扑材料近场光学边缘态

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声空化物理化学综合法制备发光多孔硅薄膜的微结构与发光特性

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物理学报 2005年第1期54卷 416-421页

作者：刘小兵史向华廖太长任鹏柳玥柳毅熊祖洪丁训民侯晓远长沙理工大学物理与电子科学系长沙410077 湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室长沙理工大学期刊中心长沙410076 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 西南师范大学物理系重庆400715

声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径 .实验结果表明 ,声化学处理对于改善多孔硅的微结构 ,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术 .超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅... 详细信息

声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径 .实验结果表明 ,声化学处理对于改善多孔硅的微结构 ,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术 .超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜 ,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质 .这种超声的化学效应源于声空化 ,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃 ,在多孔硅的腐蚀过程中 ,孔中的氢气泡 ,由于超声波的作用增加了逸出比率和塌缩 ,有利于孔沿垂直方向的腐蚀 .

关键词：声空化物理多孔硅发光特性塌缩氢气泡微结构声化学硅薄膜发光效率腐蚀液

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半花菁染料LB膜的铁电性与厚度关系

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物理化学学报 2004年第10期20卷 1253-1257页

作者：李淑红马世红李波孙兰王根水孟祥建褚君浩王文澄复旦大学光科学与工程系先进光子学材料与器件国家重点实验室复旦大学物理学系先进光子学材料与器件国家重点实验室上海200433 红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所上海200083

报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30～200nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N-4/3,这种关系与其它传统的... 详细信息

报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30～200nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N-4/3,这种关系与其它传统的无机铁电材料完全相同.通过样品介电和铁电性能的测量,以存贮元件的物理参量-优值(Ps/εrEC)作为参比标准,可得铁电半花菁染料LB膜的最佳厚度为60nm,且其优值的数值与偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VdF-TrFE)(n:n=70:30)的优值数值处在同一数量级上.

关键词：半花菁染料 LB膜铁电性厚度电滞回线矫顽电场存贮器

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多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理

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物理学报 1997年第10期46卷 2059-2065页

作者：刘小兵熊祖洪袁帅廖良生何钧曹先安缪熙月丁训民侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０... 详细信息

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．

关键词：微波等离子体多孔硅后处理钝化处理

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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性

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红外与毫米波学报 2024年第1期43卷 63-69页

作者：郭子路王文娟曲会丹范柳燕诸毅诚王亚杰郑长林王兴军陈平平陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 上海量子科学研究中心上海201315 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和物理学系上海200438

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用... 详细信息

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。

关键词：分子束外延 P/As切换异质界面扩散 InGaAs/InP雪崩光电二极管

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Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究

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物理学报 2012年第1期61卷 470-474页

作者：汪建军方泽波冀婷朱燕艳任维义张志娇西华师范大学物理与电子信息学院南充637002 绍兴文理学院物理系绍兴312000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 e... 详细信息

利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.

关键词： Tm_2O_3 X射线光电子能谱能带偏移

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