检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2000年第10期21卷 1019-1023页

作者：孙剑吴嘉达钟晓霞来冰丁训民李富铭复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室上海200433 上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .... 详细信息

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .

关键词：硅表面处理 ECR等离子体单晶硅

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Co_xAg_(1-x)纳米颗粒膜的磁光Kerr效应

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中国科学（A辑） 2000年第4期30卷 359-365页

作者：郑卫民王辉褚君浩陈良尧邓振波中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学物理系上海200433 复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含... 详细信息

通过离子束溅射制备了CoxAg1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含量较低的样品 ,随着退火温度的升高 ,磁光Kerr效应增强 ,并且在Ag的等离子振荡边附近出现了强的共振峰 ;峰的位置发生红移 .通过数据计算分析 ,这种共振磁光Kerr效应的增强是由于Ag陡峭的等离子振荡边作用结果 .

关键词：纳米磁性颗粒膜磁光Kerr效应钴-银颗粒膜

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NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 2000年第2期10卷 102-111页

作者：徐彭寿陆尔东张发培徐世红张新夷赵特秀方容川金晓峰中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学技术大学物理系合肥230026 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究... 详细信息

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ—Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列。

关键词：半导体表面界面同步辐射光电子能谱 NSRL

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Co/Cu_(92)Mn_8/Co结构中的低场巨磁电阻研究

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物理学报 1999年第S1期48卷 144-150页

作者：王辉曹嵘郑卫民金庆原夏宇兴李富铭祝向荣沈鸿烈金晓峰复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 上海交通大学应用物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子... 详细信息

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子，巨磁电阻随外磁场变化的曲线会有非常大的改变，同时饱和场或开关场也有较大的下降，这意味着有可能为Ｃｏ／Ｃｕ金属多层膜的巨磁电阻的实用化研究开辟出一条新的思路．

关键词：巨磁电阻合金膜国家重点实验室 Co/Cu 金属多层膜开关场矫顽力交换耦合缓冲层第一峰值

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有机薄膜电致发光失效过程的多重分形谱研究

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物理学报 1999年第10期48卷 1911-1916页

作者：王晓平周翔何钧廖良生吴自勤中国科学技术大学物理系合肥230026 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学技术大学天文和应用物理系合肥230026

用多重分形谱描述了荧光显微镜原位观察到的有机薄膜电致发光的失效过程．实验观察表明：有机层／金属电极界面上气泡的产生是电致发光的失效的原因．多重分形谱的分析显示：随薄膜工作时间愈长或工作电压愈高，分形谱的宽度愈窄，表... 详细信息

用多重分形谱描述了荧光显微镜原位观察到的有机薄膜电致发光的失效过程．实验观察表明：有机层／金属电极界面上气泡的产生是电致发光的失效的原因．多重分形谱的分析显示：随薄膜工作时间愈长或工作电压愈高，分形谱的宽度愈窄，表明气泡的数量逐渐增加并愈加均匀地分布在界面上，这一结果和实验观察完全一致，因此多重分形谱可以很好地描述这种失效过程．

关键词：电致发光失效有机薄膜多重分形谱

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C<,60>在Si上形成的H3C-SiC(111)表面再构的STM研究

C<,60>在Si上形成的H3C-SiC(111)表面再构的STM研究

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第十二届全国半导体物理学术会议

作者：杨建树王迅王学森陈显邦翟光杰复旦大学应用表面物理国家重点实验室(上海) 香港科技大学物理系中国科学院物理研究所(北京)

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钒氧酞菁多晶薄膜的稳态光电压特性研究

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光学学报 1998年第12期18卷 1681-1685页

作者：吴迎娟潘永乐陈凌冰赵有源沈元华李富铭沈淑引黄德音复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室中国科学院北京感光化学研究所上海交通大学应用化学系

报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方式。对ＶＯＰｃ在相Ｉ、相Ｉ、及α型三种堆积方式下的稳态光电压... 详细信息

报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方式。对ＶＯＰｃ在相Ｉ、相Ｉ、及α型三种堆积方式下的稳态光电压波长响应进行了研究，并对其内在机制作了初步探讨。

关键词：钒氧酞菁多晶薄膜稳态光电压波长响应

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究

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红外与毫米波学报 1997年第6期16卷 406-412页

作者：王东红黄大鸣魏彦锋靳彩霞王杰陈张海陆卫复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较．我们发现对于ｘ＜０．２，０．２＜ｘ＜０．５和ｘ≥０．５三种不同情形，反射光谱表现出不同的结构．

关键词：外延薄膜红外反射光谱锌锰硒三元半导体

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

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Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 881-887页

作者：魏彦锋黄大鸣王东红靳彩霞王杰沈孝良复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，... 详细信息

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．

关键词：分子束延法外延生长三元合金薄膜半导体材料

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GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化

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Journal of Semiconductors 1997年第1期18卷 76-80页

作者：曹先安陈溪滢李喆深苏润洲丁训民侯晓远钱峰姚晓峨陈效建复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 东北林业大学物理系哈尔滨150040 南京电子器件研究所南京210016

本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响... 详细信息

本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺．

关键词：硫钝化砷化镓 HBT

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