检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2013年第4期62卷 411-416页

作者：韦晓莹胡明张楷亮* 王芳刘凯天津大学电子信息工程学院天津 300072 天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津 300384

采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜. X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)和V2O3(110)峰外,没有明显的结晶取向,是VO2, V2O5, V2O3及VO... 详细信息

采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜. X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)和V2O3(110)峰外,没有明显的结晶取向,是VO2, V2O5, V2O3及VO的混合相薄膜,且薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为1 nm.采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试.结果表明薄膜具有较低的开关电压(VSet<1 V, VReset薄膜从低阻态转变为高阻态的电流(IReset)随限流的增大而增大.通过高低阻态时I-V 对数曲线的拟合(高阻态斜率>1,低阻态斜率=1),认为Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转变的主要机制.

关键词：氧化钒薄膜电阻开关电阻式非挥发存储器导电细丝

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基于半导体光放大器的双脉冲激光器

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中国激光 2015年第6期42卷 80-84页

作者：潘洪刚张爱玲宋殿友薛玉明天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

为了得到脉宽可调谐的双脉冲激光器,提出了基于半导体光放大器的8字腔激光器结构。该方案中,将半导体光放大器置于非线性光纤环镜的非对称位置,应用半导体光放大器的非线性偏振旋转产生激光脉冲,当半导体光放大器的驱动电流为200 m A时... 详细信息

为了得到脉宽可调谐的双脉冲激光器,提出了基于半导体光放大器的8字腔激光器结构。该方案中,将半导体光放大器置于非线性光纤环镜的非对称位置,应用半导体光放大器的非线性偏振旋转产生激光脉冲,当半导体光放大器的驱动电流为200 m A时,通过调整腔内的偏振控制器,得到重复频率为10.05 MHz和12.70 MHz,脉冲宽度分别为33.40 ns和30.08 ns的双脉冲,同时改变激光器腔长以及半导体光放大器在非线性放大镜中的位置,应用非线性光纤环镜的开关特性,双脉冲的脉宽也做相应的改变。

关键词：激光器双脉冲半导体光放大器非线性偏振旋转

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基于湿纸编码的多像素值差密写

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光电子．激光 2012年第10期23卷 1965-1970页

作者：曹丽丽陈志宏杨晓苹李飞李波吴喆明天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

提出了一种基于湿纸编码的多像素值差(MPVD,multi-pixel value differencing)密写方法。首先用光栅扫描的方式将载体图像划分为若干不重叠的四像素的小块,再将每个小块的4个像素值分别与其中最小像素值求差,应用湿纸密写原理,通过选择... 详细信息

提出了一种基于湿纸编码的多像素值差(MPVD,multi-pixel value differencing)密写方法。首先用光栅扫描的方式将载体图像划分为若干不重叠的四像素的小块,再将每个小块的4个像素值分别与其中最小像素值求差,应用湿纸密写原理,通过选择适合人眼分辨能力的"干燥区域",将改进的Arnold方法置乱的秘密信息嵌入。模拟实验结果表明,和最低有效位法(LSB)和像素值差法(PVD)相比,本文方法嵌入量高,安全性好,提取简单。

关键词：多像素值差(MPVD) 干燥区域湿纸编码选择频道

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金刚石基底上制备(002)AlN薄膜的研究

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光电子．激光 2012年第6期23卷 1114-1119页

作者：古少杰杨保和张明伟崔健李翠平天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具... 详细信息

首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具有很高的金刚石相纯度,且晶粒排列紧密;继而采用射频磁控反应溅射法,在抛光的金刚石基底上成功制备了高C轴择优取向的氮化铝(AlN)薄膜,研究了不同的溅射气压、靶基距对AlN薄膜制备的影响,XRD检测结果表明,溅射气压低,靶基距短,有利于AlN(002)面择优取向,相反则更有利于AlN薄膜的(103)面和(102)面择优取向;研究了AlN薄膜在以N终止的金刚石基底和纯净金刚石基底两种表面状态上的生长机制,结果发现,以N终止的金刚石基底非常有利于AlN(002)面择优取向生长;从Al-N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度,探讨了其对AlN薄膜择优取向的影响。

关键词：氮化铝(AlN)薄膜择优取向金刚石化学键平均自由程

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Cu/TiOx/Al阻变存储器激活过程的研究

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光电子．激光 2015年第3期26卷 433-438页

作者：陈长军宗庆猛蒋浩周立伟吕联荣天津理工大学电子信息工程学院、天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

为了拓展光电器件在存储领域的应用以及更深入地了解阻变机理,研究了Cu/TiOx/Al电阻式随机存储器(RRAM)的激活(forming)过程,其中TiOx为透明薄膜。利用磁控反应溅射方法,通过改变O2分压制备出具有高折射率(在可见光区域平均值约2.23)和... 详细信息

为了拓展光电器件在存储领域的应用以及更深入地了解阻变机理,研究了Cu/TiOx/Al电阻式随机存储器(RRAM)的激活(forming)过程,其中TiOx为透明薄膜。利用磁控反应溅射方法,通过改变O2分压制备出具有高折射率(在可见光区域平均值约2.23)和低消光系数(在可见光区域平均值约0.004 2)的透明TiOx薄膜。通过构建Cu/TiOx/Al三明治结构验证了透明TiOx薄膜的阻变存储特性。在阻变过程中,通过调节forming电压和电流,实现了透明TiOx薄膜的阶段性forming。对不同forming阶段的I-V拟合,进一步探索透明TiOx薄膜forming过程的电子传输方式。结果表明,随着forming的发展,透明器件的传输机理发生明显改变,由肖特基发射(SE)转变为FN隧穿,直接隧穿,到最后的欧姆传输,最终实现完整的forming。揭示了TiOx薄膜应用于可见光波段光电存储器件的可行性。

关键词：光学电阻式随机存储器(RRAM) TiOx薄膜传输机理

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基于半导体光放大器的脉宽可调谐暗脉冲激光器

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光学学报 2015年第5期35卷 222-227页

作者：潘洪刚于晋龙王文睿刘毅杨恩泽天津大学电子信息工程学院天津300072 天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

利用半导体光放大器（SOA）实现了一种脉宽可调谐的暗脉冲光纤激光器。将基于SOA的光纤激光器的一部分输出反馈注入SOA,由于SOA的非线性偏振旋转效应,输出脉冲经历不同的偏振演化,从而得到暗脉冲输出。通过改变反馈腔长度可以实现暗脉... 详细信息

利用半导体光放大器（SOA）实现了一种脉宽可调谐的暗脉冲光纤激光器。将基于SOA的光纤激光器的一部分输出反馈注入SOA,由于SOA的非线性偏振旋转效应,输出脉冲经历不同的偏振演化,从而得到暗脉冲输出。通过改变反馈腔长度可以实现暗脉冲的脉宽调谐。分析了半导体光放大器的非线性偏振效应及暗脉冲的产生机理。并在实验中观察到了脉宽可调谐的暗脉冲输出。通过改变反馈腔长,在重复频率不变（11.31 MHz）的条件下,得到了脉宽为5.91~22.34 ns可调的暗脉冲。

关键词：激光器半导体光放大器暗脉冲非线性偏振旋转光纤激光器

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大面积均匀平坦纳米AlN薄膜的研制

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光电子．激光 2013年第9期24卷 1739-1744页

作者：朱宇清陈希明李福龙李晓伟杨保和天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

采用射频磁控溅射法,通过优化沉积工艺,在n型(100)Si片上制备出(100)择优取向表面粗糙度均匀的氮化铝(AlN)薄膜。当溅射功率为120 W和N2∶Ar=12∶8时,制备的AlN薄膜的结晶性最好,101.6mm AlN薄膜样品的表面粗糙度为3.31-3.03nm,平均值为... 详细信息

采用射频磁控溅射法,通过优化沉积工艺,在n型(100)Si片上制备出(100)择优取向表面粗糙度均匀的氮化铝(AlN)薄膜。当溅射功率为120 W和N2∶Ar=12∶8时,制备的AlN薄膜的结晶性最好,101.6mm AlN薄膜样品的表面粗糙度为3.31-3.03nm,平均值为3.17nm。研究结果表明:射频磁控溅射能量和N2浓度是实现大面积、均匀平坦、纳米级AlN薄膜的重要制备工艺参数。

关键词：氮化铝(AlN)薄膜声表面波(SAW) 表面粗糙度均匀性

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L-丝氨酸修饰掺硼金刚石薄膜电极检测去甲肾上腺素

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人工晶体学报 2014年第9期43卷 2281-2285页

作者：刘晓辰陈希明李晓伟曹阳天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

采用直流等离子体喷射化学气相沉积（CVD）法制备了掺硼金刚石（BDD）薄膜电极。提出了应用L-丝氨酸修饰掺硼金刚石薄膜电极检测去甲肾上腺素,提高了去甲肾上腺素（NE）含量检测的精度。在浓度为2.0×10^-4mol/L的去甲肾上腺素溶液... 详细信息

采用直流等离子体喷射化学气相沉积（CVD）法制备了掺硼金刚石（BDD）薄膜电极。提出了应用L-丝氨酸修饰掺硼金刚石薄膜电极检测去甲肾上腺素,提高了去甲肾上腺素（NE）含量检测的精度。在浓度为2.0×10^-4mol/L的去甲肾上腺素溶液中,通过对比BDD裸电极与L-丝氨酸修饰BDD电极得出：经L-丝氨酸修饰的BDD电极的电催化氧化能力明显增强;在浓度为1.0×10^-4～1.0×10^-8mol/L的范围内,浓度的对数与氧化峰电流基本呈线性关系,且检测限为1.0×10^-9mol/L。

关键词：掺硼金刚石(BDD)薄膜电极循环伏安法(CVa) 去甲肾上腺素(NE) 氧化峰电流 L-丝氨酸

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在金属薄膜衬底上定向生长碳纳米管

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功能材料 2010年第6期41卷 1030-1033页

作者：戴玮朱宁天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

研究和探讨了预处理和温度影响对碳纳米管定向生长机制的作用。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以金属Fe薄膜为催化剂,在单晶硅衬底上定向生长碳纳米管(CNT)。通过给予不同的预处理时间和温度条件,在Fe/Si衬底上沉积出碳纳... 详细信息

研究和探讨了预处理和温度影响对碳纳米管定向生长机制的作用。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以金属Fe薄膜为催化剂,在单晶硅衬底上定向生长碳纳米管(CNT)。通过给予不同的预处理时间和温度条件,在Fe/Si衬底上沉积出碳纳米管,通过扫描电子显微镜(SEM)进行表征,将不同的条件下生长的碳纳米管进行对比。结果表明,在适当的工艺条件下,可以生长出方向性好,纯度高的碳纳米管。

关键词：碳纳米管预处理温度等离子体增强化学气相沉积定向生长

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Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究

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光电子．激光 2013年第5期24卷 935-939页

作者：张倩陈希明杨保和阴聚乾吴晓国天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜... 详细信息

采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄膜的机电耦合系数提高了65%。

关键词：声表面波器件(SAWD) (002)择优取向 Al薄膜

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