检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2013年第19期62卷 498-504页

作者：李勇李惠琪夏洋刘邦武山东科技大学材料科学与工程学院青岛266590 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用原子层沉积方法在碳黑纳米颗粒表面分别沉积Al2O3,ZnO,TiO2和Pt,成功制备出核-壳型纳米材料.通过高分辨率透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、能谱仪对材料的表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,原子层沉积方... 详细信息

采用原子层沉积方法在碳黑纳米颗粒表面分别沉积Al2O3,ZnO,TiO2和Pt,成功制备出核-壳型纳米材料.通过高分辨率透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、能谱仪对材料的表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,原子层沉积方法是制备核壳型纳米材料的理想方法.此外,还分析了采用原子层沉积方法沉积不同材料,所生长的薄膜材料有单晶、多晶、非晶等多种存在形式的形成原因.

关键词：原子层沉积核-壳型纳米材料碳黑纳米颗粒

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多晶黑硅的制备及其组织性能

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北京科技大学学报 2011年第5期33卷 619-622页

作者：刘邦武夏洋刘杰李超波中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其... 详细信息

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF_6和O_2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好.

关键词：黑硅等离子体浸没离子注入组织光吸收率

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氧化锆基阻变存储器中金掺杂效应的第一性原理研究

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中国科学：技术科学 2018年第5期48卷 575-582页

作者：韦晓迪魏巍马国坤叶葱周昊何品沈谅平黄忠兵湖北大学物理与电子科学学院湖北省铁电压电材料与器件重点实验室武汉430062 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

氧空位在过渡金属氧化物阻变存储器的电阻转变中有重要作用.采用第一性原理计算方法,研究Au掺杂前后阻变层材料ZrO_2的能带结构、态密度、氧空位的形成能和迁移势垒能来分析氧化锆基阻变存储器中的Au掺杂效应.研究发现,Au掺杂后ZrO_2费... 详细信息

氧空位在过渡金属氧化物阻变存储器的电阻转变中有重要作用.采用第一性原理计算方法,研究Au掺杂前后阻变层材料ZrO_2的能带结构、态密度、氧空位的形成能和迁移势垒能来分析氧化锆基阻变存储器中的Au掺杂效应.研究发现,Au掺杂后ZrO_2费米能级处出现了局域化杂质带且禁带宽度减小,由此提升了ZrO_2的导电能力;Au掺杂后氧空位形成能及迁移势垒能显著降低,从而有利于氧空位的形成和迁移,进而降低ZrO_2基阻变存储器的形成(forming)电压与置位(set)电压.我们利用电子局域函数模拟ZrO_2超晶胞[001]方向包含掺杂元素Au的氧空位列,结果表明局域在杂质周围的氧空位在[001]方向形成有序导电通道.

关键词： ZrO2 第一性原理氧空位掺杂效应阻变存储器

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GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究

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物理学报 2011年第9期60卷 540-546页

作者：王鑫华庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军郑英奎魏珂刘新宇中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

本文对GaNHEMT栅漏电容的频率色散特性进行分析,认为栅边缘电容的色散是导致栅漏电容频率色散特性不同于圆肖特基二极管电容的主要原因.通过对不同栅偏置条件下缺陷附加电容与频率关系的拟合,发现小栅压下的缺陷附加电容仅满足单能级缺... 详细信息

本文对GaNHEMT栅漏电容的频率色散特性进行分析,认为栅边缘电容的色散是导致栅漏电容频率色散特性不同于圆肖特基二极管电容的主要原因.通过对不同栅偏置条件下缺陷附加电容与频率关系的拟合,发现小栅压下的缺陷附加电容仅满足单能级缺陷模型,而强反向栅压下的缺陷附加电容同时满足单能级和连续能级缺陷模型.实验中栅边缘电容的频率色散现象在钝化工艺后出现,其反映的缺陷很可能是钝化工艺引入,且位于源漏间栅金属未覆盖区域的表面.最后通过低频噪声技术进一步验证栅边缘电容提取缺陷参数的可行性.低频噪声技术获得的单能级缺陷时间常数与强反向栅压下栅边缘电容拟合的结果一致.

关键词： HEMT 边缘电容缺陷低频噪声

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固态纳米孔:下一代DNA测序技术——原理、工艺与挑战

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中国科学：生命科学 2014年第7期44卷 649-662页

作者：陈文辉罗军赵超中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

固态纳米孔测序技术作为新兴的第四代DNA测序技术,具有低成本、高读长、易集成等优势.如今,随着半导体工艺技术的飞速发展,小型化、高速度、大通量的纳米孔测序芯片的实现成为可能.相比传统的测序技术,固态纳米孔测序技术在成本、速度... 详细信息

固态纳米孔测序技术作为新兴的第四代DNA测序技术,具有低成本、高读长、易集成等优势.如今,随着半导体工艺技术的飞速发展,小型化、高速度、大通量的纳米孔测序芯片的实现成为可能.相比传统的测序技术,固态纳米孔测序技术在成本、速度等方面有着十分巨大的优势.然而,作为一种新兴的测序技术,固态纳米孔在制造、测序、集成等方面也存在着诸多挑战.本文主要介绍了纳米孔测序技术的原理、制备工艺和面临的挑战,并展望了未来纳米孔测序技术的发展前景.

关键词：固态纳米孔 DNA测序缩孔技术

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一种具有高填充因子吸收层和低失调低噪声读出电路的红外探测系统(英文)

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红外与毫米波学报 2014年第1期33卷 50-54,67页

作者：黄卓磊王玮冰蒋文静欧文明安杰刘战锋陈大鹏中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 江苏物联网研究发展中心智能集成传感器工程中心江苏无锡214135

使用红外探测器及读出电路,研制成功非制冷红外探测系统.探测器用二极管作为温度传感器,使其与集成电路工艺相兼容.采用了新的器件结构,使得填充因子从20%提高到80%.器件的微机械结构面积为35μm×35μm.读出电路的失调电压为3μV.... 详细信息

使用红外探测器及读出电路,研制成功非制冷红外探测系统.探测器用二极管作为温度传感器,使其与集成电路工艺相兼容.采用了新的器件结构,使得填充因子从20%提高到80%.器件的微机械结构面积为35μm×35μm.读出电路的失调电压为3μV.探测器的输出噪声为2μV.探测器的电压响应率为7 894.7 V/W,黑体探测率D*为1.56×109cmHz1/2/W,噪声等效温差为330 mK,响应时间为27 ms.

关键词：红外探测器二极管填充因子吸收层读出电路

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利用多个标准样品校准光谱椭圆偏振仪

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光学学报 2014年第3期34卷 117-126页

作者：宋国志刘涛谌雅琴李国光王建东电子科技大学物理电子学院四川成都610054 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

光谱椭偏仪是常用的测量薄膜厚度及材料光学性质的仪器，其准确性主要由系统的校准过程确定。提出一种新的利用标准样品校准光谱椭偏仪的方法。该方法通过对多个已知厚度和已知材料特性的薄膜样品进行测量，利用测量得到的多个样品的傅... 详细信息

光谱椭偏仪是常用的测量薄膜厚度及材料光学性质的仪器，其准确性主要由系统的校准过程确定。提出一种新的利用标准样品校准光谱椭偏仪的方法。该方法通过对多个已知厚度和已知材料特性的薄膜样品进行测量，利用测量得到的多个样品的傅里叶系数光谱与包含未知校准参数的理论光谱之间进行对比，通过最小二乘法拟合，回归求解出整个系统的未知校准参数，包括偏振器方位角，波片延迟，波片方位角和系统入射角等。将该方法的应用领域扩展到2001000nm的宽光谱区域，并通过测量3～13nm的SiO2／Si薄膜样品，实验验证了该方法的有效性，准确性达到0．194nm。该方法相对于传统校准方法更加简单、快速。

关键词：薄膜校准光谱椭偏仪最小二乘法光学常数

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近红外波段Ge光电探测器的研究进展

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半导体技术 2015年第4期40卷 241-249页

作者：柯星星罗军赵超王桂磊中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室

随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55μm的高性能光电探测器成为研究热点。总结了Si Ge组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流的Ge材料外延技术,介绍了pin结构、金属-半导体... 详细信息

随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55μm的高性能光电探测器成为研究热点。总结了Si Ge组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流的Ge材料外延技术,介绍了pin结构、金属-半导体-金属(MSM)结构、雪崩光电二极管(APD)结构以及pin结构和MSM结构与光波导集成这四种不同结构的Ge光电探测器,并从这些不同结构的器件制备技术方面阐述了近红外波段Ge光电探测器的研究进展及其应用。

关键词：光通信单片集成 Ge 光电探测器近红外

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用于单个纳米颗粒检测的固态纳米孔器件的仿真与优化

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传感技术学报 2015年第10期28卷 1425-1431页

作者：张宇魏胜李民权赵超罗军黄成军安徽大学智能计算与信号处理重点实验室合肥230039 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子... 详细信息

基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子电流特性进行了系统性的仿真和分析,提出了采用纳米孔阻塞电流因子,来评估器件性能。在此基础上,深入分析和讨论了纳米孔的孔径和孔深等参数的变化对检测纳米粒子性能的影响,并提出了优化的纳米孔器件设计方案。研究结果对纳米孔器件的制备,以及其在检测纳米颗粒的应用实践中提供了理论指导。

关键词：纳米孔数值方法单纳米粒子检测阻塞电流因子

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随机位相菲涅耳透镜阵列激光束匀化

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光子学报 2019年第3期48卷 1-8页

作者：裴宪梓梁永浩王菲朱效立谢常青长春理工大学光电工程学院长春130022 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

为降低干涉带来的影响,将一种随机位相分布引入菲涅耳透镜阵列,对阵列中每一个菲涅耳透镜施加0或π的二值化位相变化,打乱阵列位相的周期性排布,减少微透镜后多光束在匀化面干涉带来的影响.通过数值计算对激光束的匀化过程进行了模拟,... 详细信息

为降低干涉带来的影响,将一种随机位相分布引入菲涅耳透镜阵列,对阵列中每一个菲涅耳透镜施加0或π的二值化位相变化,打乱阵列位相的周期性排布,减少微透镜后多光束在匀化面干涉带来的影响.通过数值计算对激光束的匀化过程进行了模拟,设计的菲涅耳透镜口径为0.5 mm,焦距为6mm,阵列数目为20×20,光斑整体均匀度达到90%,光束能量利用率达到96%.利用设计和制备的16台阶随机位相型菲涅耳透镜阵列对1 064nm波长的激光光束进行匀化,均匀度为83%,光束能量利用率为89%.研究结果表明,通过引入随机位相可有效减少干涉带来的影响,提高微透镜阵列对单模高斯光束的匀束效果.

关键词：激光束均匀化单模高斯光束随机位相菲涅耳透镜阵列干涉

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