检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2024年第3期54卷 395-403页

作者：韩泽浩蒋大海李政单强魏子辉肖津津黄水龙中国科学院微电子研究所新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100029

设计了一种基于0.35μm CMOS工艺的多通道缓冲器电路,该电路可用于多路接收机中的输出级,以改善输出级的驱动能力。为了应对多路接收机输出端多路缓冲器的设计需求,电路以多个缓冲器为核心,结合多级寄存器、开关阵列,使芯片具备可编程... 详细信息

设计了一种基于0.35μm CMOS工艺的多通道缓冲器电路,该电路可用于多路接收机中的输出级,以改善输出级的驱动能力。为了应对多路接收机输出端多路缓冲器的设计需求,电路以多个缓冲器为核心,结合多级寄存器、开关阵列,使芯片具备可编程功能。该电路利用多级寄存器每一级的控制信号,实现了在传输过程中通道、缓冲器的切换,控制信号可以采用串行、并行两种传输方式写入。电路的测试结果表明,芯片具备串行、并行两种指令写入方式的功能,缓冲器的-3 dB带宽达到36 MHz,压摆率达到330 V/μs。

关键词：开关阵列 CMOS工艺缓冲器体域网

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射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨

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电子与信息学报 2023年第1期45卷 134-149页

作者：赵巾翔汪峰于汉超王魁松张胜利梁晓新阎跃鹏中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院重大科技任务局北京100864 中国科学院前沿科学与教育局北京100864 北京市新一代通信射频芯片技术重点实验室北京100020

随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器... 详细信息

随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件,其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例,低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点,以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型,该文简要分析了3阶交调的理论模型,梳理了提高3阶交截点的方法,归纳研究了近年来相关的研究成果与进展,并展望了未来的发展趋势。

关键词：无线通信射频低噪声放大器高线性 3阶交截点

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GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述

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空间电子技术 2023年第6期20卷 64-74页

作者：何述万董濛周虎梁晓新周智勇阎跃鹏王魁松中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029 国家发展和改革委员会创新驱动发展中心(数字经济研究发展中心) 北京100045

新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物... 详细信息

新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。

关键词：砷化镓 I-V特性层结构退化失效机理工艺改进

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一种2.2~4 GHz高增益低噪声放大器

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微电子学 2021年第4期51卷 471-476页

作者：雷华奎李志强王显泰段连成中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京重点实验室北京100029 昂瑞微电子技术有限公司北京100084

采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合,不使用源极电感,实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明... 详细信息

采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合,不使用源极电感,实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明,2.2~4 GHz频段增益大于24 dB,输出3阶互调(OIP3)为28 dBm,噪声系数(NF)小于0.78 dB,功耗为190 mW,芯片面积为(810×710)μm^(2)。综合指标(FOM)为14.4 dB,与同类LNA相比具有一定的优势。

关键词：共源共栅低噪声放大器输出3阶互调综合指标

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一种7~13GHz低插损6位数字衰减器

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微电子学 2021年第3期51卷 324-329页

作者：翟英慧万晶林福江叶甜春阎跃鹏梁晓新中国科学技术大学微纳电子系统集成研究中心合肥230026 中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

设计了一种基于0.25μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器。采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度。采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度。仿真结果表明,在7~13GHz范围内,... 详细信息

设计了一种基于0.25μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器。采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度。采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度。仿真结果表明,在7~13GHz范围内,该数字衰减器的RMS幅度误差小于0.5dB,插入损耗小于5.6dB,10GHz时1dB压缩点的输入功率约为29dBm,附加相移为-7°~+6.5°,输入输出回波损耗小于-11dB。芯片尺寸为2.50mm×0.63mm。

关键词：数字衰减器低插入损耗级联结构补偿电路

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一种带有DAC失配整形的高精度Sigma-Delta调制器

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电子技术应用 2021年第9期47卷 25-29,38页

作者：刘铭扬王小松刘昱中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

为减小生理信号采集应用中仪表放大器的设计难度,需在低功耗、小信号带宽的前提下大幅度提高模数转换单元的精度和动态范围以作补偿。为此,面向生理信号采集应用,实现了一种带前馈结构的高精度三阶五比特Sigma-Delta调制器,其不需要复杂... 详细信息

为减小生理信号采集应用中仪表放大器的设计难度,需在低功耗、小信号带宽的前提下大幅度提高模数转换单元的精度和动态范围以作补偿。为此,面向生理信号采集应用,实现了一种带前馈结构的高精度三阶五比特Sigma-Delta调制器,其不需要复杂的OTA结构和过高的过采样率,且功耗较低,并将二阶噪声整形动态元件匹配方案应用于DAC中,以避免多比特量化造成的非线性谐波失真。该Sigma-Delta调制器采用SMIC 0.18μm CMOS标准工艺,在1 MHz的采样率,1 kHz的信号带宽内,峰值SNDR达到111 dB,动态范围达到120 dB,有效位数达到18 bit,工作电源电压为1.8 V,整体功耗为0.87 mW。

关键词： Sigma-Delta调制器多比特量化器二阶动态元件匹配逐次逼近前馈结构

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基于深度学习的临床心电图分类算法

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计算机与现代化 2021年第8期 52-57页

作者：刘守华王小松刘昱中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

心电图反映了人体心脏健康状况,是临床诊断心血管类疾病的重要依据。随着心电图数量的快速增长,计算机辅助心电图分析的需求愈加迫切,心电图自动分类作为实现计算机辅助心电图分析不可或缺的技术手段,具有重要的医学价值。由于心电信号... 详细信息

心电图反映了人体心脏健康状况,是临床诊断心血管类疾病的重要依据。随着心电图数量的快速增长,计算机辅助心电图分析的需求愈加迫切,心电图自动分类作为实现计算机辅助心电图分析不可或缺的技术手段,具有重要的医学价值。由于心电信号非常微弱、抗干扰性差,传统心电图分类算法存在测试集上效果好,实际临床应用效果欠佳的问题。为此,本文研究一种基于多导联二维结构的一维卷积ResNet网络结构,通过平移起始点、“加噪”等数据增强手段增加训练样本多样性,并采用Focal Loss损失函数优化病人个体的心电图分类模型。该模型利用2万条完整的8导联心电图数据,共计34类心电异常事件进行分类实验,取得了0.91的F1值、93.96%的准确率和87.89%的召回率的分类性能。实验结果表明,该心电图分类算法模型具有较优的深层特征挖掘与分类能力,验证了其在心电异常自动分类上的有效性。

关键词：深度学习残差网络卷积神经网络心电图数据分布损失函数

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一种调节供电进行温度补偿的高精度时钟电路

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电子技术应用 2021年第5期47卷 117-121页

作者：刘铭扬王小松刘昱中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

基于0.18μm CMOS标准工艺,实现了一种调节供电电压对温度进行补偿的高精度时钟电路,且有效避免了温度变化及供电波动对振荡频率的影响。相较于同种类型电路,该结构无需带隙基准源及运算放大器,在优化性能的同时,极大程度地缩减了芯片... 详细信息

基于0.18μm CMOS标准工艺,实现了一种调节供电电压对温度进行补偿的高精度时钟电路,且有效避免了温度变化及供电波动对振荡频率的影响。相较于同种类型电路,该结构无需带隙基准源及运算放大器,在优化性能的同时,极大程度地缩减了芯片面积及电路复杂度。经仿真验证,当温度变化为-40℃~85℃时,时钟偏差小于1%,可以稳定输出频率为2 MHz的时钟信号;当供电由1.6V波动至2.0V时,时钟振荡频率波动仅为28 Hz。

关键词：环形振荡器温度补偿时钟自校准

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基于5G NR的智能铁路定位技术研究

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铁路计算机应用 2022年第8期31卷 27-33页

作者：李辉方荣一于哲任斌孙韶辉中信科移动通信技术股份有限公司创新中心北京100083 电信科学技术研究院有限公司无线移动通信国家重点实验室北京100083 电信科学技术研究院有限公司新一代移动通信无线网络与芯片技术国家工程实验室北京100083

为提高列车和人员的定位精度,针对智能铁路高速和低速场景下的定位需求,结合基于正交频分复用技术的全新空口设计的全球性第5代移动通信技术标准(简称:5G新空口)(5G NR)定位技术,提出基于5G NR的上行和下行定位解决方案。基于到达时间... 详细信息

为提高列车和人员的定位精度,针对智能铁路高速和低速场景下的定位需求,结合基于正交频分复用技术的全新空口设计的全球性第5代移动通信技术标准(简称:5G新空口)(5G NR)定位技术,提出基于5G NR的上行和下行定位解决方案。基于到达时间差的定位技术原理,通过选用下行到达时间差(DL-TDOA,Downlink Time Difference of Arrival)定位法和上行到达时间差(UL-TDOA,Uplink Time Difference of Arrival)定位法,设计了上下行定位参考信号、时间测量值反馈及定位流程,保证了智能铁路低速场景下满足第3代合作伙伴计划技术报告(3GPP TR)所定义的米级定位精度,并提出了高速场景及隧道场景下的潜在定位增强技术,为智能铁路多场景定位提供技术参考。

关键词：定位智能铁路 5G新空口(5G NR) 下行到达时间差(DL-TDOA) 上行到达时间差(UL-TDOA) 参考信号时间差(RSTD) 相对到达时间(RTOA)

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基于卷积神经网络重建十二导联心电图

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微电子学与计算机 2019年第9期36卷 12-15页

作者：朱晓铭陈林海张帅王云峰中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

由矢量心电图衍生标准十二导联心电图的传统方法是Dower转换,由于模型过于简单,在心电图细节方面重建效果不佳.为了提高衍生效果,提出一种基于卷积神经网络的衍生方法.首先采用卷积自编码器获取Frank正交导联心电图的高级语义,然后利用... 详细信息

由矢量心电图衍生标准十二导联心电图的传统方法是Dower转换,由于模型过于简单,在心电图细节方面重建效果不佳.为了提高衍生效果,提出一种基于卷积神经网络的衍生方法.首先采用卷积自编码器获取Frank正交导联心电图的高级语义,然后利用卷积神经网络实现从编码层重建标准十二导联心电图.最后采用R2和相关系数作为评判标准来分析结果,均明显优于传统算法,这充分证明了采用卷积神经网络衍生心电图这一方法的有效性和优异性.

关键词：心电图卷积神经网络自编码器矢量心电图

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