检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2008年第3期57卷 1872-1877页

作者：谭开洲胡刚毅杨谟华徐世六张正璠刘玉奎何开全钟怡电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退... 详细信息

利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.

关键词：界面陷阱亚阈值电流 X射线辐射电离辐射 N沟VDMOS

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硅基二维光子晶体耦合器理论研究

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光学学报 2005年第9期25卷 1157-1160页

作者：林旭彬刘玉奎李宝军中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275 中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

光子晶体是一种具有光子带隙的新型人工材料,利用其具有控制和限制光子运动的特性可以制成新颖的光学器件。利用硅基二维光子晶体,提出了一种4端口耦合器。采用时域有限差分法作为研究工具,TM模作为研究对象,从理论上分析了这种器件的... 详细信息

光子晶体是一种具有光子带隙的新型人工材料,利用其具有控制和限制光子运动的特性可以制成新颖的光学器件。利用硅基二维光子晶体,提出了一种4端口耦合器。采用时域有限差分法作为研究工具,TM模作为研究对象,从理论上分析了这种器件的特性。在不同的耦合长度下研究光在输出端的功率透射率,结果表明选择适当的耦合长度可以使光在器件中呈现不同的状态。进一步研究表明,通过改变器件内部介质柱的半径,可以改变光在输出端的输出功率。从而证实了这种器件不仅具有波长选择性,而且具有潜在的可调节性,这些特性使得这种器件在全光开关的应用上具有潜在的优势。

关键词：导波与光纤光学光子晶体耦合器时域有限差分法透射率

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改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术

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上海交通大学学报 2013年第1期47卷 129-132,137页

作者：余金山梁盛铭马卓王育新张瑞涛刘涛李婷俞宙国防科学技术大学计算机学院长沙410073 中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进... 详细信息

提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时.

关键词：抖动流水线抗辐照加固设计模数转换器

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一种16位高速D/A转换器的研究

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微电子学 2004年第6期34卷 689-693,697页

作者：李荣强石建刚何开全模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

　介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,... 详细信息

　介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μmBiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。

关键词：数字/模拟混合电路 D/A转换器 BiCMOS工艺

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模拟集成电路的特点及设计平台

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微电子学 2004年第4期34卷 356-362页

作者：李儒章模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

　讨论了常规和射频模拟集成电路(IC)设计和工艺的特点,介绍了模拟集成电路设计平台,着重论述了电子设计自动化的软件工具、硬件平台,以及设计与工艺接口的设计数据库。详细介绍了模拟IC及RFIC的设计流程和工艺设计包。

关键词：模拟集成电路射频模拟集成电路电子设计自动化设计流程

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低压差电压调节器技术发展动态

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微电子学 2004年第4期34卷 411-417页

作者：赖凡模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

　介绍了电源和功率管理集成电路市场,描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势;对国内外LDO产品和技术现状进行了比较,提出了发展LDO的建议。

关键词：电压调节器 LDO CMOS PMOS DMOS

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基于比较器亚稳态抑制技术的8位320 MS/s SAR ADC

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微电子学 2019年第2期49卷 153-158,167页

作者：王文捷邱盛徐代果中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC... 详细信息

提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC能在转换与采样模式之间快速切换。与传统技术相比,随着工艺角、电源电压和温度(PVT)的变化,ADC的采样时间会被最大化。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种8位320 MS/s SAR ADC。芯片测试结果表明,在1 V电源电压下,功耗为1 mW,信号噪声失真比(SNDR)>43 dB,无杂散动态范围(SFDR)>53.3 dB。SAR ADC核的芯片面积为0.021 mm^2,在Nyquist采样率下,优值为29 fJ/step。

关键词：逐次逼近型模数转换器比较器亚稳态抑制技术转换时间复用技术

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一种超高速PIN开关驱动器的研究

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微电子学 2004年第5期34卷 551-553,557页

作者：李骏陈伟蒲大勇模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

　介绍了一种超高速PIN开关驱动器电路的设计。该电路采用高速互补工艺技术(CBIP)制造,具有速度快、功耗低、体积小、工作环境温度范围宽等特点,并且通过改变连接方式,可以很容易地实现四路独立驱动单元输出信号与输入信号同相或反相的... 详细信息

　介绍了一种超高速PIN开关驱动器电路的设计。该电路采用高速互补工艺技术(CBIP)制造,具有速度快、功耗低、体积小、工作环境温度范围宽等特点,并且通过改变连接方式,可以很容易地实现四路独立驱动单元输出信号与输入信号同相或反相的功能。该电路广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。

关键词：超高速相控阵雷达天线系统驱动器电路体积小开关 PIN 输入信号输出信号

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采用采样开关线性增强技术的12位100MS/s SAR ADC

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微电子学 2020年第5期50卷 653-658页

作者：戴永红徐代果蒲杰徐世六张建平张俊安王健安中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

提出了一种采用采样开关线性增强技术的12位100 Ms/s SAR模数转换器(ADC)。首先采用了一种基片浮动技术,随着输入信号的变化,采样开关的寄生电容变化减小,总寄生电容降低。其次采用了一种采样开关基片升压技术,降低了采样开关的导通阻... 详细信息

提出了一种采用采样开关线性增强技术的12位100 Ms/s SAR模数转换器(ADC)。首先采用了一种基片浮动技术,随着输入信号的变化,采样开关的寄生电容变化减小,总寄生电容降低。其次采用了一种采样开关基片升压技术,降低了采样开关的导通阻抗。最后,采用40 nm CMOS工艺制作了一种12位100 MS/s SAR ADC。测试结果表明,在电源电压1 V下,该ADC的SNDR为64.9 dB,SFDR为83.2 dB,消耗功率为2 mW。该ADC的核心电路尺寸为0.14μm×0.14μm。FoM值为13.8 fJ/(conv·step)@Nyquist频率。

关键词：模数转换器线性增强采样开关逐次逼近寄存器

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一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究

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微电子学 2006年第5期36卷 572-575页

作者：蒲林刘伦才李荣强刘道广张静谭开洲模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF... 详细信息

对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性。对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能。

关键词：锗硅低噪声放大器 S参数测试基座

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