检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2023年第5期53卷 938-944页

作者：陈容肖玲陆科罗驰廖希异胡彦斌张颖崔伟模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

A型号硅橡胶粘接在镀Ni管壳侧壁后存在开裂情况,包括初始加工后胶点开裂、经历单次清洗后开裂,以及经历随机振动等可靠性试验后开裂,这会导致连接失效等一系列可靠性问题。文章针对A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁引线加固时出现开裂的问题,... 详细信息

A型号硅橡胶粘接在镀Ni管壳侧壁后存在开裂情况,包括初始加工后胶点开裂、经历单次清洗后开裂,以及经历随机振动等可靠性试验后开裂,这会导致连接失效等一系列可靠性问题。文章针对A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁引线加固时出现开裂的问题,进行了引线粘接极限破坏力理论计算、不同胶点直径和粘胶间距的仿真,以及等离子清洗提升表面能等研究。研究结果表明,优化引线粘接结构并对镀Ni管壳进行等离子体清洗可以明显提升A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁粘接的可靠性。相关研究结果可以用于A型号硅橡胶实际生产。

关键词：硅橡胶镀Ni管壳表面能开裂

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种8位250 MHz采样保持电路的设计

引用

微电子学 2006年第3期36卷 326-329页

作者：周秀兰肖坤光王永禄周述涛张正璠重庆大学重庆400044 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一种采用0.35μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路。该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS。该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求。经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为Vp-p=1 V,电源电压3.3 V时... 详细信息

介绍了一种采用0.35μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路。该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS。该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求。经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为Vp-p=1 V,电源电压3.3 V时,信噪比(SNR)为55.8 dB,积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均小于8位A/D转换器的±0.2 LSB,电源电流为28 mA。样品测试结果:SNR为47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D转换器的±0.8 LSB。

关键词：采样保持电路双路双差分 A/D转换器 D/A转换器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于CQFP64封装的Ω型引线成形研究

引用

微电子学 2021年第5期51卷 751-755页

作者：易文双马敏舒付晓君中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

引线成形技术是高可靠性电子元器件适应热循环、振动等恶劣环境的有效手段。基于典型大尺寸CQFP64封装及有限元方法,文章开展了“Ω”型引线成形研究。在热循环条件下,分析成形参数对封装引线和焊料等效应力的影响规律,进而提出较优的... 详细信息

引线成形技术是高可靠性电子元器件适应热循环、振动等恶劣环境的有效手段。基于典型大尺寸CQFP64封装及有限元方法,文章开展了“Ω”型引线成形研究。在热循环条件下,分析成形参数对封装引线和焊料等效应力的影响规律,进而提出较优的成形参数组合并进行对应的焊点疲劳寿命预计。结果表明,“Ω”型引线成形对温度应力的释放能力较“Z”型引线成形更弱,但仍能满足使用要求。

关键词： CQFP64 引线成形有限元方法热循环疲劳寿命

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

降压型DC/DC开关电源中的电压前馈技术

引用

微电子学 2010年第2期40卷 274-277,282页

作者：王敬范哲冉建桥索武生胡永贵中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

介绍了一种应用于降压型DC/DC开关电源的电压前馈技术,通过调整内部三角波的中心电压,使PWM信号占空比跟随输入电源电压快速改变。该技术能有效抑制输入电源电压变化对输出电压的影响,增强输出电压的稳定性。

关键词： DC/DC变换器电压前馈开关电源 PWM

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究

引用

微电子学 2021年第6期51卷 929-932页

作者：邱盛夏世琴邓丽张培健中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构... 详细信息

在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构是影响多晶硅发射极双极器件噪声性能的主要因素。

关键词： 1/f噪声双极器件界面氧化层

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于负LDO稳压器的高精度带隙基准源

引用

微电子学 2006年第6期36卷 754-758页

作者：李红宝胡刚毅胡永贵余金峰重庆大学光电工程学院中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所

介绍了一种高精度带隙基准电路结构。采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性。应用该基准电路,设计了一个负输出低压差(LDO)线性稳压器,用高压BIPIC工艺... 详细信息

介绍了一种高精度带隙基准电路结构。采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性。应用该基准电路,设计了一个负输出低压差(LDO)线性稳压器,用高压BIPIC工艺进行流片。测试结果显示,该负LDO线性稳压器的温度系数为85 ppm/℃,线性调整率≤0.02%/V,负载调整率≤0.2%。

关键词：高精度带隙基准源曲率补偿负输出低压差线性稳压器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

宽电压A/D、D/A转换器用BiCMOS工艺技术研究

引用

微电子学 2007年第1期37卷 20-23页

作者：高峰刘玉奎刘勇重庆大学光电工程学院中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所

研究和开发了一种用于宽电压A/D、D/A转换器的BiCMOS工艺。利用相关晶体管原理和公式,计算出工艺参数,再用TSUPREM4和MEDICI软件,进行工艺和器件仿真,得出精确的工艺参数。流片后对所有器件进行了测试,结果表明,开发的工艺完全符合设计... 详细信息

研究和开发了一种用于宽电压A/D、D/A转换器的BiCMOS工艺。利用相关晶体管原理和公式,计算出工艺参数,再用TSUPREM4和MEDICI软件,进行工艺和器件仿真,得出精确的工艺参数。流片后对所有器件进行了测试,结果表明,开发的工艺完全符合设计要求。用此工艺制造的A/D、D/A转换器产品,其性能符合设计指标。

关键词： A/D转换器 D/A转换器 BiCMOS JFET LDD NMOS LDD PMOS

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于高速高精度A/D转换器的时钟稳定电路

引用

微电子学 2010年第3期40卷 309-312,316页

作者：徐鸣远沈晓峰朱璨中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

设计了一种完全满足高速高精度流水线A/D转换器的时钟稳定电路。通过在延迟环路中加入启动电路,使环路能在小于300 ns内快速锁定占空比,锁定精度为50%±1%。拥有20%-80%的占空比输入,且能很好地抑制外部时钟抖动,时钟抖动小于100 f... 详细信息

设计了一种完全满足高速高精度流水线A/D转换器的时钟稳定电路。通过在延迟环路中加入启动电路,使环路能在小于300 ns内快速锁定占空比,锁定精度为50%±1%。拥有20%-80%的占空比输入,且能很好地抑制外部时钟抖动,时钟抖动小于100 fs。电路采用0.35μm工艺制作,芯片面积为0.5 mm×0.3 mm,在3.3 V电源电压下,功耗小于78 mW。

关键词： A/D转换器电荷泵时钟稳定电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于高速14位A/D转换器的采样/保持电路

引用

微电子学 2009年第3期39卷 293-296页

作者：周述涛肖坤光王育新徐鸣远朱粲模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一种采用0.35μm CMOS工艺的开关电容结构采样/保持电路。电路采用差分单位增益结构,通过时序控制,降低了沟道注入电荷的影响;采用折叠共源共栅增益增强结构放大器,获得了要求的增益和带宽。经过电路模拟仿真,采样/保持电路在80M... 详细信息

介绍了一种采用0.35μm CMOS工艺的开关电容结构采样/保持电路。电路采用差分单位增益结构,通过时序控制,降低了沟道注入电荷的影响;采用折叠共源共栅增益增强结构放大器,获得了要求的增益和带宽。经过电路模拟仿真,采样/保持电路在80MSPS、输入信号(Vpp)为2V、电源电压3V时,最大谐波失真为-90dB。该电路应用于一款80MSPS14位流水线结构A/D转换器。测试结果显示:A/D转换器的DNL为0.8/-0.9LSB,INL为3.1/-3.7LSB,SNR为70.2dB,SFDR为89.3dB。

关键词： A/D转换器采样/保持电路开关电容电路 CMOS工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

并行分时流水线A/D转换器系统级研究

引用

微电子学 2010年第2期40卷 165-168页

作者：王友华张俊安余金山王永禄模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

基于并行分时A/D转换器的理论研究,对该类型A/D转换器进行了系统行为级设计和仿真。分析了系统中并行误差及流水线A/D转换器等误差源对整个系统性能的影响。通过计算机仿真,给出了系统模块的设计参数。通过理论分析与系统仿真,为并行分... 详细信息

基于并行分时A/D转换器的理论研究,对该类型A/D转换器进行了系统行为级设计和仿真。分析了系统中并行误差及流水线A/D转换器等误差源对整个系统性能的影响。通过计算机仿真,给出了系统模块的设计参数。通过理论分析与系统仿真,为并行分时流水线A/D转换器的设计提供了理论依据和数据参考,为该类型A/D转换器提供了设计优化方向。

关键词：并行分时流水线 A/D转换器系统建模

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：