检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：刘洋欧阳鹏王斌 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号

本实用新型提供一种芯片双面封装焊接治具，包括底座，所述底座的上方安装有多个凹槽，所述底座位于凹槽的四个角部开设有限位槽，所述底座位于凹槽底部均匀开设有多个镂空通孔，所述底座相平行的两个侧面均安装有把手，所述底座两侧对... 详细信息

标准号: CN221134665U

本实用新型提供一种芯片双面封装焊接治具，包括底座，所述底座的上方安装有多个凹槽，所述底座位于凹槽的四个角部开设有限位槽，所述底座位于凹槽底部均匀开设有多个镂空通孔，所述底座相平行的两个侧面均安装有把手，所述底座两侧对称开设有两组辅助口，两个所述辅助口为一组，所述把手位于两个辅助口之间，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：便于限制基板的位置，避免基板在焊接过程中位置发生偏移，影响焊接测试效果。

关键词：底座辅助口本实用新型基板把手底座两侧对称开设焊接测试焊接过程焊接治具均匀开设双面封装镂空通孔偏移角部两组位槽平行芯片侧面

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超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响

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物理学报 2024年第12期73卷 393-401页

作者：刘举曹一伟吕全江杨天鹏米亭亭王小文刘军林江苏大学材料科学与工程学院镇江212013 圆融光电科技股份有限公司马鞍山243000 马鞍山杰生半导体有限公司马鞍山243000

在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的... 详细信息

在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的光输出功率(LOP)、外量子效率(EQE)和电光转换效率(WPE)均呈先上升后下降的趋势,同时泄漏电流减小,可靠性提升.当周期数为7时(厚度为28 nm),DUV-LEDs裸芯的EQE和WPE均达到最大值,在7.5 mA注入电流下分别为3.5%和3.2%.能带模拟结果证明了增加SL-EBL周期数可以有效提升电子势垒高度,而几乎不改变空穴势垒高度.然而,当SL-EBL超过一定厚度时,抑制了空穴向有源区的注入,导致EQE和WPE随SL-EBL周期数变化出现拐点.研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs载流子复合机制的影响,发现增加SL-EBL周期数可以有效地降低有源区内载流子非辐射复合.

关键词：深紫外发光二极管电子阻挡层可靠性外量子效率

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一种基于人工智能的芯片数据传输系统及方法

一种基于人工智能的芯片数据传输系统及方法

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作者：刘伟付强邹毅 213017 江苏省常州市天宁区青洋北路11号

本发明公开了一种基于人工智能的芯片数据传输系统及方法，涉及数据传输技术领域，包括：获取用户设备UE的规格信息，基于UE的规格信息确定UE芯片支持的频段，令UE芯片支持的频段为目标频段，目标频段对应的信道为目标信道;生成侦听信...

标准号: CN119277555A

本发明公开了一种基于人工智能的芯片数据传输系统及方法，涉及数据传输技术领域，包括：获取用户设备UE的规格信息，基于UE的规格信息确定UE芯片支持的频段，令UE芯片支持的频段为目标频段，目标频段对应的信道为目标信道;生成侦听信号检测目标信道的通信状况;反馈目标信道的通信状况;根据确定的UE在每个信道结束数据上行的时间，确定UE数据在每个信道上的传输速度;确定每个信道需要承担的UE数据传输任务;对UE数据进行分集传输对需要进行传输的UE数据进行传输量和信道的分配，合理分配信道资源，提升信道的利用率和UE数据的传输速度;将UE数据分块后进行分集传输，提高UE数据传输的可靠性和灵活性。

关键词：

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一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结治具

一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结治具

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作者：陆玉龙贺贤汉蔡俊董明锋李炎马敬伟 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号

本实用新型提供一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结治具，在治具主体的中间位置设置有放置槽，通过放置槽一方面可以对基板或者铜板进行放置，另外一方面可以减轻整体的重量，减少其形变量，而采用双层治具主体相互堆叠的布置方式，通过该设... 详细信息

标准号: CN218380486U

本实用新型提供一种覆铜陶瓷基板双层同时烧结治具，在治具主体的中间位置设置有放置槽，通过放置槽一方面可以对基板或者铜板进行放置，另外一方面可以减轻整体的重量，减少其形变量，而采用双层治具主体相互堆叠的布置方式，通过该设计可以同时对基板或者铜板进行烧制，进而大大的提高了烧制的效率。

关键词：对基板放置槽铜板烧制覆铜陶瓷基板本实用新型布置方式双层治具治具主体烧结形变量堆叠治具

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一种硅碳负极材料及其制备方法以及一种电化学装置

一种硅碳负极材料及其制备方法以及一种电化学装置

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作者：姚倩楠张建立廖群超江宏富 221000 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

本发明涉及锂离子电池负极材料技术领域，尤其涉及一种硅碳负极材料及其制备方法以及一种电化学装置。一种硅碳负极材料，包括纳米硅浆料和有机碳，硅料与有机碳的质量比为1:0.1~1:2;纳米硅浆料采用湿法研磨制得，包括微米硅粉、分散液...

标准号: CN119725510A

本发明涉及锂离子电池负极材料技术领域，尤其涉及一种硅碳负极材料及其制备方法以及一种电化学装置。一种硅碳负极材料，包括纳米硅浆料和有机碳，硅料与有机碳的质量比为1:0.1~1:2;纳米硅浆料采用湿法研磨制得，包括微米硅粉、分散液、分散剂、抗氧化剂和含氨类调质剂，微米硅粉、分散液、分散剂、抗氧化剂和含氨类调质剂的质量比为1~4：10~20：0~1：0~1：0~1。本发明提供的纳米硅研磨配方及硅碳负极材料制备方法，通过在物理研磨的过程中添加一种含氨类调质剂，从而提升浆料中纳米硅的分散性，有利于提升研磨效率、降低纳米硅粒径，可显著节约研磨能耗降低生产成本，促进商业化。

关键词：

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一种高强度人工合成石英的制备方法

一种高强度人工合成石英的制备方法

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作者：刘雨雨曹庆龙江宏富高萌王美懿 221000 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

本发明涉及合成石英砂制备的技术领域，特别是涉及一种高强度人工合成石英的制备方法，包括以下步骤：步骤1、得到硅‑铝多组分溶胶;步骤2、将硅‑铝多组分溶胶通过离子交换柱，得到处理液;步骤3、将处理液转入反应釜中，进行搅拌;步骤4...

标准号: CN119750590A

本发明涉及合成石英砂制备的技术领域，特别是涉及一种高强度人工合成石英的制备方法，包括以下步骤：步骤1、得到硅‑铝多组分溶胶;步骤2、将硅‑铝多组分溶胶通过离子交换柱，得到处理液;步骤3、将处理液转入反应釜中，进行搅拌;步骤4、搅拌结束后，静置，得到湿凝胶;步骤5、将湿凝胶用高纯水浸泡并清洗;步骤6、将清洗后的湿凝胶进行干燥，得到干凝胶;步骤7、干凝胶使用辊式破碎机粉碎;步骤8、将干凝胶放入回转炉中进行烧结，得到石英砂;步骤9、将石英砂进行超声清洗，随后干燥;步骤10、将干燥后的石英砂进行焙烧，得到人工合成石英;选择合理的铝源以形成均匀凝胶结构，从而制备高纯度、高均匀性、高强度的合成石英砂。

关键词：

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电子级多晶硅筛分装置

电子级多晶硅筛分装置

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作者：闫家强吴鹏田新张天雨 221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

本发明提出了一种电子级多晶硅筛分装置，包括：第一传送装置，所述第一传送装置包括第一筛分板，所述第一筛分板上设置有第一筛分孔;第二传送装置，所述第二传送装置设置于所述第一筛分板运动方向的一端，所述第二传送装置包括第二筛...

标准号: CN115739580B

本发明提出了一种电子级多晶硅筛分装置，包括：第一传送装置，所述第一传送装置包括第一筛分板，所述第一筛分板上设置有第一筛分孔;第二传送装置，所述第二传送装置设置于所述第一筛分板运动方向的一端，所述第二传送装置包括第二筛分板，所述第二筛分板上设置有沿所述第二方向贯穿所述第二筛分板的第二筛分孔，所述第一筛分孔的直径小于所述第二筛分孔的直径;由此，该电子级多晶硅筛分装置在筛分电子级多晶硅的过程中可避免产生大量的碎屑和微粉，保证生产洁净，防止电子级多晶硅被污染，提高生产效率。

关键词：

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一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法

一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法

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作者：刘伟张恒运 211800 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号

本发明公开了一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法，该载板为引线框架或基板，载板内形成有用于贴装芯片的基岛，基岛内形成有至少一个镂空区，镂空区边缘形成有半蚀刻区，半蚀刻区与镂空区形成台阶状，半蚀刻区用于填充...

标准号: CN114823600B

本发明公开了一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法，该载板为引线框架或基板，载板内形成有用于贴装芯片的基岛，基岛内形成有至少一个镂空区，镂空区边缘形成有半蚀刻区，半蚀刻区与镂空区形成台阶状，半蚀刻区用于填充固化剂一以贴装芯片，基岛形成的镂空区位于芯片在基岛上的正投影内，镂空区未贴装芯片的一侧用于填充固化剂二以粘结芯片，载板的边框形成有导电焊盘，导电焊盘用于与芯片的引出端连接。本发明适用于所有封装类型，能够突破现有芯片厚度极限，通过半蚀刻区贴装超薄芯片，进一步减少封装厚度，采用背面刷胶工艺涂抹固化剂填充镂空区，可避免由于芯片超薄固化剂上翻至芯片正面造成的异常，提高芯片性能，提高良品率。

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电子级多晶硅的尾气处理方法

电子级多晶硅的尾气处理方法

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作者：吴锋徐玲锋马一雷田新蒋文武 221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

本发明公开了一种电子级多晶硅的尾气处理方法，在淋洗塔中利用淋洗液对尾气进行淋洗，淋洗液包括有机胺，得到分离气体和分离液，分离气体从淋洗塔的顶部排出，分离气体包括氢气，分离液中包括三氯氢硅、四氯化硅、有机胺和氯化胺;将...

标准号: CN116354311B

本发明公开了一种电子级多晶硅的尾气处理方法，在淋洗塔中利用淋洗液对尾气进行淋洗，淋洗液包括有机胺，得到分离气体和分离液，分离气体从淋洗塔的顶部排出，分离气体包括氢气，分离液中包括三氯氢硅、四氯化硅、有机胺和氯化胺;将分离液由淋洗塔输入反应器中，使得分离液与通入反应器的高沸物反应，得到待精馏液，待精馏液包括有机胺、三氯氢硅和四氯化硅，高沸物包括Si2Cl6和Si3Cl8中的至少之一;在精馏塔中对待精馏液进行精馏处理，得到精馏气体和精馏后混合液，精馏气体包括三氯氢硅和四氯化硅，精馏后混合液包括有机胺。该方法生产效率高，成本低，可有效去除电子级多晶硅尾气中的杂质。

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一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法

一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法

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作者：承士彬夏美保 211800 江苏省无锡市浦口区浦口经济开发区林春路8号

本发明公开了一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法，包括：在完成凸块制造的晶圆上进行溅射一层钛，形成钛屏蔽层，钛屏蔽层形成于凸块和再钝化层的表面;然后，测量凸块上钛屏蔽层的顶部最高信号得到顶部信号高度，测量对应该...

标准号: CN115863199B

本发明公开了一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法，包括：在完成凸块制造的晶圆上进行溅射一层钛，形成钛屏蔽层，钛屏蔽层形成于凸块和再钝化层的表面;然后，测量凸块上钛屏蔽层的顶部最高信号得到顶部信号高度，测量对应该凸块旁再钝化层上钛屏蔽层的信号高度得到底部信号高度，底部信号高度减去顶部信号高度直接得到该凸点高度;最后，将钛屏蔽层去除。本发明提供的测量方法，通过在完成凸块制造的晶圆上溅射钛屏蔽层，钛屏蔽层覆盖在再钝化层表面、以及凸块的顶部，使光源无法穿透钛屏蔽层，准确抓取基准面，测量出最高信号高度和底部信号高度，通过该方法得到的高度为凸块真实的高度，以便正确评估工艺能力以及判断产品质量。

关键词：

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