检索结果-内蒙古大学图书馆

化工学报 2017年第S1期68卷 276-281页

作者：刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶周闯杰郭建超冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051

利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保... 详细信息

利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。5.08cm蓝宝石衬底上石墨烯材料,室温下非接触Hall测试迁移超过1000cm2·V^(-1)·s^(-1),方块电阻不均匀性为2.6%。相对于Si衬底和蓝宝石衬底,SiC衬底上生长石墨烯材料的表面形态学更好,缺陷更低,晶体质量和电学特性更好,迁移率最高为4900cm2·V^(-1)·s^(-1)。

关键词：石墨烯绝缘衬底化学气相沉积表面形态学电学特性

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基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器研究进展

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中国科技成果 2019年第12期20卷 23-25,28页

作者：张雅鑫梁士雄赵运成冯志红电子科技大学/电子科学与工程学院四川成都610054 中国电子科技集团公司第十三研究所/国家级专用集成电路重点实验室河北石家庄050051

本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景。介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器的最新研究成果,利用太赫兹波对超材料独特的响应特性,设计出多种具有不同响应模式的人工微结... 详细信息

本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景。介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器的最新研究成果,利用太赫兹波对超材料独特的响应特性,设计出多种具有不同响应模式的人工微结构阵列,分别嵌套高电子迁移率晶体管(HEMT)和相变材料二氧化钒,制备出了基于不同外加激励下的太赫兹空间幅度调制器和相位调制器。其中,太赫兹空间幅度调制器的调制速率可到1Gbps,调制深度可达85%,相位调制器在30GHz以上的带宽内相移量可达130°。上述太赫兹器件的调制性能均处于国际领先水平,极大地提高了透射式太赫兹准光调制器的调制能力。该类器件在太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有极大的发展空间。

关键词：太赫兹空间调制器人工微结构阵列 HEMT 二氧化饥

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0.1THz鳍线单平衡式基波混频电路研究

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红外与激光工程 2017年第4期46卷 122-126页

作者：杨大宝王俊龙张立森邢东梁士雄赵向阳冯志红专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

研究了一种基于石英基片的0.1THz频段的鳍线单平衡混频电路,混频电路的射频和本振信号分别从WR10标准波导端口通过波导单面鳍线微带过渡和波导微带探针过渡输入,中频信号通过本振中频双工器输出。这是一种新型的混频电路形式,与传统的W... 详细信息

研究了一种基于石英基片的0.1THz频段的鳍线单平衡混频电路,混频电路的射频和本振信号分别从WR10标准波导端口通过波导单面鳍线微带过渡和波导微带探针过渡输入,中频信号通过本振中频双工器输出。这是一种新型的混频电路形式,与传统的W波段混频器相比,混频电路可以省略一个复杂的W波段滤波器,具有电路设计简单、安装方便的特点。该电路使用两只肖特基二极管通过倒装焊工艺粘结在厚度为75μm的石英基片上,石英基片相对传统基板,可以极大提高电路加工精度。在固定50MHz中频信号时,射频90~110GHz范围内,0.1THz混频器单边带变频损耗小于9dB。

关键词： 0.1THz 单平衡混频电路石英基片

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基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）

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红外与毫米波学报 2016年第6期35卷 641-645页

作者：吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051

基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准... 详细信息

基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的f_T和f_(max)分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值.

关键词： InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax)

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基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）

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红外与毫米波学报 2016年第5期35卷 534-537,568页

作者：吕元杰冯志红宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051

基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工... 详细信息

基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值,器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明,器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.

关键词： AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管电流增益截止频率最大振荡频率再生长欧姆接触

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最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文)

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红外与激光工程 2016年第7期45卷 161-165页

作者：张立森邢东徐鹏梁士雄王俊龙王元刚杨大宝冯志红河北半导体所专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051

由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制... 详细信息

由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制出70 nm栅长的InP基赝配高电子迁移率晶体管,器件采用双指,总栅宽为30μm,源漏间距为2μm。为降低器件的寄生电容,设计T型栅的栅根高度达到210 nm。器件的最大漏端电流为1 440 mA/mm(V_(GS)=0.4 V),最大峰值跨导为2 230 mS/mm。截止频率fT和最大振荡频率f_(max)分别为280 GHz和640 GHz。这些性能显示该器件适于毫米波和太赫兹波应用。

关键词： InAs沟道高电子迁移率晶体管 T型栅最大振荡频率

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蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯

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物理化学学报 2016年第3期32卷 787-792页

作者：刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响... 详细信息

化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm^2?V^(-1)?s^(-1)。

关键词：石墨烯蓝宝石化学气相沉积法生长温度刻蚀机理

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太赫兹平面肖特基二极管参数模型

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红外与激光工程 2016年第12期45卷 151-156页

作者：赵向阳王俊龙邢东杨大宝张立森梁士雄冯志红专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频... 详细信息

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。

关键词：太赫兹肖特基二极管小信号等效电路模型在片测试结构

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氢终结金刚石表面P型导电沟道稳定性研究

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材料热处理学报 2016年第7期37卷 156-161页

作者：刘金龙李成明陈良贤刘青王晶晶冯志红北京科技大学新材料技术研究院北京100083 北京科技大学钢铁冶金新技术国家重点实验室北京100083 河北省半导体所专用集成电路重点实验室河北石家庄050051

原位测试了氢终结金刚石膜在氮气保护和大气气氛中加热时的表面导电特征,分析并讨论了该导电沟道的高温稳定性。结果表明,室温下氢终结金刚石表面电导率均在10^(-5)S量级。随着温度的升高,N_2气氛下的金刚石膜表面电导率呈现逐渐下降的... 详细信息

原位测试了氢终结金刚石膜在氮气保护和大气气氛中加热时的表面导电特征,分析并讨论了该导电沟道的高温稳定性。结果表明,室温下氢终结金刚石表面电导率均在10^(-5)S量级。随着温度的升高,N_2气氛下的金刚石膜表面电导率呈现逐渐下降的趋势,而大气中加热的金刚石膜表面电导率则出现了明显的台阶式降低。对于后者而言,金刚石表面在120℃发生的第二层水分子脱附和230℃下CH基团的分解,是其电导率发生阶梯式下降的主要原因。而在氮气(N_2)气氛下氢终结金刚石膜表面导电沟道表现出更高的分子水脱附温度(300℃)和氢分解温度(400℃),表明气氛保护可有效提高氢终结金刚石表面导电沟道的稳定性。

关键词：氢终结金刚石膜表面导电性稳定性

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太赫兹肖特基二极管噪声电压的理论研究

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微波学报 2015年第5期31卷 82-84 88,88页

作者：乔海东李亮默江辉郭大路吕昕毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081 河北半导体研究所国家专用集成电路重点实验室石家庄050051

在太赫兹焦平面成像等系统中,Ga As肖特基二极管作为太赫兹检测的核心器件,其噪声特性直接影响太赫兹探测系统的灵敏度。讨论了Ga As肖特基二极管在不同直流偏压下加载给负载的热噪声电压、散粒噪声电压、总噪声电压,并给出了相应的解... 详细信息

在太赫兹焦平面成像等系统中,Ga As肖特基二极管作为太赫兹检测的核心器件,其噪声特性直接影响太赫兹探测系统的灵敏度。讨论了Ga As肖特基二极管在不同直流偏压下加载给负载的热噪声电压、散粒噪声电压、总噪声电压,并给出了相应的解析解。同时,建模模拟了太赫兹混频前端,并利用谐波平衡法对理论公式进行了对比验证。对太赫兹像元与阵列芯片的噪声机理以及提高芯片的噪声性能研究,改善芯片噪声特性,从而提高太赫兹焦平面成像系统灵敏度具有重要意义和作用。

关键词：太赫兹Ga As 肖特基二极管偏置电压热噪声散粒噪声噪声电压

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