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作者

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  • 118 篇 中文
检索条件"机构=浙江大学功率器件研究所"
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一种新型的双极功率器件—BST
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固体电子学研究与进展 1995年 第2期15卷 149-156页
作者： 陈去非 陈珂 陈启秀 浙江大学功率器件研究所
针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──ＢＳＴ（ＢａｓｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）结构。分析了ＢＳＴ夹断后的两维... 详细信息
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适用于G波段超构表面行波管的多注电子枪研究
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微波学报 2025年 第1期41卷 58-62页
作者： 孙世昭 邹建军 江胜坤 陈旭媛 王战亮 宫玉彬 段兆云 电子科技大学电子科学与工程学院微波电真空器件国家级重点实验室 成都611731 昆山国力大功率器件工业技术研究院有限公司 苏州215300 中国电子科技集团公司第十二研究所 北京100015 江西理工大学电气工程与自动化学院 赣州341000
G波段超构表面行波管具有天然的双电子注通道,电子注可以在超构表面两侧传输,和超构表面的局域增强电场进行注波互作用,可提高G波段行波管的输出功率和效率。本文研究了一支适用于G波段超构表面行波管的多注电子枪,其采用八个相同的圆... 详细信息
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生产IGBT的一种工艺──三重扩散
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固体电子学研究与进展 1996年 第1期16卷 75-79页
作者： 李如春 陈去非 陈启秀 浙江大学功率器件研究所
根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。
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半导体器件纵向结构模拟工具
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压电与声光 1995年 第4期17卷 35-38页
作者： 郑海东 叶润涛 浙江大学功率器件研究所
介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法，包括版图信息提取，二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图，稍加修改即可用于对Ｓｉ压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。
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横向高压功率器件的进展
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微电子学 1998年 第3期28卷 145-151页
作者： 刘海涛 陈启秀 浙江大学功率器件研究所
由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其... 详细信息
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一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT
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Journal of Semiconductors 1999年 第12期20卷 1075-1080页
作者： 刘海涛 陈启秀 白玉明 浙江大学功率器件研究所 杭州310027
提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ 晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ 双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ 的ＭＯＳＧＣ... 详细信息
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硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
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半导体技术 1994年 第5期10卷 50-51页
作者： 陈福元 浙江大学功率器件研究所
本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。
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双极型TIL晶体管的设计与制造
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半导体技术 1993年 第4期9卷 41-44页
作者： 陈福元 浙江大学功率器件研究所 杭州310027
介绍一种新颖的双极型功率器件—TIL晶体管的结构、设计原则与制造工艺.它由常规的n-p-n-n结构与同类型厚基区器件自体内并联构成,厚、薄基区两部分晶体管互相取长补短,各自发挥最佳作用,共同支配整个器件工作.TIL结构使晶体管基区厚度... 详细信息
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大面积VDMOSFET的设计与工艺研究
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半导体技术 1992年 第2期8卷 29-32页
作者： 陈去非 陈启秀 浙江大学功率器件研究所 杭州310027
本文简述了VDMOSFET的结构设计方法和工艺制造过程,针对VDMOSFET大面积化所存在的工艺问题,对大面积无缺陷、无沾污工艺进行了研究,通过采用氯化氢干氧氧化和双层介质栅成功地解决了大面积栅穿问题,采用多层复合介质解决了绝缘介质中的... 详细信息
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宽禁带半导体功率器件
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半导体技术 1999年 第2期24卷 1-4,8页
作者： 刘海涛 陈启秀 浙江大学信电系功率器件研究所
阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
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