检索结果-内蒙古大学图书馆

中国激光 2006年第2期33卷 161-165页

作者：田劲东彭翔深圳大学光电子学研究所教育部光电子器件与系统重点实验室广东深圳518060

为了解决物体表面存在不连续或大梯度的三维数字化问题,提出了一种结合点阵编码和条纹编码两种方式的复合编码三维数字成像方法。该方法综合了点阵编码和条纹编码两种编码方式的优点,利用点阵编码三维数字成像绝对测量的特点,以点阵编... 详细信息

为了解决物体表面存在不连续或大梯度的三维数字化问题,提出了一种结合点阵编码和条纹编码两种方式的复合编码三维数字成像方法。该方法综合了点阵编码和条纹编码两种编码方式的优点,利用点阵编码三维数字成像绝对测量的特点,以点阵编码获取物体较低分辨率的三维深度像,并以此确定条纹级次,控制条纹解码的相位展开过程。建立了基于这种复合编码方法的三维数字成像理论模型,并通过实验验证了该方法可有效地克服相位模糊和误差传播问题,同时该方法的物体深度测试范围和测试对象范围均大于单一编码方式。

关键词：成像系统三维数字成像复合编码深度图像轮廓测量

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基于数字微镜装置的结构光照明层析成像(英文)

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深圳大学学报（理工版） 2008年第4期25卷 376-380页

作者：陈丹妮于斌刘夏屈军乐牛憨笨华中科技大学光电子科学与工程学院武汉430074 深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室广东省光电子器件与系统重点实验室深圳518060 深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室广东省光电子器件与系统重点实验室深圳518060

在结构光显微系统中使用可编程数字微镜装置代替压电驱动的光栅,产生稳定可靠的结构光照明.为避免数字微镜装置本身的像素化结构对成像的影响,系统中引入一个低通的空间光调制器,以滤除经过数字微镜装置后产生的高级(±2nd及以上)... 详细信息

在结构光显微系统中使用可编程数字微镜装置代替压电驱动的光栅,产生稳定可靠的结构光照明.为避免数字微镜装置本身的像素化结构对成像的影响,系统中引入一个低通的空间光调制器,以滤除经过数字微镜装置后产生的高级(±2nd及以上)衍射光.此时在样品上形成的结构光不再是单一频率的余弦光栅图案,传统结构光显微成像中通过光栅3步相移成像获得层析图像的方法不再适用.新算法通过5步相移得到5幅源图像,也可重构出层析图像.结果表明,传统荧光图像中几乎不能分辨的某些精细结构,在重构的层析图像中能够清晰地分辨出来.

关键词：结构光照明数字微镜层析成像分辨率

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Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

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发光学报 2005年第6期26卷 757-760页

作者：冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触... 详细信息

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。

关键词： p型氮化镓 Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO) 欧姆接触

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低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

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人工晶体学报 2006年第4期35卷 772-776页

作者：冯玉春刘晓峰王文欣彭冬生郭宝平深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室深圳518060

为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低... 详细信息

为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。

关键词： Si(111) GaN AIN

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稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用

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功能材料 2007年第A1期38卷 21-24页

作者：王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。

关键词：稀土氮化镓电致发光平板显示

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大面积高深宽比硅微通道板阵列制作

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光子学报 2012年第2期41卷 228-231页

作者：吕文峰周彬罗建东郭金川深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室广东深圳518060

利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结... 详细信息

利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明,相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术,光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.

关键词：微制作光辅助电化学刻蚀深宽比微通道板

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数字投影三维数字成像的并行DSP实现

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光子学报 2008年第7期37卷 1459-1463页

作者：王晓东彭翔田劲东深圳大学光电子学研究所教育部光电子器件与系统重点实验室广东深圳518060 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室天津300072

提出一种基于数字白光投影的三维数字成像嵌入式DSP处理系统.该系统根据时序变频条纹投影原理,利用TMS320DM642定点DSP和FPGA硬件电路以及多线程软件技术实现了条纹编码、编码图像采集和条纹分析的流水线处理过程.为了提高相位解调算法... 详细信息

提出一种基于数字白光投影的三维数字成像嵌入式DSP处理系统.该系统根据时序变频条纹投影原理,利用TMS320DM642定点DSP和FPGA硬件电路以及多线程软件技术实现了条纹编码、编码图像采集和条纹分析的流水线处理过程.为了提高相位解调算法的速度,使用软件流水对其进行了优化.对于512×512像素图像,五步相移时的条纹图处理速度可达到39.7fps,能满足快速条纹图处理的要求.测量实验表明,该系统可以实现快速、准确的三维轮廓测量.

关键词：三维数字成像条纹分析嵌入式系统数字信号处理流水线

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相干反斯托克斯拉曼散射显微成像技术

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中国激光 2009年第10期36卷 2477-2484页

作者：尹君林子扬屈军乐于凌尧刘星万辉牛憨笨(指导) 华中科技大学光电子科学与工程学院湖北武汉430074 深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室广东深圳518060

回顾了相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)显微成像技术的理论和技术的发展,介绍和比较了CARS显微成像技术对抽运光源的要求,以及典型的CARS显微成像系统。对CARS显微成像技术中无法避免的最重要的非共振背景噪声问题做了详细的分析,对不同... 详细信息

回顾了相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)显微成像技术的理论和技术的发展,介绍和比较了CARS显微成像技术对抽运光源的要求,以及典型的CARS显微成像系统。对CARS显微成像技术中无法避免的最重要的非共振背景噪声问题做了详细的分析,对不同的抑制非共振背景噪声的方法进行了比较和讨论,对CARS显微成像技术目前存在的问题和可能解决途径进行了简要的分析。

关键词：激光光学显微成像方法相干反斯托克斯拉曼散射非共振背景噪声超连续谱光子晶体光纤

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宽量程高时间分辨扫描变像管

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强激光与粒子束 2011年第1期23卷 79-82页

作者：廖华胡昕杨勤劳张劲松周军兰深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900

为改善大偏转角度的偏转像质,设计了一种高时间分辨、大扫描长度的扫描变像管电子光学和行波偏转系统。对变像管后加速技术进行了实验研究,结合图像外增强技术,解决了大面积扫描图像的探测灵敏度问题,达到了同时扩展扫描变像管的时间量... 详细信息

为改善大偏转角度的偏转像质,设计了一种高时间分辨、大扫描长度的扫描变像管电子光学和行波偏转系统。对变像管后加速技术进行了实验研究,结合图像外增强技术,解决了大面积扫描图像的探测灵敏度问题,达到了同时扩展扫描变像管的时间量程和提高时间分辨力的目的,研制出了宽时间量程、高时间分辨力的扫描变像管。初步实验表明,在量程为5 ns时,时间分辨力达到5 ps,也就是时间分辨力与时间量程之比达到1/1 000。

关键词：扫描变像管宽量程高时间分辨行波偏转后加速

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基于光学全息和半色调技术的二维条码

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量子电子学报 2011年第2期28卷 152-156页

作者：杨鑫杨俊贤李东田劲东深圳大学光电子学研究所教育部光电子器件与系统重点实验室广东深圳518060

描述了一种利用光学全息及半色调技术的二维条码的编解码方法。与传统的二维条码编码方法相比,该方法利用光学全息的方法对信息进行编码和解码,避免了传统二维条码复杂的编解码流程,而且可以利用全息固有的特征提高其数据存储能力和纠... 详细信息

描述了一种利用光学全息及半色调技术的二维条码的编解码方法。与传统的二维条码编码方法相比,该方法利用光学全息的方法对信息进行编码和解码,避免了传统二维条码复杂的编解码流程,而且可以利用全息固有的特征提高其数据存储能力和纠错能力。此外,在编码过程中引入半色调技术减少二维条码在打印过程中的信息丢失。根据上述原理,实现了全息二维条码的编解码,计算仿真和实验均证明了该方法的可行性。

关键词：图像与信息处理二维条码全息半色调技术

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