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文献类型

  • 4 篇 期刊文献

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  • 4 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 核科学与技术
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 1 篇 应变调制
  • 1 篇 电流密度
  • 1 篇 抗干扰
  • 1 篇 抗辐射加固
  • 1 篇 高电子迁移率晶体...
  • 1 篇 键合铝线过流能力
  • 1 篇 辐照效应
  • 1 篇 高压双向晶闸管
  • 1 篇 磷化铟
  • 1 篇 结构场仿真
  • 1 篇 杂散电感
  • 1 篇 多量子阱
  • 1 篇 超晶格
  • 1 篇 igbt
  • 1 篇 换向特性
  • 1 篇 辐射诱导缺陷
  • 1 篇 gan

机构

  • 3 篇 湖北文理学院
  • 2 篇 湖北台基半导体股...
  • 2 篇 湖北台基半导体股...
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 武汉大学

作者

  • 4 篇 颜家圣
  • 3 篇 周书星
  • 2 篇 张桥
  • 2 篇 魏彦锋
  • 2 篇 曹文彧
  • 2 篇 yan jia-sheng
  • 2 篇 zhou shu-xing
  • 1 篇 徐可
  • 1 篇 wang jingyang
  • 1 篇 张雅婷
  • 1 篇 hu xiao-dong
  • 1 篇 王维
  • 1 篇 朱丽娟
  • 1 篇 方仁凤
  • 1 篇 cao wen-yu
  • 1 篇 段彬彬
  • 1 篇 李新安
  • 1 篇 zhang ya-ting
  • 1 篇 wei yanfeng
  • 1 篇 汪竞阳

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"机构=湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室"
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排序：
磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状
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引用
核技术 2025年 第1期48卷 27-41页
作者： 方仁凤 周书星 曹文彧 魏彦锋 汪竞阳 李树森 颜家圣 梁桂杰 湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室 襄阳441053 湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室 襄阳441021
磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降... 详细信息
来源： 评论
超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
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引用
物理学报 2024年 第7期73卷 292-299页
作者： 曹文彧 张雅婷 魏彦锋 朱丽娟 徐可 颜家圣 周书星 胡晓东 湖北文理学院物理与电子工程学院 低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 湖北台基半导体股份有限公司 大功率半导体技术湖北省重点实验室襄阳441021 武汉大学 电子制造与封装集成湖北省重点实验室武汉430072 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871
在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InG... 详细信息
来源： 评论
高压双向晶闸管及换向特性研究
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引用
电力电子技术 2023年 第10期57卷 137-140页
作者： 张桥 肖彦 颜家圣 周书星 湖北台基半导体股份有限公司 大功率半导体技术湖北省重点实验室湖北襄阳441021 湖北文理学院 低维光电材料与器件湖北省重点实验室湖北七襄阳441053
高压软启动、电气驱动和静态无功功率补偿等高压装置应用中,常需采用多只普通晶闸管反并联结构和多组串联,为减小体积和降低重量可采用高压双向晶闸管替代普通晶闸管的反并联,但集成于同一芯片的反并联晶闸管器件换向特性受载流子的影... 详细信息
来源： 评论
多芯片IGBT并联模块耦合特性研究
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引用
电子制作 2024年 第7期32卷 116-119页
作者： 张桥 颜家圣 李新安 段彬彬 王维 朱玉德 湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室 湖北襄阳441021
本文根据模块部件的布局、DBC覆铜板、铝键合线的过流能力、杂散电感方面,结合布局结构进行边界条件仿真,在高电流密度下DBC覆铜板、键合线的电流密度、铝键合线电热场分布、形变量、拱形顶部和键合线根部等效应力,验证芯片排布的均匀... 详细信息
来源： 评论
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