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机构

  • 7 篇 哈尔滨工业大学
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  • 2 篇 中国科学院半导体...
  • 2 篇 滨工业大学
  • 1 篇 东北传感技术研究...
  • 1 篇 哈尔滨无线电七厂

作者

  • 4 篇 宋珂
  • 4 篇 张福厚
  • 3 篇 郝修田
  • 2 篇 刘振茂
  • 2 篇 刘晓为
  • 2 篇 王喜莲
  • 2 篇 邢建平
  • 2 篇 张国威
  • 2 篇 曾一平
  • 2 篇 王东红
  • 1 篇 周定
  • 1 篇 张建才
  • 1 篇 王贵华
  • 1 篇 李志伟
  • 1 篇 赵显峰
  • 1 篇 权五云
  • 1 篇 武世香
  • 1 篇 蓝慕杰
  • 1 篇 周士仁
  • 1 篇 张雪梅

语言

  • 13 篇 中文
检索条件"机构=滨工业大学微电子技术教研室"
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静电键合在高温压力传感器中的应用
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传感器技术 1999年 第1期18卷 42-44页
作者： 王蔚 刘晓为 刘玉强 王喜莲 张建才 张雪梅 哈尔滨工业大学微电子技术教研室 东北传感技术研究所 哈尔滨无线电七厂
分析了硅－玻璃静电键合界面受热循环作用，或者受反向电压作用后，在高温时，键合力的特点，实验验证了高温（４５０℃）时键合面牢固、稳定。研究结果表明高温压力传感器可以采用静电键合技术进行封装。
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可见光量子阱半导体激光器的研制
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半导体技术 1997年 第1期13卷 29-30页
作者： 宋珂 张福厚 郝修田 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室
研制出的波长为７７８ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温脉冲激射平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
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热释电体流量传感器的研究
热释电体流量传感器的研究
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第五届全国敏感元件与传感器学术会议
作者： 陈伟平 王东红 滨工业大学 微电子技术教研室
该文介绍了新型热释电流量传感器的特点、结构、性能和初步实验结果。
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具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制
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中国激光 1997年 第2期24卷 97-99页
作者： 张福厚 宋珂 邢建平 郝修田 曾一平 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室 中国科学院半导体研究所
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），波长为７７８ｎｍ，最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密... 详细信息
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分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
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光电子．激光 1997年 第3期8卷 175-177页
作者： 宋珂 张福厚 邢建平 曾一平 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室 中国科学院半导体研究所
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈... 详细信息
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碲镉汞合金组分分布的描述方法
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激光与红外 1996年 第1期26卷 57-58页
作者： 蓝慕杰 赵显峰 周士仁 哈尔滨工业大学微电子技术教研室
介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合，用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义。该法可用于其它半... 详细信息
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一个新的经济型状态化简软件
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哈尔滨工业大学学报 1996年 第2期28卷 80-83页
作者： 陈昕 喻明艳 叶以正 哈尔滨工业大学微电子技术教研室
介绍以隐含最大相容类集为基础的经济型状态化简新算法。该算法是从最大隐含相容类集得出最小闭覆盖的初始候选集，通过对初始候选集的不断调整，得到化简结果。通过与一个具有代表性的经济型算法软件的比较发现，用该算法实现的软件，... 详细信息
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HWZ-201 IC卡芯片的VHDL行为级建模
HWZ-201 IC卡芯片的VHDL行为级建模
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全国首届VHDL语言及其应用学术会议--第六届全国逻辑设计自动化学术会议
作者： 肖立伊 毛志刚 滨工业大学微电子技术教研室
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780nm可见光量子阱半导体激光器
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山东科学 1996年 第4期9卷 15-16,20页
作者： 宋珂 张福厚 郝修田 山东工业大学电子工程系微电子技术教研室
研制出的波长为７８０±２ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
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Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究
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哈尔滨工业大学学报 1994年 第4期26卷 46-49页
作者： 武世香 陈士芳 王东红 王喜莲 孙淑芳 哈尔滨工业大学微电子技术教研室
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面... 详细信息
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