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作者

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语言

  • 344 篇 中文
检索条件"机构=西安电子科技大学微电子学所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室"
344 条 记 录,以下是321-330 订阅
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n-SiC欧姆接触的研究进展
n-SiC欧姆接触的研究进展
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中国电子学会第十二届全国青年术年会
作者: 张娟 柴常春 杨银堂 贾户军 西安电子科技大学 微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安 710071
在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结构被用来制备性... 详细信息
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SiC肖特基接触研究进展
SiC肖特基接触研究进展
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中国电子学会第十二届全国青年术年会
作者: 武军 丁瑞雪 韩茹 贾护军 柴常春 杨银堂 西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室 陕西西安 710071
碳化硅(SiC)以其优异的特性正成为新材料微电子和光电子领域的研究热点。SiC材料制备技术和器件各项关键工艺的迅速发展,以及SiC二极管商品的面世,都要求器件制作的稳定性和影响器件的性能的理论研究能够适应发展的需要。主要从影响Si... 详细信息
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LDMOS全漂移区电势与电场二维分布解析模型
LDMOS全漂移区电势与电场二维分布解析模型
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第14届全国信息存储技术术会议
作者: 池雅庆 方粮 冯辉 郝跃 许晟瑞 国防科技大学计算机学院微电子研究所 长沙410073 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了... 详细信息
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闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
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物理 2005年 第12期54卷 5867-5871页
作者: 刘红侠 郑雪峰 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效... 详细信息
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Kriging插值与拉丁超立方试验相结合构造电路元模型
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系统仿真 2005年 第11期17卷 2752-2755页
作者: 游海龙 贾新章 张小波 董萍 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
电路系统的设计与优化常常需要参数与指标间简单、直接的模型,即电路的元模型。本文将Kriging插值和拉丁超立方抽样试验相结合构造了低功耗集成运算放大器的元模型。对于这种输出结果为确定值的电路仿真试验,与基于传统分要因试验设... 详细信息
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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型
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电子学 2005年 第11期33卷 2056-2058页
作者: 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 王顺祥 朱永刚 区健锋 俞智刚 马何平 王喜媛 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分... 详细信息
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基于试验设计技术的IC优化设计
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电子器件 2005年 第4期28卷 830-833页
作者: 游海龙 张小波 贾新章 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
现代集成电路(IC)的优化设计主要依靠EDA工具完成。但是针对多指标、多参数的IC设计,单纯依靠EDA工具存在效率低以及指标和参数个数限制等问题。从试验设计技术出发,以EDA仿真作为实验,建立指标与参数的统计模型,进而优化设计电路,解决... 详细信息
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An Efficient Test Data Compression Technique Based on Codes
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Journal of Semiconductors 2005年 第11期26卷 2062-2068页
作者: 方建平 郝跃 刘红侠 李康 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
This paper presents a new test data compression/decompression method for SoC testing,called hybrid run length codes. The method makes a full analysis of the factors which influence test parameters:compression ratio,t... 详细信息
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TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真
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Journal of Semiconductors 2005年 第10期26卷 1968-1974页
作者: 朱志炜 郝跃 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米GGNMOS器件的特性和失效机理进行了仿真研究.分析表明,在TLP应力下,栅串接电阻减小了保护结构漏端的峰值电压;栅漏交迭区电容的存在使得脉冲上升沿加强了栅漏交叠区的电场,栅氧化层电场随着TLP应力的上... 详细信息
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深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法
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Journal of Semiconductors 2005年 第10期26卷 2038-2043页
作者: 李康 郝跃 刘红侠 马晓华 马佩军 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于LM(Levenberg Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取策略,并对可靠性模型参数进行优化提取.分析了优化过程中由... 详细信息
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