检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2012年第24期61卷 403-409页

作者：商怀超刘红侠卓青青西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结... 详细信息

本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结果表明:界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同,主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同.

关键词：低剂量率总剂量效应 kink效应跨导

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新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究

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物理学报 2012年第17期61卷 470-475页

作者：曹磊刘红侠西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了... 详细信息

本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了晶格温度,有效抑制了自加热效应.埋氧化层中的空洞,可以进一步提供散热通道,使埋氧化层的介电常数下降,减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合,有效抑制了漏致势垒降低DIBL(drain Induced barrier lowering)效应.因此,本文提出的新型SOANN结构可以提高SOI器件的整体性能,具有优良的可靠性.

关键词：自加热效应漏致势垒降低 AlN 空洞

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偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响

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物理学报 2012年第22期61卷 167-172页

作者：卓青青刘红侠杨兆年蔡惠民郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,... 详细信息

本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,引起的漏极泄漏电流越大.对于漏偏置为5V的器件,当栅电压大于阈值电压时,前栅ID-VG特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大,体电极的电流曲线呈现倒立的钟形.

关键词：总剂量辐照效应泄漏电流栅偏置条件碰撞电离

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应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散模型

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物理学报 2012年第13期61卷 387-393页

作者：戴显英杨程宋建军张鹤鸣郝跃郑若川西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)Ge_x虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量.模型的Ma... 详细信息

基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)Ge_x虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量.模型的Matlab模拟结果显示,应变Ge/Si_(1-X)Ge_x价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小,其各向异性比弛豫Ge更加显著.本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值.

关键词：应变Ge 价带结构 k·p理论色散关系模型

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栅漏间表面外延层对4H-SiC功率MESFET击穿特性的改善机理与结构优化

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物理学报 2012年第2期61卷 411-416页

作者：宋坤柴常春杨银堂张现军陈斌西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

本文提出了一种带栅漏间表面p型外延层的新型MESFET结构并整合了能精确描述4H-SiC MESFET工作机理的数值模型,模型综合考虑了高场载流子饱和、雪崩碰撞离化以及电场调制等效应.利用所建模型分析了表面外延层对器件沟道表面电场分布的改... 详细信息

本文提出了一种带栅漏间表面p型外延层的新型MESFET结构并整合了能精确描述4H-SiC MESFET工作机理的数值模型,模型综合考虑了高场载流子饱和、雪崩碰撞离化以及电场调制等效应.利用所建模型分析了表面外延层对器件沟道表面电场分布的改善作用,并采用突变结近似法对p型外延层参数与器件输出电流(I_(ds))和击穿电压(V_B)的关系进行了研究.结果表明,通过在常规MESFET漏端处引入新的电场峰来降低栅极边缘的强电场峰并在栅漏之间的沟道表面引入p-n结内建电场进一步降低电场峰值,改善了表面电场沿电流方向的分布.通过与常规结构以及场板结构SiC MESFET的特性对比表明,本文提出的结构可以明显改善SiC MESFET的功率特性.此外,针对文中给定的器件结构,获得了优化的设计方案,选择p型外延层厚度为0.12μm,掺杂浓度为5×10_(15)cm-3,可使器件的V_B提高33%而保持I_(ds)基本不变.

关键词： SiC MESFET 微波功率器件击穿特性

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应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性

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物理学报 2012年第23期61卷 404-409页

作者：戴显英杨程宋建军张鹤鸣郝跃郑若川西安电子科技大学微电子学院宽禁带隙半导体技术国家重点实验室西安710071

在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带E(k)-k关系的基础上,研究得到了(001),(101),(111)面应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿各晶向的带边有效质量随应力增大... 详细信息

在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带E(k)-k关系的基础上,研究得到了(001),(101),(111)面应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小,且沿[010]晶向最小;子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显,并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大.最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对,验证了结果的正确性.

关键词：应变Ge/Si_1-xGe_x 空穴有效质量价带结构各向异性与各向同性

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套刻偏差对4H-SiC浮动结结势垒肖特基二极管的影响研究

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物理学报 2012年第8期61卷 488-492页

作者：汤晓燕戴小伟张玉明张义门西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

4H-SiC浮动结结势垒肖特基二极管与常规结势垒肖特基二极管相比在相同的导通电阻条件下具有更高的击穿电压.由p^+埋层形成的浮动结与主结p^+区之间的套刻对准是实现该结构的一项关键技术.二维模拟软件ISE的模拟结果表明,套刻偏差的存在... 详细信息

4H-SiC浮动结结势垒肖特基二极管与常规结势垒肖特基二极管相比在相同的导通电阻条件下具有更高的击穿电压.由p^+埋层形成的浮动结与主结p^+区之间的套刻对准是实现该结构的一项关键技术.二维模拟软件ISE的模拟结果表明,套刻偏差的存在会明显影响器件的击穿特性,随着偏差的增大击穿电压减小.尽管主结和埋层的交错结构与对准结构具有相似的击穿特性,但是当正向电压大于2 V后,交错结构的串联电阻更大.

关键词：结势垒肖特基二极管浮动结套刻偏差

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新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型

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物理学报 2012年第4期61卷 426-430页

作者：李妤晨张鹤鸣张玉明胡辉勇徐小波秦珊珊王冠宇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅层厚度的关系进行了数值分析,并用二维器件仿真工具ISE进行了... 详细信息

本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅层厚度的关系进行了数值分析,并用二维器件仿真工具ISE进行了验证.结果表明,源电压越大,阈值电压值越小;栅长所占比例越大,阈值电压值越小,硅层厚度越小,阈值电压值越小.本文提出的模型与ISE仿真结果一致,也与文献报道符合.这种新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型的建立为该高性能器件及对应电路的设计、仿真和制造提供了重要的参考.

关键词： IMOS 亚阈值摆幅雪崩击穿阈值电压

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非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

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物理学报 2012年第7期61卷 536-543页

作者：李聪庄奕琪韩茹张丽包军林西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西北工业大学航空微电子中心西安710072

为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制... 详细信息

为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应,并具有较小的关态电流.此外,分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响,而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大.解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.

关键词：非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET 解析模型

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型

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物理学报 2012年第4期61卷 414-418页

作者：马骥刚马晓华张会龙曹梦逸张凯李文雯郭星廖雪阳陈伟伟郝跃西安电子科技大学技术物理学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电... 详细信息

初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 kink效应模型

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