检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2012年第1期61卷 416-421页

作者：曹磊刘红侠王冠宇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上,提出了一种新型的异质栅MOSFEET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属... 详细信息

为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上,提出了一种新型的异质栅MOSFEET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属长度、功函数以及双轴应变对其的影响.通过仿真软件ISE TCAD进行模拟仿真,模型计算与数值模拟的结果基本符合.研究表明:与传统器件相比,本文提出的异质栅应变硅新器件结构的载流子输运效率进一步提高,可以很好地抑制小尺寸器件的短沟道效应、漏极感应势垒降低效应和热载流子效应,使器件性能得到了很大的提升.

关键词：应变硅异质栅阈值电压解析模型

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单轴应力锗能带结构研究

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中国科学：物理学、力学、天文学 2012年第1期42卷 15-21页

作者：马建立张鹤鸣宋建军魏群王晓艳王冠宇徐小波西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

用形变势理论讨论了单轴和及张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗... 详细信息

用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.

关键词：单轴应力锗能带结构 k·p微扰法

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一种CMOS卫星导航接收机多模低噪声放大器设计

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电路与系统学报 2012年第5期17卷 42-47页

作者：李兵庄奕琪龙强西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

本文介绍了一种用于卫星导航接收机中的多模低噪声放大器模块的设计。采用主流CMOS工艺,对源极负反馈的共源共栅放大器的放大管栅源两极间增加可调电容、调整偏置电压、共用片外匹配以及调整输出电感的方法,实现多个频点的噪声和功率匹... 详细信息

本文介绍了一种用于卫星导航接收机中的多模低噪声放大器模块的设计。采用主流CMOS工艺,对源极负反馈的共源共栅放大器的放大管栅源两极间增加可调电容、调整偏置电压、共用片外匹配以及调整输出电感的方法,实现多个频点的噪声和功率匹配。采用TSMC 0.18μm 1P4M射频CMOS工艺进行流片验证,在1.207GHz到1.575GHz频段多个频点处的可获得17.3dB到18.5dB增益,在1.8V工作电压下,噪声系数均小于1.8dB,工作电流均小于3.6mA,完全满足接收机的应用。

关键词：低噪声放大器射频前端卫星导航 GPS CMOS

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Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

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中国科学：信息科学 2012年第12期42卷 1577-1587页

作者：郝跃薛军帅张进成西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新... 详细信息

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新材料、新工艺以及新器件被不断提出,其中基于InAlN材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代GaN基HEMT材料.本文结合在III族化合物半导体材料和器件领域的相关工作,对InAlN基异质结半导体材料生长进展做简要综述.在分析InAlN基异质结外延生长的基础上,对我们提出的脉冲式(表面反应增强)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)外延InAlN/GaN异质结技术优势和外延材料结果进行了讨论.

关键词：化合物半导体高电子迁移率晶体管 InAlN GaN异质结晶格匹配无应变脉冲式金属有机物化学气相淀积

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新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析

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中国科学：信息科学 2012年第6期42卷 770-777页

作者：段宝兴杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构通过在极化的Al... 详细信息

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷,辅助耗尽二维电子气,有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场,并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低.利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的"虚栅"效应,通过电场和击穿特性分析获得,新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550V.

关键词： AlGaN/GaN HEMTs 击穿电压电场 RESURF 二维电子气

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高k栅栈MOSFET共振隧穿模型

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中国科学：物理学、力学、天文学 2012年第10期42卷 1040-1047页

作者：刘宇安庄奕琪杜磊李聪陈华曲成立西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学技术物理学院西安710071

针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,... 详细信息

针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,利用横向共振法到共振本征态,采用量子力转移矩阵法求共振隧穿系数,模拟到栅隧穿电流密度与文献中实验结果一致.讨论了高k栅几种介质材料和栅电极材料及其界面层(IL)厚度、高k层(HK)厚度对共振隧穿系数影响.结果表明,随着HfO2和Al2O3厚度减小,栅栈结构共振隧穿系数减小,共振峰减少.随着La2O3厚度减小,共振峰减少,共振隧穿系数却增大.随着SiO2厚度增大,HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈结构共振隧穿系数都减小,共振峰都减少.TiN栅电极HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈比相应多晶硅栅电极栅栈结构共振隧穿系数小很多,共振峰少.

关键词：高k堆栈栅 MOSFET 共振隧穿

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一种3．1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计

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微波学报 2012年第1期28卷 49-52,61页

作者：张滨杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使... 详细信息

设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1GHz～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于2.5dB,增益为20.5dB,整个电路功耗为8mW。

关键词：低噪声放大器超宽带增益噪声系数共源共栅

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SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计

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微波学报 2012年第4期28卷 76-80页

作者：张滨杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益... 详细信息

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。

关键词：锗硅异质结晶体管低噪声放大器增益噪声系数

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新型Si_3N_4层部分固定正电荷AlGaN/GaNHEMTs器件耐压分析

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物理学报 2012年第24期61卷 464-469页

作者：段宝兴杨银堂 Kevin J.Chen 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 Department of Electronic and Computer Engineering Hong Kong University of Science and TechnologyClear Water BayHong KongChina

为了优化传统AlGaN/GaN high electron mobility transistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种Si3N4钝化层部分固定正电荷AlGaN/GaN high electron m... 详细信息

为了优化传统AlGaN/GaN high electron mobility transistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种Si3N4钝化层部分固定正电荷AlGaN/GaN high electron mobility transistors新结构.Si3N4钝化层中部分固定正电荷通过电场调制效应使表面电场分布中产生新的电场峰而趋于均匀.新电场峰使得新结构栅边缘和漏端高电场有效降低,器件击穿电压从传统结构的296V提高到新结构的650V,而且可靠性改善.通过Si3N4与AlGaN界面横、纵向电场分布,说明了产生表面电场峰的电场调制效应,为设计Si3N4层部分固定正电荷新结构提供了科学依据.Si3N4钝化层部分固定正电荷的补偿作用,使沟道二维电子气浓度增加,导通电阻减小,输出电流提高.

关键词： AlGaN GaN high electron mobility transistors 固定电荷电场调制

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反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

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物理学报 2012年第23期61卷 446-451页

作者：宋久旭杨银堂郭立新王平张志勇西安电子科技大学理学院西安710071 西安石油大学电子工程学院西安710065 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071 西北大学信息科学与技术学院西安710127

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷(5,5)单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.纳米管进行结构优化的结果显示,C_(Si)缺陷在纳米管表面形成了凹陷,Si_C缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成... 详细信息

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷(5,5)单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.纳米管进行结构优化的结果显示,C_(Si)缺陷在纳米管表面形成了凹陷,Si_C缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使纳米管表现出n型导电的特点,由价带顶到缺陷能级的跃迁,在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰.

关键词：碳化硅纳米管反位缺陷电子结构光学性质

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