检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2011年第9期60卷 752-758页

作者：屈江涛张鹤鸣秦珊珊徐小波王晓艳胡辉勇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅... 详细信息

本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响.运用二维器件模拟器对器件表面势和I-V特性进行了仿真,所得结果与模型仿真结果一致,从而证明了模型的正确性.

关键词：多晶SiGe栅高斯定理阈值电压速度过冲

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多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型

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物理学报 2011年第5期60卷 789-795页

作者：屈江涛张鹤鸣王冠宇王晓艳胡辉勇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟道开启电压模型.应用MATLAB对该器件模型进行了数值分析,讨论... 详细信息

本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟道开启电压模型.应用MATLAB对该器件模型进行了数值分析,讨论了多晶Si1-yGey栅Ge组分、Si1-xGex量子阱沟道Ge组分、栅氧化层厚度、Si帽层厚度、沟道区掺杂浓度和衬底掺杂浓度对量子阱沟道阈值电压和表面寄生沟道开启电压的影响,获得了抑制表面寄生沟道开启的途径.模型所得结果与文献报道结果及ISE仿真结果一致.

关键词：多晶SiGe栅寄生沟道量子阱沟道阈值电压

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含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模型

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物理学报 2011年第1期60卷 604-610页

作者：胡辉勇舒钰张鹤鸣宋建军宣荣喜秦珊珊屈江涛西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGeHBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGeHBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽... 详细信息

本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGeHBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGeHBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽度和延迟时间的影响,随着基区掺杂浓度和集电结反偏电压的提高,集电结耗尽层延迟时间也随之增大,而随着集电区掺杂浓度的提高和基区Ge组分增加,集电结耗尽层延迟时间随之减小.

关键词： SiGeHBT 集电结耗尽层延迟时间

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晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究

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物理学报 2011年第11期60卷 597-602页

作者：王平亚张金风薛军帅周勇波张进成郝跃宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射... 详细信息

文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射、极性光学声子散射、位错散射、合金无序散射和界面粗糙度散射,理论分析了温度对迁移率的影响,发现室温下两种材料中2DEG支配性的散射机理都是极性光学波散射和界面粗糙度散射;AlN插入层对InAlN/GaN材料迁移率的改善作用一方面是免除2DEG的合金无序散射,另外还显著改善异质界面,抑制了界面粗糙度散射.考虑到2DEG密度也是影响其迁移率的重要因素,结合实验数据给出了晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料的2DEG迁移率随电子密度变化的理论上限.

关键词： InAlN/GaN 二维电子气迁移率

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SOI部分耗尽SiGeHBT集电结空间电荷区模型

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物理学报 2011年第7期60卷 799-807页

作者：徐小波张鹤鸣胡辉勇许立军马建立西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用'折叠'集电极,已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容.本文结合SOI薄膜上的纵向SiGeHBT结构模型,提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的'部分耗尽(partially depleted)晶体管'集电区简... 详细信息

SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用'折叠'集电极,已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容.本文结合SOI薄膜上的纵向SiGeHBT结构模型,提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的'部分耗尽(partially depleted)晶体管'集电区简化电路模型.基于器件物理及实际考虑,系统建立了外延集电层电场、电势、耗尽宽度模型,并根据该模型对不同器件结构参数进行分析.结果表明,空间电荷区表现为本征集电结耗尽与MOS电容耗尽,空间电荷区宽度随集电结掺杂浓度减小而增大,随集电结反偏电压提高而增大,随衬底电压减小而增大,直到集电区纵向全部耗尽,然后开始横向扩展.该模型为新一代基于SOI的SiGe毫米波BiCMOS电路设计和仿真提供了重要参考.

关键词： SOI SiGe HBT 集电区空间电荷区模型

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4H-SiC中基面位错发光特性研究

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物理学报 2011年第3期60卷 745-748页

作者：苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530nm附近和480nm附近.从测试结果中还发现BM... 详细信息

本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530nm附近和480nm附近.从测试结果中还发现BMD的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯矢量方向只受到拉应力,致使禁带宽度变窄,而BMD同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量,正是刃型位错中部分原子受到压应力的作用,导致禁带宽度增宽,从而使得BMD的发光波长比BTSD短.

关键词： 4H-SiC 基面位错发光特性禁带宽度

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不同晶系应变Si状态密度研究

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物理学报 2011年第4期60卷 576-579页

作者：宋建军张鹤鸣戴显英宣荣喜胡辉勇王冠宇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

应变Si技术是当前微电子领域研究发展重点,态密度是其材料的重要物理参量.本文基于应力相关KP理论,建立了(001),(101)和(111)晶面施加双轴应力形成的四方、单斜及三角晶系应变Si导带、价带态密度模型.结果表明,除单斜和三角晶系导带底... 详细信息

应变Si技术是当前微电子领域研究发展重点,态密度是其材料的重要物理参量.本文基于应力相关KP理论,建立了(001),(101)和(111)晶面施加双轴应力形成的四方、单斜及三角晶系应变Si导带、价带态密度模型.结果表明,除单斜和三角晶系导带底态密度外,应力对其余各态密度均有显著影响.本文所得模型数据量化,可为应变Si材料物理的理解及其他物理参数模型的建立奠定重要理论基础.

关键词：应变Si KP 态密度

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(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

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物理学报 2011年第2期60卷 552-557页

作者：马建立张鹤鸣宋建军王冠宇王晓艳西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)... 详细信息

首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.

关键词：单轴应变硅 K·P法能带结构

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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

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物理学报 2011年第5期60卷 784-788页

作者：秦珊珊张鹤鸣胡辉勇屈江涛王冠宇肖庆舒钰西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建... 详细信息

本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si全耗SOIMOSFET物理参数设计提供了重要参考.

关键词：应变硅 FD-SOI MOSFET 表面势亚阈电流

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锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

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物理学报 2011年第6期60卷 440-446页

作者：戴显英金国强董洁琼王船宝赵娴楚亚萍奚鹏程邓文洪张鹤鸣郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传... 详细信息

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.

关键词： SiGe/Si异质结材料化学气相淀积生长动力学模型 Grove理论 Fick第一定律

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