检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：王新鹏黄怡孟晓莹沈满华 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明公开了一种刻蚀栅极的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层、接触氧化层、底部抗反射层和光阻胶；曝光显影图案化所述光阻胶，定义栅极的位置；以图案化的光阻胶为掩膜，采用溴化氢HBr和氯气Cl2相结合干... 详细信息

标准号: CN102194678A

本发明公开了一种刻蚀栅极的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层、接触氧化层、底部抗反射层和光阻胶；曝光显影图案化所述光阻胶，定义栅极的位置；以图案化的光阻胶为掩膜，采用溴化氢HBr和氯气Cl₂相结合干法刻蚀所述底部抗反射层；以刻蚀后的光阻胶和底部抗反射层为掩膜，依次刻蚀接触氧化层和多晶硅层，形成栅极。采用本发明的方法能够得到高质量的栅极。

关键词：光阻底部抗反射层多晶硅氧化层刻蚀掩膜半导体衬底氯气定义栅极干法刻蚀刻蚀栅极显影图案栅氧化层图案化相结合溴化氢接触曝光

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刻蚀栅极的方法

刻蚀栅极的方法

作者：王新鹏黄怡孟晓莹沈满华 201203 上海市浦东新区张江路18号

标准号: CN102194678B

关键词：光阻底部抗反射层多晶硅氧化层刻蚀掩膜半导体衬底氯气定义栅极干法刻蚀刻蚀栅极显影图案栅氧化层图案化相结合溴化氢接触曝光

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作者：张静许宗能牛龙 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

本发明提供一种栅极结构的制作方法。该制作方法包括：提供基底，基底上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域；在基底的上表面形成栅极材料层... 详细信息

标准号: CN115332061B

本发明提供一种栅极结构的制作方法。该制作方法包括：提供基底，基底上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域；在基底的上表面形成栅极材料层和硬掩模层；刻蚀去除第二区域上的硬掩模层形成凹槽，在凹槽的内表面形成聚合物层；刻蚀去除第三区域上的硬掩模层，且在该刻蚀过程中，聚合物层作为牺牲层，且第三区域上的栅极材料层的上表面露出时，露出凹槽底面的栅极材料层的上表面；以第一区域上保留的硬掩模层为掩模，刻蚀栅极材料层以形成栅极。如此，栅极的制造成本较低，且避免了有机底层结构层的刻蚀工艺窗口较窄的问题。

关键词：第一区域硬掩模层栅极材料层上表面第二区域聚合物层基底刻蚀去除基底上表面刻蚀工艺刻蚀过程刻蚀栅极有机底层栅极结构制造成本材料层结构层内表面牺牲层伸长掩模源区制作保留

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作者：朱梦媚尹记红许宗能 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

标准号: CN115332060B

本发明提供一种栅极结构的制作方法。该制作方法包括：提供基底，基底上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域；在基底的上表面形成栅极材料层和ONO层，ONO层包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；刻蚀去除第二区域上的第二氧化物层和氮化物层，且至少保留第二区域上部分厚度的第一氧化物层；刻蚀去除第三区域上的ONO层，且在该刻蚀过程中，第二区域上的第一氧化物层作为牺牲层；至少以第一区域上保留的氮化物层为掩模，刻蚀栅极材料层以形成栅极。如此，栅极的制造成本较低，且避免了有机底层结构层的刻蚀工艺窗口较窄的问题。

关键词：氧化物层第二区域第一区域氮化物层基底刻蚀去除基底上表面栅极材料层刻蚀工艺刻蚀过程刻蚀栅极有机底层栅极结构制造成本材料层结构层上表面牺牲层伸长保留掩模源区制作

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作者：朱梦媚尹记红许宗能 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

标准号: CN115332060A

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一种金属栅极的形成方法及半导体器件

一种金属栅极的形成方法及半导体器件

作者：纪世良张海洋 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号

本发明公开了一种金属栅极的形成方法，包括在栅极层上形成栅极沟槽；在栅极沟槽的内侧壁上沉积第一栅极氧化层；在第一栅极氧化层之间沉积介质层；移除第一栅极氧化层，并在介质层周侧沉积金属材料层。相比于现有技术中先沉积氧化层再... 详细信息

标准号: CN111834208B

本发明公开了一种金属栅极的形成方法，包括在栅极层上形成栅极沟槽；在栅极沟槽的内侧壁上沉积第一栅极氧化层；在第一栅极氧化层之间沉积介质层；移除第一栅极氧化层，并在介质层周侧沉积金属材料层。相比于现有技术中先沉积氧化层再刻蚀栅极层的方法，本方法通过沉积第一栅极氧化层对介质层的轮廓进行了限制，避免介质层出现不规则的轮廓的问题；进一步地，先刻蚀栅极层形成栅极沟槽，再沉积第一栅极氧化层，可以有效地防止栅极沟槽中在沉积介质层之前会有非晶硅残留的问题；用沉积第一栅极氧化层的方法收缩关键尺寸，使得半导体器件的关键尺寸更容易控制，提高了半导体器件的质量。本发明还公开了一种由该方法形成的性能更好的半导体器件。

关键词：栅极氧化层沉积介质层栅极沟槽半导体器件刻蚀栅极沉积金属材料金属栅极不规则非晶硅内侧壁氧化层有效地再沉积栅极层移除收缩残留

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改善反向栅极漏电的方法

改善反向栅极漏电的方法

作者：王艺晨钱佳成孙文镇王雪纯马栋 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本发明提供一种改善反向栅极漏电的方法，形成开口图形，形成覆盖开口图形的栅极多晶硅；研磨栅极多晶硅，使得为目标厚度的栅极多晶硅保留在开口图形上方；刻蚀栅极多晶硅，使得栅极多晶硅靠近开口图形顶端处；形成覆盖开口图形的层间... 详细信息

标准号: CN117253782A

本发明提供一种改善反向栅极漏电的方法，形成开口图形，形成覆盖开口图形的栅极多晶硅；研磨栅极多晶硅，使得为目标厚度的栅极多晶硅保留在开口图形上方；刻蚀栅极多晶硅，使得栅极多晶硅靠近开口图形顶端处；形成覆盖开口图形的层间介质层，之后在层间介质层上形成用于引出栅极多晶硅的接触孔。本发明通过减少栅极多晶硅的研磨量并利用刻蚀改善栅极多晶硅的形貌，能够改善沟槽MOS反向栅极漏电。

关键词：栅极多晶硅开口图形层间介质层漏电形貌刻蚀栅极沟槽MOS 研磨顶端处多晶硅接触孔研磨量刻蚀覆盖保留

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半导体器件及其栅极制造方法、电子设备

半导体器件及其栅极制造方法、电子设备

作者：卫路兵 230000 安徽省合肥市新站区东方大道1888号合肥综合保税区内

本发明涉及半导体器件技术领域，为解决目前半导体器件栅极尺寸难以进一步缩小及栅极金属易坍塌的技术问题，提出一种半导体器件及其栅极制造方法、电子设备，所述方法包括：在外延片上制作出栅极凹槽并沉积钝化层后，在钝化层之上沉积... 详细信息

标准号: CN117637456A

本发明涉及半导体器件技术领域，为解决目前半导体器件栅极尺寸难以进一步缩小及栅极金属易坍塌的技术问题，提出一种半导体器件及其栅极制造方法、电子设备，所述方法包括：在外延片上制作出栅极凹槽并沉积钝化层后，在钝化层之上沉积第一保护层；刻蚀栅极凹槽内、外水平的第一保护层，并保留栅极凹槽两侧壁处竖直的第一保护层，其中，所保留的栅极凹槽第一侧壁处竖直的第一保护层作为支撑墙；以第一侧壁为第一边界、以栅极凹槽内与第一侧壁相距预设水平距离处为第二边界，进行栅极底部结构的图形化，其中，预设水平距离大于支撑墙的厚度；在完成栅极整体结构的图形化，并刻蚀栅极位置处的钝化层和外延片后，沉积栅极金属，形成栅极。

关键词：第一保护层栅极凹槽第一侧壁半导体器件刻蚀栅极水平距离钝化层图形化外延片支撑墙竖直预设半导体器件技术沉积栅极金属沉积钝化层底部结构电子设备栅极金属两侧壁位置处保留沉积坍塌相距制造

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半导体器件及其栅极制造方法、电子设备

半导体器件及其栅极制造方法、电子设备

作者：卫路兵 230000 安徽省合肥市新站区东方大道1888号合肥综合保税区内

标准号: CN117637456B

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作者：操梦雅许宗能牛龙朱梦媚尹记红 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

本发明提供一种栅极结构的制作方法。所述制作方法包括：提供基底，基底的上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域，第二区域的部分与第一区域... 详细信息

标准号: CN115332062A

本发明提供一种栅极结构的制作方法。所述制作方法包括：提供基底，基底的上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域，第二区域的部分与第一区域重叠且其余部分与第三区域重叠；在基底的上表面依次形成栅极材料层和硬掩模层；刻蚀去除第二区域上的硬掩模层，使得硬掩模层中具有第一开口；在第一开口的侧壁形成侧墙；刻蚀去除第三区域上的硬掩模层和侧墙；以第一区域上保留的硬掩模层和侧墙为掩模，刻蚀栅极材料层形成栅极。如此制作栅极，制造成本较低，且刻蚀第二区域上的硬掩模层和形成侧墙的工艺窗口相对较大。

关键词：硬掩模层第一区域第二区域侧墙基底刻蚀上表面去除开口制作栅极材料层工艺窗口刻蚀栅极区域重叠栅极结构制造成本材料层伸长侧壁掩模源区保留