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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

85 篇 专利

馆藏范围

85 篇 电子文献
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日期分布

机构

24 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 长鑫存储技术有限...
8 篇 长江存储科技有限...
5 篇 武汉新芯集成电路...
3 篇 华虹半导体有限公...
3 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 世界先进积体电路...
2 篇 上海华力微电子有...
2 篇 睿力集成电路有限...
2 篇 中国科学院微电子...
2 篇 合肥晶合集成电路...
2 篇 南京航空航天大学
2 篇 英特尔公司
2 篇 晶能光电有限公司
2 篇 上海华力集成电路...
2 篇 英特尔半导体有限...
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 长江先进存储产业...
1 篇 芯盟科技有限公司

作者

4 篇 汪严莉
4 篇 郑文凯
4 篇 陈金星
4 篇 陈广甸
3 篇 韩秋华
2 篇 孔云龙
2 篇 林静
2 篇 胡友存
2 篇 王潇
2 篇 郑晓芬
2 篇 黄胜男
2 篇 张翼英
2 篇 王冬江
2 篇 陈彩云
2 篇 马宏
2 篇 郭炜
2 篇 张海洋
2 篇 彭翔
2 篇 房凯
2 篇 周俊

语言

85 篇 中文

检索条件"主题词=半导体结构表面"

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详细简洁

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半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法

半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本发明提供一半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底上形成第一氧化硅层；以及通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；其中，所述射频功率为800～... 详细信息

标准号: CN110942974A

本发明提供一半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底上形成第一氧化硅层；以及通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；其中，所述射频功率为800～1500W，所述流量比是氧气与硅化物的流量比，所述流量比为(3～5):1。本发明一实施方式，通过调整沉积工艺的射频功率和流量比，使所述半导体结构表面具有较低含量的‑H和‑OH，进而形成疏水性表面，所述疏水性表面可以改善所述半导体结构与光阻之间的粘附性。

关键词：流量比半导体结构射频功率疏水性表面氧化硅层沉积半导体结构表面二氧化硅层氧化硅膜硅化物粘附性光阻基底晶圆氧气

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半导体器件的制作方法

半导体器件的制作方法

引用

作者：令海阳 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种半导体器件的的制作方法，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底上的有源区和浅沟槽隔离结构；在所述半导体结构表面依次形成氮化硅层和介质隔离层；研磨所述介质隔离层；依次刻蚀浅沟槽隔... 详细信息

标准号: CN110137133A

本发明提供了一种半导体器件的的制作方法，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底上的有源区和浅沟槽隔离结构；在所述半导体结构表面依次形成氮化硅层和介质隔离层；研磨所述介质隔离层；依次刻蚀浅沟槽隔离结构上的所述介质隔离层和所述氮化硅层直到所述半导体结构的表面形成接触孔。在本发明提供的半导体器件的制作方法中，减少了在掩膜层上单独打孔这一步骤，因此，可以减少一层光罩，从而减少了材料和工时，同时，本发明形成的接触孔仍然可以减少掩膜层对半导体结构表面的应力。

关键词：半导体结构介质隔离层半导体结构表面浅沟槽隔离结构半导体器件氮化硅层接触孔掩膜层衬底表面形成研磨打孔光罩刻蚀源区制作

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一种提高SONOS有源区边角圆度的方法

一种提高SONOS有源区边角圆度的方法

引用

作者：董立群张强刘政红黄冠群 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号

本发明提供一种提高SONOS有源区边角圆度的方法：提供含有非选择管区域和选择管区域的SONOS半导体结构，选择管区域光刻胶打开为TUN区域；非选择管区域上具有光刻胶；去除选择管区域氧化层；去除非选择管区域上的光刻胶；在半导体结构... 详细信息

标准号: CN110391246A

本发明提供一种提高SONOS有源区边角圆度的方法：提供含有非选择管区域和选择管区域的SONOS半导体结构，选择管区域光刻胶打开为TUN区域；非选择管区域上具有光刻胶；去除选择管区域氧化层；去除非选择管区域上的光刻胶；在半导体结构的表面利用ISSG工艺形成一层牺牲氧化层之后再去除该牺牲氧化层；在半导体结构表面形成氧化层‑氮化层‑氧化层叠层。该方法可以保证逻辑器件不受影响的情况达到SONOS区AA边角圆度的目的，从而使ONO生长更加均匀，提高器件的可靠性。

关键词：选择管光刻胶半导体结构牺牲氧化层边角圆度非选择氧化层去除半导体结构表面逻辑器件层叠层氮化层源区生长保证

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一种半导体器件及其制作方法

一种半导体器件及其制作方法

引用

作者：陈景苏大荣 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，包括：提供半导体结构，在半导体结构表面形成层间介质叠层，包括若干堆叠的层间介质层；在所述层间介质叠层中形成多层金属层和多层插塞层，相邻两层金属层之间通过所述插塞层连接；至少其... 详细信息

标准号: CN109411407A

本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，包括：提供半导体结构，在半导体结构表面形成层间介质叠层，包括若干堆叠的层间介质层；在所述层间介质叠层中形成多层金属层和多层插塞层，相邻两层金属层之间通过所述插塞层连接；至少其中的一层在所述层间介质层中制作伪插塞层，且所述伪插塞层位于相邻两层所述金属层之间，通过所述伪插塞层分散来自于封装芯片时的键合力，防止芯片损伤。本发明通过在层间介质层中设置伪插塞层，利用伪插塞层的蜂窝消力作用，使层间介质层的受力向不同的方向发散，从而使封装时的键合力到达易损层时大大减小，同时增大了易损层对力的承受能力，有效防止芯片层间介质层断裂以及与该层介质层相邻的上层金属连线损伤。

关键词：插塞层层间介质层键合力介质层金属层两层易损半导体结构表面半导体器件结构半导体结构多层金属层层间介质承受能力封装芯片介质叠层金属连线芯片损伤力作用芯片层发散叠层堆叠多层减小受力制作封装蜂窝断裂损伤上层

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电子束检测样品及检测方法

电子束检测样品及检测方法

引用

作者：李丰阳黄仁德方桂芹 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

一种电子束检测样品及检测方法，检测方法包括提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；在所述半导体器件表面覆盖氧化层；电子束照射所述半导体器件，利用逸出的二次电子来反应被检测的所述半导体器件表面的形貌特征，在所述半导体器... 详细信息

标准号: CN109860070A

一种电子束检测样品及检测方法，检测方法包括提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；在所述半导体器件表面覆盖氧化层；电子束照射所述半导体器件，利用逸出的二次电子来反应被检测的所述半导体器件表面的形貌特征，在所述半导体器件表面形成所述氧化层，电子束照射时要通过所述氧化层之后再进入所述半导体结构表面，所述氧化层避免电子束能量直接照射到所述半导体器件内部，防止所述半导体器件内电流变大产生电弧击穿，提高检测效率。

关键词：半导体器件半导体器件表面氧化层检测电子束照射半导体结构表面电子束检测电子束能量覆盖氧化层电弧击穿二次电子晶圆表面形貌特征直接照射电流变晶圆逸出

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半导体存储器及其制造方法

半导体存储器及其制造方法

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

本发明提供一种半导体存储器及其制造方法，包括：半导体结构，包含一半导体衬底，其形成有字线隔离线、位线金属以及电容触点，位线金属与电容触点位于字线隔离线两侧；去除字线隔离线的一上层部分，形成凹槽；于半导体结构表面形成电... 详细信息

标准号: CN107946302A

本发明提供一种半导体存储器及其制造方法，包括：半导体结构，包含一半导体衬底，其形成有字线隔离线、位线金属以及电容触点，位线金属与电容触点位于字线隔离线两侧；去除字线隔离线的一上层部分，形成凹槽；于半导体结构表面形成电容支撑底层，并同时于凹槽中填充保护衬垫；于电容支撑底层表面形成电容牺牲层；于电容牺牲层及电容支撑底层中形成与电容触点对应的电容孔；及于电容孔中制作电容器。本发明既可以避免位线金属露出而导致损坏；同时可以避免在制作电容器时，电容器的金属电极的填充而造成位线金属及电容触点之间短路的缺陷，保证存储器的良率，并提高存储器的性能。

关键词：电容位线金属隔离线触点电容器字线存储器牺牲层填充支撑半导体结构表面半导体存储器半导体结构保护衬垫底层表面金属电极短路衬底良率去除制作半导体上层制造保证

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一种改善控制栅填充缺陷的方法

一种改善控制栅填充缺陷的方法

引用

作者：黄胜男谢峰周俊 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明公开了一种改善控制栅填充缺陷的方法，采用在已形成浮栅结构的半导体结构表面采用较低的温度沉积多晶硅，以形成多晶硅层，再对硅片进行高温退火处理使得多晶硅二次生长。采用本发明的技术方案能够实现消除多晶硅填充时的空洞缺... 详细信息

标准号: CN108666211A

本发明公开了一种改善控制栅填充缺陷的方法，采用在已形成浮栅结构的半导体结构表面采用较低的温度沉积多晶硅，以形成多晶硅层，再对硅片进行高温退火处理使得多晶硅二次生长。采用本发明的技术方案能够实现消除多晶硅填充时的空洞缺陷，同时保持多晶硅的阻值和载流子的迁移率不变，达到工艺要求。

关键词：多晶硅载流子半导体结构表面多晶硅填充多晶硅层二次生长浮栅结构高温退火工艺要求空洞缺陷控制栅迁移率硅片沉积填充

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半导体存储器

半导体存储器

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

本实用新型提供一种半导体存储器，包括：半导体结构，包含一半导体衬底，其形成有字线隔离线、位线金属以及电容触点，位线金属与电容触点位于字线隔离线两侧；去除字线隔离线的一上层部分，形成凹槽；于半导体结构表面形成电容支撑底... 详细信息

标准号: CN207868200U

本实用新型提供一种半导体存储器，包括：半导体结构，包含一半导体衬底，其形成有字线隔离线、位线金属以及电容触点，位线金属与电容触点位于字线隔离线两侧；去除字线隔离线的一上层部分，形成凹槽；于半导体结构表面形成电容支撑底层，并同时于凹槽中填充保护衬垫；于电容支撑底层表面形成电容牺牲层；于电容牺牲层及电容支撑底层中形成与电容触点对应的电容孔；及于电容孔中制作电容器。本实用新型既可以避免位线金属露出而导致损坏；同时可以避免在制作电容器时，电容器的金属电极的填充而造成位线金属及电容触点之间短路的缺陷，保证存储器的良率，并提高存储器的性能。

关键词：电容位线金属隔离线触点电容器字线本实用新型存储器牺牲层填充支撑半导体结构表面半导体存储器半导体结构保护衬垫底层表面金属电极短路衬底良率去除制作半导体上层保证

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一种光刻返工过程中半导体表面处理方法

一种光刻返工过程中半导体表面处理方法

引用

作者：代露吴继清肖黎明 436000 湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9栋5单元

本发明提供了一种光刻返工过程中半导体表面处理方法，包括如下步骤：1)提供包括薄膜层和待返工的光刻胶的半导体结构；2)去胶溶液去除待返工的光刻胶；3)等离子体辉光清理半导体结构表面；4)依次对半导体结构表面进行清洗和干燥工艺；5... 详细信息

标准号: CN108615673A

本发明提供了一种光刻返工过程中半导体表面处理方法，包括如下步骤：1)提供包括薄膜层和待返工的光刻胶的半导体结构；2)去胶溶液去除待返工的光刻胶；3)等离子体辉光清理半导体结构表面；4)依次对半导体结构表面进行清洗和干燥工艺；5)在薄膜层表面生长一层掩膜层；6)去除掩膜层；7)在薄膜层表面涂光刻胶。本发明通过在去除光刻胶并完成对半导体结构表面的清洗和干燥工艺后进行生长掩膜层的方法，以修复薄膜层的表面形貌，同时生长过程中一些等离子体可与薄膜层表面的悬键相结合，在去除掩膜层同时降低了表面悬键数量，减少由形貌不佳、悬键过多所造成的缺陷，提高光刻胶与薄膜层附着力，防止光刻胶脱落并提高图形精度，有效提高产出和良率。

关键词：光刻胶掩膜层去除薄膜层表面薄膜层返工悬键半导体结构表面干燥工艺清洗附着力等离子体半导体表面处理等离子体辉光形貌半导体结构表面形貌导体结构去胶溶液生长过程生长光刻良率修复

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：蒋莉 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成含C介质膜；对所述含C介质膜进行化学机械研磨工艺，其中，所述化学机械研磨工艺的步骤包括通过研磨垫对所述含C介质膜进行多次研磨操作，且在每一次研磨操作之... 详细信息

标准号: CN108878363A

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成含C介质膜；对所述含C介质膜进行化学机械研磨工艺，其中，所述化学机械研磨工艺的步骤包括通过研磨垫对所述含C介质膜进行多次研磨操作，且在每一次研磨操作之前以及之后，采用弱酸清洗液对所述研磨垫进行清洗操作。本发明通过研磨垫对含C介质膜进行多次研磨操作时，在每一次研磨操作之前以及之后，采用弱酸清洗液对所述研磨垫进行清洗操作，从而去除所述研磨垫表面的有机残留物，避免在所形成半导体结构表面形成有机残留物和划痕缺陷，进而提高所形成半导体结构电学性能。

关键词：研磨垫介质膜化学机械研磨工艺半导体结构有机残留物清洗操作一次研磨研磨清洗液基底弱酸半导体结构表面电学性能划痕缺陷去除

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