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作者：邹道华高谷信一郎刘昱玮 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和发射层；位于发射层上的发射电极；位于集电层上的集电极；基电极，基电极包括若干指部，若干指部分别与基层电连接；钝... 详细信息

标准号: CN116581155B

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和发射层；位于发射层上的发射电极；位于集电层上的集电极；基电极，基电极包括若干指部，若干指部分别与基层电连接；钝化结构，钝化结构暴露出发射电极的部分顶部表面、集电极的部分顶部表面、相邻发射层之间的指部的部分顶部表面；互连金属层，互连金属层分别发射电极、指部以及集电极电连接。通过省去了基电极的端部，基层无需为基电极的端部提供放置位置，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积。由于基层中去除了为基电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。

关键词：基电极指部顶部表面发射层集电层集电极基层互连金属层钝化结构发射电极电连接基底减小异质结双极晶体管结构半导体制造技术放置位置提升器件电极暴露

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异质结双极晶体管结构的形成方法

异质结双极晶体管结构的形成方法

作者：邹道华高谷信一郎黄仁耀潘林 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构的形成方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供半导体结构；在半导体结构表面形成第一钝化部和第二钝化部，第一钝化部暴露出第一集电极电极、基极电极和发射极电极，第二钝化部暴露出第二集电极电极；形成... 详细信息

标准号: CN115621125A

一种异质结双极晶体管结构的形成方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供半导体结构；在半导体结构表面形成第一钝化部和第二钝化部，第一钝化部暴露出第一集电极电极、基极电极和发射极电极，第二钝化部暴露出第二集电极电极；形成第一金属部和第二金属部；形成第三钝化部和第四钝化部，第三钝化部覆盖第一金属部表面，第四钝化部覆盖第二金属部表面；在第四钝化部上形成第二金属层；在第二金属层表面和第二钝化层表面形成第一介质层；以第一介质层为掩膜刻蚀第三钝化部。通过以第一介质层为掩膜刻蚀第二钝化层，无需采用单独的光罩工艺对第二钝化层进行处理以暴露出第一金属部的顶部表面，进而减少工艺光罩，提供生产效率以及降低生产成本。

关键词：钝化金属部介质层第二金属层集电极电极钝化层光罩刻蚀掩膜暴露异质结双极晶体管结构半导体结构表面半导体制造技术半导体结构钝化层表面发射极电极顶部表面基极电极生产效率覆盖

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作者：俞洁李新宇姜清华黄玺 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电层，集电层包括第一区域和第二区域；在第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，第一电离区域的离子浓度大于第二区域的离子浓度；在集电层上形成基... 详细信息

标准号: CN115775731A

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电层，集电层包括第一区域和第二区域；在第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，第一电离区域的离子浓度大于第二区域的离子浓度；在集电层上形成基极层和集电极，基极层位于所述集电层的第二区域上方，集电极位于第一电离区域上方，并与电连接；在基极层上形成发射层和基极电极，发射层包括第三区域和第四区域，基极电极和基极层电连接；在第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，第二电离区域的离子浓度大于第四区域的离子浓度；在发射层上形成发射电极，发射电极位于第二电离区域上方，与第二电离区域电连接。上述方案可以降低HBT外延层成本。

关键词：电离区域离子基极层集电层第二区域电连接发射层第一区域发射电极基极电极集电极衬底异质结双极晶体管结构外延层

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作者：邹道华高谷信一郎刘昱玮陈俊奇 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和若干发射层；位于发射层上的发射电极；位于集电层上的集电极；钝化结构，钝化结构暴露出发射电极的部分表面、集电极的部分表面、基层的部分表... 详细信息

标准号: CN116631982A

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和若干发射层；位于发射层上的发射电极；位于集电层上的集电极；钝化结构，钝化结构暴露出发射电极的部分表面、集电极的部分表面、基层的部分表面；互连金属层，互连金属层分别与发射电极、基层和集电极电连接。互连金属层直接将基层引出，省去了基层电极，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积，减小形成的寄生电容，提升器件结构的性能及有效提升器件结构的利用效率。由于互连金属层的金属厚度较大，能够有效减小所述基层的接触电阻。省去了基层电极，能够有效简化工艺制程，提高制程效率。

关键词：互连金属层基层减小电极集电层集电极钝化结构发射电极提升器件发射层基底制程异质结双极晶体管结构寄生电容接触电阻电连接金属暴露

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作者：邹道华高谷信一郎刘昱玮姜清华 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和若干发射层；位于发射层上的发射电极；位于部分集电层上的介质层，介质层至少位于基层的一侧；基电极，包括端部、若... 详细信息

标准号: CN116632051A

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和若干发射层；位于发射层上的发射电极；位于部分集电层上的介质层，介质层至少位于基层的一侧；基电极，包括端部、若干指部和若干连接部，若干指部通过若干连接部与端部连接，若干指部与暴露出的基层电连接，连接部位于介质层上，端部位于介质层上；位于集电层上的若干集电极。基电极的端部位于集电层上方，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积，减小形成的寄生电容，提升器件结构的性能。另外，由于基层中去除了为基电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。

关键词：集电层介质层基电极减小指部基层提升器件发射层基底异质结双极晶体管结构半导体制造技术端部连接发射电极寄生电容连接部位电连接集电极暴露

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作者：邹道华高谷信一郎刘昱玮陈俊奇 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层及若干发射层；位于发射层上的发射层电极；位于集电层部分表面、基层部分表面、发射层表面和发射层电极部分表面的钝化... 详细信息

标准号: CN116230758A

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层及若干发射层；位于发射层上的发射层电极；位于集电层部分表面、基层部分表面、发射层表面和发射层电极部分表面的钝化结构；基层电极，包括端部、若干指部和若干连接部，端部位于集电层上的钝化结构上；位于集电层上的若干集电层电极，集电层电极与集电层电连接。基层电极的端部位于集电层上方，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积，减小形成的寄生电容，提升器件结构的性能。另外，由于基层中去除了为基层电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。

关键词：集电层电极发射层基层减小钝化结构提升器件基底异质结双极晶体管结构半导体制造技术寄生电容电连接指部

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作者：邹道华高谷信一郎刘昱玮 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

标准号: CN116581155A

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作者：邹道华高谷信一郎黄仁耀刘昱玮 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、集电极、初始基极以及初始发射极；在初始发射极上形成发射极电极；以发射极为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀初始发射极形成发射极；在初始基极上... 详细信息

标准号: CN115714137A

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、集电极、初始基极以及初始发射极；在初始发射极上形成发射极电极；以发射极为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀初始发射极形成发射极；在初始基极上形成基极电极；对初始基极进行图形化处理形成基极；在集电极上形成集电极电极。由于干法刻蚀工艺不会产生侧向刻蚀的问题，因此可以直接以发射极电极为掩膜对初始发射极进行刻蚀，而且采用干法刻蚀工艺可以省去湿法刻蚀工艺中的刻蚀停止层，不但省去了制程光罩降低制作成本，而且形成的发射极的尺寸与发射极电极的尺寸相同，能够有效提升发射极与发射极电极之间的电传导性和热传导性，进而提升器件结构性能。

关键词：发射极干法刻蚀工艺发射极电极集电极衬底刻蚀掩膜异质结双极晶体管结构集电极电极刻蚀停止层图形化处理侧向刻蚀电传导性基极电极结构性能热传导性湿法刻蚀提升器件光罩基底制程发射制作

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作者：潘林袁海旭杨磊何鹏 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电极；在集电极上形成基极；在基极上形成发射极；在发射极上形成保护层，保护层内具有保护层开口，保护层暴露出发射极的部分顶部表面；在保护层开... 详细信息

标准号: CN115602712A

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电极；在集电极上形成基极；在基极上形成发射极；在发射极上形成保护层，保护层内具有保护层开口，保护层暴露出发射极的部分顶部表面；在保护层开口暴露出的发射极表面、以及保护层开口两侧保护层的部分顶部表面形成初始基极金属层；对初始基极金属层进行退火处理，形成基极金属层，基极金属层贯穿发射极且延伸至基极内。在退火处理的过程中，通过初始基极金属层覆盖的保护层作为阻挡，有效防止避免初始基极金属层异常下层的问题，进而有效避免形成的基极金属层贯穿基极，造成基极漏电的问题，有效提升器件的可靠性。

关键词：基极金属保护层发射极保护层开口顶部表面退火处理集电极衬底异质结双极晶体管结构发射极表面提升器件漏电暴露贯穿下层阻挡延伸覆盖

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异质结双极晶体管结构

异质结双极晶体管结构

作者：邹道华高谷信一郎刘昱玮陈俊奇 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极晶体管结构，包括：基底；位于基底上的集电层、基层及发射层，集电层包括边缘部、侧壁部和主体部；位于发射层上的发射电极；位于边缘部和侧壁部内的隔离区；基电极，包括所述端部、若干指部和若干所述连接部，所述连接... 详细信息

标准号: CN220510039U

一种异质结双极晶体管结构，包括：基底；位于基底上的集电层、基层及发射层，集电层包括边缘部、侧壁部和主体部；位于发射层上的发射电极；位于边缘部和侧壁部内的隔离区；基电极，包括所述端部、若干指部和若干所述连接部，所述连接部位于侧壁部内的所述隔离区上，所述端部位于边缘部内的隔离区上。基电极的所述端部位于边缘部内的隔离区上，可以减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间的PN结的面积，减小形成的寄生电容，提升器件结构的性能。由于基层中去除了为基电极的所述端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。另外，通过隔离区进行器件结构自身中的电性隔离，使得器件结构更加简洁，有效降低制作成本。

关键词：隔离区边缘部侧壁部基电极集电层减小器件结构提升器件发射层基底基层异质结双极晶体管结构电性隔离发射电极寄生电容连接部位主体部指部制作