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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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9 篇 朗姆研究公司
6 篇 应用材料公司
2 篇 科磊股份有限公司
2 篇 应用材料股份有限...
1 篇 株式会社尼康
1 篇 asm ip私人控股有...

作者

4 篇 拉金德尔·迪恩赛
4 篇 贾斯廷·查尔斯·卡...
2 篇 阿列克谢·马拉赫塔...
2 篇 哈梅特·辛格
2 篇 厄尔·詹森
2 篇 南尚基
2 篇 凯文·奥布赖恩
1 篇 朱济
1 篇 刘家凌
1 篇 田中宏治
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1 篇 钟喜·朴
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1 篇 秀迎·崔
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1 篇 罗伯特·i·格林
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1 篇 史蒂夫·桑索尼
1 篇 布奇·伯尼

语言

21 篇 中文

检索条件"主题词=衬底支撑表面"

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详细简洁

排序：

包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件

包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件

引用

作者：贾斯廷·查尔斯·卡尼夫美国加利福尼亚州

一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形边缘环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石... 详细信息

标准号: CN107393797B

一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形边缘环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。

关键词：衬底支撑表面金刚石涂层环形边缘等离子体处理系统等离子体化学气相沉积边缘环高纯暴露

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使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备

使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备

引用

作者：拉金德尔·迪恩赛哈梅特·辛格美国加利福尼亚州

本发明提供了使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备。具体而言，一种等离子体处理系统和方法包括处理室及包括在其中的等离子体处理体积。所述等离子体处理体积比所述处理室的体积小。所述等离子体处理体积由顶电极、与... 详细信息

标准号: CN104425324A

本发明提供了使反应器中压强脉冲与射频调节协调的系统、方法及设备。具体而言，一种等离子体处理系统和方法包括处理室及包括在其中的等离子体处理体积。所述等离子体处理体积比所述处理室的体积小。所述等离子体处理体积由顶电极、与所述顶电极的表面相对的衬底支撑表面以及包括至少一个出口的等离子体约束结构限定。传导控制结构能活动地设置成靠近所述至少一个出口并且能控制流过所述至少一个出口的流出流在第一流率与第二流率之间，其中所述传导控制结构控制所述出口流率，并且至少一个射频源和至少一个工艺气体流率在等离子体处理期间与所述控制器所设置的选定的处理状态对应地进行调节。

关键词：等离子体处理流率控制结构电极处理室出口射频传导衬底支撑表面等离子体约束工艺气体压强脉冲反应器控制器协调

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具有射频带输入的外围射频供给及对称的射频返回

具有射频带输入的外围射频供给及对称的射频返回

引用

作者：南尚基拉金德尔·迪恩赛阿列克谢·马拉赫塔诺夫美国加利福尼亚州

本发明公开的系统和方法用于对称的射频输送的外围射频供给及对称的射频返回。根据一个实施方式，提供了一种用于等离子体处理的卡盘组件。所述卡盘组件包括：静电卡盘，其在第一侧具有衬底支撑表面；设施板，其在与所述衬底支撑表面相... 详细信息

标准号: CN104025279A

本发明公开的系统和方法用于对称的射频输送的外围射频供给及对称的射频返回。根据一个实施方式，提供了一种用于等离子体处理的卡盘组件。所述卡盘组件包括：静电卡盘，其在第一侧具有衬底支撑表面；设施板，其在与所述衬底支撑表面相反的第二侧连接到所述静电卡盘；外围射频供给件，其被配置为输送射频功率，所述外围射频供给件具有与所述设施板的外围接触的第一部分以及将所述外围射频供给件连接到射频源的射频带。

关键词：射频外围衬底支撑表面静电卡盘对称等离子体处理的卡盘组件卡盘组件连接接触

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包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件

包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件

引用

作者：贾斯廷·查尔斯·卡尼夫美国加利福尼亚州

一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层... 详细信息

标准号: CN107393797A

一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。

关键词：衬底支撑表面金刚石涂层等离子体处理系统等离子体化学气相沉积环形边缘边缘环环形环高纯暴露

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衬底支撑的加热和冷却

衬底支撑的加热和冷却

引用

作者：稻川真细川明广美国加利福尼亚州

本发明提供了衬底支撑组件和用于控制处理室内的衬底温度的方法。该衬底支撑组件包括导热主体，其包含不锈钢材料；衬底支撑表面，其在导热主体的表面上并适用于在其上支撑大面积衬底；一个或多个加热元件，其嵌入在导热主体内；冷却板... 详细信息

标准号: CN1907897B

本发明提供了衬底支撑组件和用于控制处理室内的衬底温度的方法。该衬底支撑组件包括导热主体，其包含不锈钢材料；衬底支撑表面，其在导热主体的表面上并适用于在其上支撑大面积衬底；一个或多个加热元件，其嵌入在导热主体内；冷却板，其定位在导热主体之下；基体支撑结构，其包含不锈钢材料，定位在冷却板之下并适用于在结构上支撑导热主体；和一个或多个冷却通道，其适用于由基体支撑结构支撑并定位在冷却板与基体支撑结构之间。还提供了包含本发明的衬底支撑组件的处理室。

关键词：导热主体衬底支撑组件支撑结构冷却板不锈钢材料支撑衬底支撑表面大面积衬底衬底温度加热元件控制处理冷却通道处理室嵌入

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具有耐等离子体腐蚀性的保护层的衬底支架

具有耐等离子体腐蚀性的保护层的衬底支架

引用

作者：珍妮弗·Y·孙周爱琳美国加利福尼亚州

本发明的实施方式提供了一种具有增强耐等离子体腐蚀性的保护层的衬底支撑组件。在一个实施方式中，一种衬底支撑组件包括具有上衬底支撑表面的静电卡盘、和设置在静电卡盘上的保护层，其中保护层由包含稀土金属的陶瓷材料制成。

标准号: CN101118865B

关键词：保护层衬底支撑组件静电卡盘等离子体衬底支撑表面陶瓷材料稀土金属

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一种用于等离子体处理的卡盘组件和用于给静电卡盘组件供电的方法

一种用于等离子体处理的卡盘组件和用于给静电卡盘组件供电的方法

引用

作者：南尚基拉金德尔·迪恩赛阿列克谢·马拉赫塔诺夫美国加利福尼亚州

标准号: CN104025279B

关键词：射频外围供给件衬底支撑表面静电卡盘对称等离子体处理的卡盘组件卡盘组件射频功率射频输送侧连接射频带射频源返回配置

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位置灵敏衬底装置

位置灵敏衬底装置

引用

作者：厄尔·詹森凯文·奥布赖恩美国加利福尼亚州

本发明的一些方面涉及一种系统，其具有衬底装置、衬底支撑表面及将所述衬底装置定位在所述衬底支撑表面上的衬底处置器。所述衬底装置及所述衬底支撑表面可具有配对的粗略位置单元及精细位置单元。所述系统可测量第一与第二粗略位置单... 详细信息

标准号: CN105830206B

本发明的一些方面涉及一种系统，其具有衬底装置、衬底支撑表面及将所述衬底装置定位在所述衬底支撑表面上的衬底处置器。所述衬底装置及所述衬底支撑表面可具有配对的粗略位置单元及精细位置单元。所述系统可测量第一与第二粗略位置单元之间的粗略位置偏移、基于所述粗略位置偏移来将所述衬底装置重新定位在所述衬底支撑表面上，且随后测量第一与第二精细位置单元之间的精细位置偏移。在一些实施方案中，所述衬底装置经由无线通信链路一体地耦合到所述衬底处置器以传递位置信息作为用于进一步放置的反馈。

关键词：衬底装置衬底支撑表面粗略位置精细位置偏移处置器衬底无线通信链路传递位置重新定位可测量一体地耦合到配对测量反馈

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位置灵敏衬底装置

位置灵敏衬底装置

引用

作者：厄尔·詹森凯文·奥布赖恩美国加利福尼亚州

标准号: CN105830206A

关键词：衬底装置衬底支撑表面粗略位置精细位置偏移处置器衬底无线通信链路传递位置重新定位可测量一体地耦合到配对测量反馈

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用于等离子体设备的基座组件

用于等离子体设备的基座组件

引用

作者： S.金田中宏治荷兰阿尔梅勒

用于反应器系统的基座组件可以提供各种等离子体控制益处。根据各种实施例，基座组件包括主体、加热器元件、第一电极和第二电极。主体可以具有顶表面、侧表面和底表面，其中顶表面是衬底支撑表面。加热器元件可以嵌入主体内。第一和第... 详细信息

标准号: CN114182225A

用于反应器系统的基座组件可以提供各种等离子体控制益处。根据各种实施例，基座组件包括主体、加热器元件、第一电极和第二电极。主体可以具有顶表面、侧表面和底表面，其中顶表面是衬底支撑表面。加热器元件可以嵌入主体内。第一和第二电极也可以嵌入基座组件的主体内，第一电极设置在加热器元件和主体的顶表面之间。第二电极通常可以靠近侧表面和底表面中的至少一个设置。

关键词：加热器元件第二电极基座组件顶表面第一电极侧表面嵌入衬底支撑表面等离子体控制反应器系统

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