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  • 9 篇 中文
检索条件"主题词=衬底表面层"
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原位生成过程和系统
原位生成过程和系统
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作者： V.夏尔马 M.吉文斯 荷兰阿尔梅勒
本发明涉及原位生成卤化氢的方法，该卤化氢用于从衬底表面层上的其他材料选择性蚀刻材料的蚀刻过程，本发明还涉及利用原位生成的卤化氢进行蚀刻的方法，以及实施所公开过程的系统。
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用于MOS晶体管的两次旋转式栅极边缘二极管泄漏减少
用于MOS晶体管的两次旋转式栅极边缘二极管泄漏减少
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作者： B·E·霍农 M·楠达库玛 美国德克萨斯州
集成电路(100)通过以下来制造：形成具有正交取向的栅极(108、110)的晶体管(102、104)并利用掩模图案使用第一掺杂剂类型以两次第一旋转在衬底表面层上注入第一袋状注入物，两次第一旋转分别形成两个第一袋状注入角和两个第一袋状注入... 详细信息
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通过使用基于氮化钼的涂层的磨损和/或摩擦减少
通过使用基于氮化钼的涂层的磨损和/或摩擦减少
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作者： J·卡纳 V·德夫林格 M·E·鲁伊奇迪 瑞士普费菲孔
本发明涉及一种包括涂覆有涂层的衬底表面的部件，所述涂层包括具有不小于40nm的厚度的至少一个MoN层，其特征在于在所述衬底表面与所述至少一个MoN层之间：i)包括衬底表面硬化层，其是硬化的含氮衬底表面层并且具有不小于10nm、优选地... 详细信息
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一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法
一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法
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作者： 张燕辉 于广辉 葛晓明 张浩然 陈志蓥 隋妍萍 邓荣轩 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清... 详细信息
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通过使用基于氮化钼的涂层的磨损和/或摩擦减少
通过使用基于氮化钼的涂层的磨损和/或摩擦减少
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作者： J·卡纳 V·德夫林格 M·E·鲁伊奇迪 瑞士普费菲孔
本发明涉及一种包括涂覆有涂层的衬底表面的部件，所述涂层包括具有不小于40nm的厚度的至少一个MoN层，其特征在于在所述衬底表面与所述至少一个MoN层之间：i)包括衬底表面硬化层，其是硬化的含氮衬底表面层并且具有不小于10nm、优选地... 详细信息
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一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法
一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法
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作者： 张燕辉 于广辉 葛晓明 张浩然 陈志蓥 隋妍萍 邓荣轩 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，包括步骤：步骤1），提供制备石墨烯用的铜衬底；步骤2），将所述铜衬底置于有氧环境中处理，使所述铜衬底表面氧化，形成氧化层；以及步骤3），去所述铜除衬底表面的氧化层，得到清... 详细信息
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超导线及其制造方法
超导线及其制造方法
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作者： 藤野刚三 大松一也 小西昌也 母仓修司 日本大阪府
一种超导线(10)，其中，超导层(3)形成在金属衬底上，该金属衬底为取向金属衬底(1)。在从表面延伸到300nm深度的表面层内，晶轴相对于取向轴的偏离角为25°或更小，并且表面被平坦化以具有150nm或更小的表面粗糙度RP-V。还公开了一... 详细信息
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在杂质扩散区之间具有减小的寄生电容的半导体器件
在杂质扩散区之间具有减小的寄生电容的半导体器件
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作者： 浅野祐次 加藤盛央 濑户山孝男 福岛稔彦 夏秋和弘 日本神奈川县
在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设... 详细信息
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一种电流调制增益耦合激光器
一种电流调制增益耦合激光器
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作者： 朱洪亮 王圩 刘国利 张子莹 100083 北京市912信箱
本实用新型涉及一种电流调制增益耦合激光器,可直接制作在衬底上并具有平面光栅结构的电流调制增益耦合分布反馈DFB激光器。适于制作含DFB的集成器。其结构是在InP衬底上表面生长一层介质膜,以介质膜光栅图形为掩体向衬底作选择离子注入... 详细信息
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