检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：陈杰王康健张博林 201900 上海市宝山区富锦路885号

本实用新型涉及高频功率器件领域，尤其涉及一种散热装置。一种高频大功率器件的散热装置，包括鼓风机、风引导管、出风口、外围导风机构和顶部吸风导流机构，所述鼓风机固定安装在功率器件安装屏蔽箱内，所述出风口设置在高频大功率器... 详细信息

标准号: CN203301920U

本实用新型涉及高频功率器件领域，尤其涉及一种散热装置。一种高频大功率器件的散热装置，包括鼓风机、风引导管、出风口、外围导风机构和顶部吸风导流机构，所述鼓风机固定安装在功率器件安装屏蔽箱内，所述出风口设置在高频大功率器件的正下方，所述风引导管的两端分别连通鼓风机和出风口；所述外围导风机构套在高频大功率器件外，外围导风机构的直径略大于出风口的出风面直径，所述顶部吸风导流机构罩在外围导风机构的顶部，顶部吸风导流机构与外围导风机构之间留有一定间隙。本实用新型采用从大功率器件底部引流的方式，实现整个圆周方向的循环散热，使得散热更加均匀，提高了焊机激光源高频系统大功率器件使用的可靠性。

关键词：导风机构出风口外围高频大功率器件顶部导流机构吸风鼓风机大功率器件散热装置散热连通鼓风机引流高频功率高频系统功率器件器件领域焊机风面屏蔽底部引导激光大于固定

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具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路

具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路

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作者：罗卫军陈晓娟刘新宇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及一种具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路，属于半导体器件和混合微波集成电路的技术领域。所述稳定网络50Ω系统、并联RC稳定网络、输入匹配电路和GaN高电子迁移率晶体管的管芯，输入匹配电路的输出端和GaN高电子... 详细信息

标准号: CN102118133B

本发明涉及一种具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路，属于半导体器件和混合微波集成电路的技术领域。所述稳定网络50Ω系统、并联RC稳定网络、输入匹配电路和GaN高电子迁移率晶体管的管芯，输入匹配电路的输出端和GaN高电子迁移率晶体管的管芯相连，并联RC稳定网络的输入端与50Ω系统相串联，其输出端和输入匹配电路的输入端相串联。本发明具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路在保证电路稳定性的同时，减少了稳定网络对内匹配功率器件的损耗，从而提高了器件的功率增益和输出功率。

关键词：稳定网络匹配电路高电子迁移率晶体管高频大功率器件输出端并联管芯串联混合微波集成电路半导体器件电路稳定性功率增益匹配功率输出功率输入端

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一种高迁移率晶体管的外延结构

一种高迁移率晶体管的外延结构

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作者：王明华王柏钧叶顺闵 402360 重庆市大足区高新技术产业开发区

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是一种高迁移率晶体管的外延结构，所述外延结构包括GaN盖帽层、超晶格势垒层、AlN插入层、GaN沟道层、GaN半绝缘层、中温AlGaN缓冲层、高温AlGaN过渡层、高温AlN层及Si衬底，本方案通过Si作为衬底... 详细信息

标准号: CN218039219U

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是一种高迁移率晶体管的外延结构，所述外延结构包括GaN盖帽层、超晶格势垒层、AlN插入层、GaN沟道层、GaN半绝缘层、中温AlGaN缓冲层、高温AlGaN过渡层、高温AlN层及Si衬底，本方案通过Si作为衬底，采用金属有机物化学气相沉积在Si衬底上外延生长超晶格势垒层，与传统AlGaN势垒层相比，晶体管表面的形貌粗糙度更低、晶体管表面电阻更低，同时电学性能2DEG面电子浓度也有所增加并提高二维电子气迁移率，通过本方案制造的高迁移率晶体管在高频大功率器件应用领域具有广阔前景。

关键词：衬底高迁移率晶体管晶体管表面外延结构超晶格势垒层金属有机物化学气相沉积半导体技术领域高频大功率器件形貌本实用新型二维电子气高温AlN层半绝缘层电学性能外延生长粗糙度盖帽层缓冲层迁移率电阻中温制造

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一种对称结构的GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法

一种对称结构的GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法

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作者：孙慧卿张淼李渊谭秀洋夏晓宇马建铖夏凡 510000 广东省广州市天河区中山大道西55号

本发明涉及一种对称结构GaN基MIS‑HEMT器件及其制备方法，该器件包括，层叠于衬底上的AlGaN缓冲层、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层构成的层叠结构，该层叠结构具有一弧形端面，沿该层叠结构的边缘环绕呈... 详细信息

标准号: CN111613671A

本发明涉及一种对称结构GaN基MIS‑HEMT器件及其制备方法，该器件包括，层叠于衬底上的AlGaN缓冲层、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层构成的层叠结构，该层叠结构具有一弧形端面，沿该层叠结构的边缘环绕呈倒U型结构的漏极，沿倒U型结构的对称线设置的源极，源极具有一弧形端面，位于源极和漏极上的钝化层图案，位于GaN帽层和钝化层图案上的栅电介质层，位于栅电介质层上且沿源极环绕呈倒U型结构的栅极。该器件具有高的平均击穿电场强度及击穿电压，在高温高频大功率器件和大功率开关等方面具有很大的应用前景。

关键词：源极倒U型结构层叠结构钝化层图案栅电介质层弧形端面漏极帽层环绕高频大功率器件大功率开关对称结构击穿电压对称线缓冲层势垒层衬底击穿制备应用

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一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法

一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法

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作者：马晓华郝跃李晓彤祝杰杰杨凌郑雪峰 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光刻并刻蚀掉互联开孔区；在金属互联开孔... 详细信息

标准号: CN106876351B

本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光刻并刻蚀掉互联开孔区；在金属互联开孔区的电极和未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，并依次淀积Ti界面、Cu导电层和W保护层，剥离后形成Ti/Cu/W三层金属堆栈结构的金属互联层；在金属互联层和介质层上生长钝化层；在钝化层上光刻并刻蚀出引线区域，完成制作。本发明降低了金属互联的制作成本，可用于制作高频大功率器件。

关键词：介质层上光互联刻蚀金属互联层制作钝化层开孔区金属高频大功率器件金属互联结构半导体器件互联区域加工器件金属堆栈器件金属射频功率生长介质引线区域制作过程电极保护层导电层漏电极淀积开孔可用三层剥离生长

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一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法

一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法

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作者：马晓华郝跃李晓彤祝杰杰杨凌郑雪峰 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

标准号: CN106876351A

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具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路

具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路

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作者：罗卫军陈晓娟刘新宇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

标准号: CN102118133A

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一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置

一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置

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作者：高玉强宗艳民宋建王希杰张红岩 250000 山东省济南市历下区高新开发区新泺大街2008号银荷大厦3-409

本发明涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置，属于单晶生长技术领域。本发明采用特定装置将生长SiC单晶用坩埚及保温材料进行预处理，并在单晶生长过程中引入特定的气体，有效减少SiC单晶中的施主杂质N、受主杂质B及金属离子杂质... 详细信息

标准号: CN104775149B

本发明涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置，属于单晶生长技术领域。本发明采用特定装置将生长SiC单晶用坩埚及保温材料进行预处理，并在单晶生长过程中引入特定的气体，有效减少SiC单晶中的施主杂质N、受主杂质B及金属离子杂质，提高了电阻率，并且避免了钒掺杂半绝缘SiC的深俘获中心对高频大功率器件功率输出的影响，制得了高纯半绝缘碳化硅单晶。

关键词：半绝缘碳化硅单晶单晶高纯预处理高频大功率器件单晶生长过程金属离子杂质保温材料单晶生长功率输出施主杂质受主杂质有效减少半绝缘电阻率钒掺杂俘获坩埚生长引入

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一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其制备方法

一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其制备方法

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作者：马中发张鹏吴勇庄奕琪肖郑操赵钰迪郭超冯元博 710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学

一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管，包括六方氮化硼作衬底，源电极，漏电极，所述晶体管还包括：底栅金属电极，淀积在所述衬底上；背栅介质，单层石墨烯，顶栅介质，顶栅金属电极，将所述底栅金属电极与所述顶栅金属电极连接，其中，... 详细信息

标准号: CN103208524B

一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管，包括六方氮化硼作衬底，源电极，漏电极，所述晶体管还包括：底栅金属电极，淀积在所述衬底上；背栅介质，单层石墨烯，顶栅介质，顶栅金属电极，将所述底栅金属电极与所述顶栅金属电极连接，其中，多层以上所述晶体管结构时，将每一层所述晶体管并联，将每一层所述晶体管的源、漏电极分别并联。本发明有益效果在于，该器件利用h-BN作为顶栅和底栅介质，由于h-BN是一种二维平面材料，且表面悬挂键和陷阱电荷非常少，因此能够提高石墨烯沟道载流子的迁移率。这种多层双栅的石墨烯场效应晶体管可以最大限度提高石墨烯场效应晶体管的漏源电流，在高频大功率器件领域有广泛应用。

关键词：晶体管顶栅多层石墨烯场效应晶体管底栅金属电极金属电极漏电极石墨烯衬底双栅高频大功率器件二维平面材料单层石墨烯沟道载流子晶体管并联晶体管结构六方氮化硼顶栅介质漏源电流陷阱电荷场效应迁移率悬挂键源电极并联背栅底栅淀积应用

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试析碳化硅电力电子器件发展及其应用

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中国高新技术企业 2015年第36期 37-38页

作者：姜文海南京电子器件研究所江苏南京210016

电力电子技术包括半导体功率器件技术、功率变换技术及控制技术等,但以往的电力电子器件的制成材料都是硅半导体材料,近些年来随着科学技术的发展,越来越多具有优良性能的新型化合物半导体材料应用于电力电子器件的制造中。文章对碳化... 详细信息

电力电子技术包括半导体功率器件技术、功率变换技术及控制技术等,但以往的电力电子器件的制成材料都是硅半导体材料,近些年来随着科学技术的发展,越来越多具有优良性能的新型化合物半导体材料应用于电力电子器件的制造中。文章对碳化硅材料的应用优势进行了介绍,并对碳化硅材料在电力电子器件中的发展和应用前景进行了分析。

关键词：碳化硅材料电力电子器件硅半导体材料新型化合物高频大功率器件

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