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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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42 篇 传感器
42 篇 mems
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35 篇 无线传感网
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机构

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553 篇 中国科学院研究生...
369 篇 中国科学院上海微...
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140 篇 中国科学院上海微...
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118 篇 中国科学院上海微...
110 篇 上海新傲科技股份...
101 篇 中国科学院上海微...
94 篇 上海微系统与信息...
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93 篇 上海新安纳电子科...
76 篇 浙江大学
64 篇 NOT FOUND
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作者

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625 篇 赵建龙
576 篇 王曦
552 篇 王跃林
447 篇 谢晓明
416 篇 封松林
409 篇 李昕欣
393 篇 欧欣
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282 篇 孙晓玮
273 篇 卜智勇
251 篇 张苗
249 篇 陈静
242 篇 尤立星
230 篇 金庆辉
229 篇 刘卫丽
227 篇 熊斌
218 篇 曹俊诚
214 篇 王永良
207 篇 张永刚

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13,651 篇 中文
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相变存储器的高速数据读出电路及读出方法

相变存储器的高速数据读出电路及读出方法

引用

作者：解晨晨李喜陈后鹏王倩雷宇蔡道林郭家树宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电... 详细信息

标准号: CN108922574A

本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述参数匹配单元所在位线连接，所述参考读电流产生电路与所述钳位电路连接，所述目标相变存储单元与所述参考读电流产生电路连接，所述参数匹配单元与所述参考读电流产生电路连接，所述电压_电流型全差分读电路与所述钳位电路连接，所述比较电路与所述电压_电流型全差分读电路连接。通过本发明解决了现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度较慢的问题。

关键词：电流产生电路钳位电路相变存储单元参数匹配参考电流型读电路数据读出电路相变存储器位线读出电路高速数据数据读取读出

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基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及其制备方法

基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及其制备方法

引用

作者：高安然韩清华赵兰天赵清太李铁王跃林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位... 详细信息

标准号: CN108231901A

本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位置进行性离子注入，形成沟道区以及源区和漏区；于沟道区的表面形成介质层；于介质层表面形成导电层，于导电层表面形成铁电掺杂的铁电性材料层；制作源电极、漏电极以及栅电极。通过上述方案，本发明将传统的场效应晶体管与铁电负电容集成，降低器件的亚阈值摆幅，提高传感灵敏度和响应速度，利于器件功率的降低，另外，本发明采用铁电掺杂的氧化铪作为铁电负电容介质，解决了无机铁电材料难以与CMOS工艺兼容的问题。

关键词：铁电场效应晶体管漏区源区掺杂的沟道区制备传感灵敏度导电层表面介质层表面生物传感器铁电性材料亚阈值摆幅表面形成电容集成电容介质沟道图形降低器件器件功率无机铁电传统的导电层底层硅顶层硅介质层漏电极埋氧层氧化铪栅电极制作源电极电容衬底半导体离子兼容响应

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单行载流子光探测器结构及其制作方法

单行载流子光探测器结构及其制作方法

引用

作者：姚辰张戎曹俊诚 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法，利用分步腐蚀的方法，制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构，使得器件电容大大减小，在相同吸收层厚度条件下，提高了器件的RC响应带宽，进而提高了器件的总带宽；在相同... 详细信息

标准号: CN106784132B

本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法，利用分步腐蚀的方法，制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构，使得器件电容大大减小，在相同吸收层厚度条件下，提高了器件的RC响应带宽，进而提高了器件的总带宽；在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同)，器件具有更大的吸收层面积，因而具有更大的响应度，可以在更高入射光功率下工作，在高速高功率应用中性能提升更为明显，适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。

关键词：吸收层带宽光探测器收集层载流子高速光通信入射光功率太赫兹信号厚度条件器件电容高功率光接收面积比响应度中性能总带宽减小腐蚀响应制作应用

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一种全双工无线网络中的节点配对与资源竞争方法

一种全双工无线网络中的节点配对与资源竞争方法

引用

作者：周斌俞凯卜智勇 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

本发明涉及一种全双工无线网络中的节点配对与资源竞争方法，通过综合运用流量平衡性评估、上行参数适配、轮询分片传输、反馈间隙检测、竞争配对尝试等技术手段，有效解决了现有全双工网络中的资源竞争与流量匹配、同信道干扰与节点匹... 详细信息

标准号: CN105162568B

本发明涉及一种全双工无线网络中的节点配对与资源竞争方法，通过综合运用流量平衡性评估、上行参数适配、轮询分片传输、反馈间隙检测、竞争配对尝试等技术手段，有效解决了现有全双工网络中的资源竞争与流量匹配、同信道干扰与节点匹配、上行多终端竞争接入等关键问题，在多用户环境下实现了可靠高效的同信道双向传输。

关键词：资源竞争配对多用户环境全双工网络同信道干扰关键问题技术手段间隙检测节点匹配竞争接入流量平衡上行参数双向传输无线网络有效解决多终端全双工同信道轮询适配匹配上行传输反馈评估

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一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法

一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法

引用

作者：狄增峰马骏张苗王刚贾鹏飞汪子文王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法，包括如下步骤：S1：提供一Ge衬底，对所述Ge衬底进行离子注入；S2：进行退火，使所述Ge衬底中的注入离子至少有一部分析出到所述Ge衬底表面，以增加所述Ge衬底表面的石墨烯成核点；S... 详细信息

标准号: CN107653446A

本发明提供一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法，包括如下步骤：S1：提供一Ge衬底，对所述Ge衬底进行离子注入；S2：进行退火，使所述Ge衬底中的注入离子至少有一部分析出到所述Ge衬底表面，以增加所述Ge衬底表面的石墨烯成核点；S3：提供碳源，在所述Ge衬底表面生长得到石墨烯。本发明为石墨烯在Ge表面的生长提供了更多的成核点，从而提高石墨烯的成核密度，大大的增加了石墨烯的生长速度，有利于减少石墨烯的生产成本，并可以通过调节离子的注入剂量与注入能量来调制石墨烯的成核密度。

关键词：石墨烯衬底表面衬底成核生长成核点离子退火注入剂量注入离子注入能量析出调制生产成本

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一种基于MEMS工艺的光纤F-P应变计及成型方法

一种基于MEMS工艺的光纤F-P应变计及成型方法

引用

作者：钟少龙 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤F‑P应变计及成型方法，属于高精度光纤传感测量领域。所述光纤F‑P应变计主要包括F‑P应变敏感MEMS芯片和准直扩束光纤；其中，F‑P应变敏感MEMS芯片由SOI应变梁、玻璃固定极和硅套管组成；SOI应变梁包... 详细信息

标准号: CN104501729B

本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤F‑P应变计及成型方法，属于高精度光纤传感测量领域。所述光纤F‑P应变计主要包括F‑P应变敏感MEMS芯片和准直扩束光纤；其中，F‑P应变敏感MEMS芯片由SOI应变梁、玻璃固定极和硅套管组成；SOI应变梁包括顶层硅、中间氧化层和底层硅；SOI应变梁通过硅‑玻璃阳极键合固定在玻璃固定极上，玻璃固定极通过硅‑玻璃阳极键合固定在硅套管上，准直扩束光纤通过焊料固定在硅套管上；所述F‑P压力敏感MEMS芯片基于MEMS微加工技术制备，可以实现器件的微型化、批量化制作；应变计具有高精细度的F‑P干涉谱、可以采用波长信号解调获得高灵敏度和高测量精度而且可以通过波分复用和时分复用实现多只应变计在单芯光纤上的串接。

关键词：应变计玻璃固定应变梁光纤套管玻璃阳极键合准直扩束焊料微型化中间氧化层波长信号波分复用测量领域单芯光纤高精细度高灵敏度光纤传感时分复用压力敏感敏感底层硅顶层硅干涉谱批量化串接解调制备成型测量制作

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一种车辆存在检测装置及方法

一种车辆存在检测装置及方法

引用

作者：鲍星合何为徐畅赵飞飞罗珊珊郑春雷 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

本发明涉及一种车辆存在检测装置及方法，装置包括两个多普勒微波雷达传感器模块、地磁传感器和处理器，所述两个多普勒微波雷达模块以和水平面成一定的夹角的方式背靠背呈正立的等腰三角形方式安装，所述地磁传感器工作在值守模式用于... 详细信息

标准号: CN105242263B

本发明涉及一种车辆存在检测装置及方法，装置包括两个多普勒微波雷达传感器模块、地磁传感器和处理器，所述两个多普勒微波雷达模块以和水平面成一定的夹角的方式背靠背呈正立的等腰三角形方式安装，所述地磁传感器工作在值守模式用于间隙性地检测当前磁场值，并将检测的结果输入至所述处理器。方法包括所述处理器将地磁传感器检测到的磁场值和背景值对比，判断是否存在车辆扰动存在，当存在车辆扰动时，处理器控制两个多普勒微波雷达传感器模块进行检测，所述处理器根据两个多普勒微波雷达传感器模块检测到的车辆到达或离开两个检测区域的先后关系判断车辆存在信息。本发明在满足低功耗的同时，实现了高准确度的检测目的。

关键词：多普勒微波雷达传感器处理器地磁传感器检测扰动磁场存在检测装置背靠背处理器控制等腰三角形多普勒准确度车辆到达间隙性地检测区域模块检测微波雷达先后关系低功耗

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一种微电极阵列芯片及其制作方法

一种微电极阵列芯片及其制作方法

引用

作者：吴蕾李刚金庆辉赵建龙 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种微电极阵列芯片及其制作方法，所述制作方法包括：在第一基底上制作微电极阵列结构；在第二基底上制作带有微管道阵列的覆盖层；将覆盖层揭下并在所述覆盖层上打孔，形成进样口阵列；将带有进样口阵列的覆盖层与微电极阵... 详细信息

标准号: CN107758605A

本发明提供一种微电极阵列芯片及其制作方法，所述制作方法包括：在第一基底上制作微电极阵列结构；在第二基底上制作带有微管道阵列的覆盖层；将覆盖层揭下并在所述覆盖层上打孔，形成进样口阵列；将带有进样口阵列的覆盖层与微电极阵列结构对准贴合；在进样口处加入可热分解聚合物溶液并使其充满整个微管道，对其进行加热固化，而后揭去带有进样口阵列的覆盖层；在S7所述结构上形成具有刺激口阵列的光刻胶固化膜；对S8所述结构进行加热，使可热分解聚合物汽化挥发，形成微管道阵列结构；之后在微管道阵列结构上方粘接培养腔环。通过本发明所述的微电极阵列芯片及其制作方法，解决了现有技术中所述微电极阵列芯片无法对刺激位点进行精确定位的问题。

关键词：覆盖层进样口微管道微电极阵列芯片制作可热分解聚合物微电极阵列阵列结构基底汽化加热固化结构对准刺激打孔固化膜光刻胶培养腔挥发贴合位点粘接加热

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用于3D PDMS微流控芯片制作的对准结构、对准组装方法及其用途

用于3D PDMS微流控芯片制作的对准结构、对准组装方法及其用途

引用

作者：吴蕾徐铁刚赵建龙 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及3D PDMS微流控芯片对准组装结构和方法。通过拉链结构实现对准组装，用与PDMS芯片制作兼容的工艺，在要对准的两层PDMS上分别制作有凸链牙和凹链牙交错排列的半拉链，两两对准组装构成一个完整的拉链结构。对准组装时，在等... 详细信息

标准号: CN108311177A

本发明涉及3D PDMS微流控芯片对准组装结构和方法。通过拉链结构实现对准组装，用与PDMS芯片制作兼容的工艺，在要对准的两层PDMS上分别制作有凸链牙和凹链牙交错排列的半拉链，两两对准组装构成一个完整的拉链结构。对准组装时，在等离子体处理后的PDMS表面滴加润滑剂，再将一层PDMS固定在硬性基底上，另一层与之贴合，在显微镜下用手滑动上层PDMS，实现最初几个链牙的咬合，再用手或镊子轻敲上层PDMS以实现整个拉链结构的咬合，最后加热组装好的两层PDMS以实现永久键和。该方法无需额外的对准设备、操作简单快速，能够获得大面积高精度的对准，拉链结构面积小，能充分保证主要图形结构的芯片利用率。所得PDMS拉链结构应用于三维PDMS微流控芯片的制作。

关键词：对准拉链结构组装微流控芯片拉链两层咬合制作上层等离子体处理芯片利用率镊子对准设备交错排列图形结构组装结构润滑剂永久键滑动凹链滴加基底链牙贴合凸链显微镜加热三维兼容应用保证

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一种高冲击加速度计热灵敏度漂移的测试装置与方法

一种高冲击加速度计热灵敏度漂移的测试装置与方法

引用

作者：鲍海飞宋朝辉刘民李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

本发明涉及一种高冲击加速度计热灵敏度漂移的测试装置，包括温控箱、金属杆、第一信号放大电路、第二信号放大电路和计算机，所述金属杆一端用于固定待测加速度计，另一端用于固定参考加速度计，所述用于固定待测加速度计的一端置于温... 详细信息

标准号: CN108037315A

本发明涉及一种高冲击加速度计热灵敏度漂移的测试装置，包括温控箱、金属杆、第一信号放大电路、第二信号放大电路和计算机，所述金属杆一端用于固定待测加速度计，另一端用于固定参考加速度计，所述用于固定待测加速度计的一端置于温控箱内，用于固定参考加速度计的一端置于温控箱外；所述第一信号放大电路用于放大所述待测加速度计的输出信号，所述第二信号放大电路用于放大参考加速度计的输出信号；所述计算机分别与第一信号放大电路和第二信号放大电路输出端相连，通过比较法得到待测加速度计灵敏度输出随温度的变化关系。本发明还涉及测试方法。本发明具有冲击加速度大、直接、快速、安全可靠和较为准确的特点。

关键词：加速度计放大电路第二信号固定参考输出信号金属杆温控箱比较法放大放大电路输出端高冲击加速度计加速度计灵敏度漂移变化关系测试装置热灵敏度计算机温控测试参考输出

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