检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：张华辉刘文叔娄豫皖夏保佳田方 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种锂离子动力蓄电池的电量校正和控制方法。首先，给锂离子电池以标准充电制度充电，周期测量电池的端电压，在测量电压中利用差值电压DELTA‑VH确定电池的电量参数，校正电池的电量，利用端电压判断此时电池的循环次数当量... 详细信息

标准号: CN102761141B

本发明提供一种锂离子动力蓄电池的电量校正和控制方法。首先，给锂离子电池以标准充电制度充电，周期测量电池的端电压，在测量电压中利用差值电压DELTA‑VH确定电池的电量参数，校正电池的电量，利用端电压判断此时电池的循环次数当量、老化程度或健康状态。然后将这些信息显示给电池的使用者以便电池的使用者知道电池的当前的状态(比如电池的当前的最大充电容量和电池的健康状态)。再将电池经过一个受控的放电过程使电池或电池组工作在最佳SOC区间并达到指定的剩余容量范围。本发明适合于纯电动汽车(EV)和混合电动汽车(HEV)的电量管理，能够延长电池的使用寿命。

关键词：电池端电压健康状态校正电量电池组混合电动汽车纯电动汽车动力蓄电池锂离子电池测量电压差值电压充电容量充电制度电量参数电量管理放电过程剩余容量使用寿命信息显示周期测量锂离子受控充电老化

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一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法

一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法

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作者：艾立鹍徐安怀齐鸣周书星 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气... 详细信息

标准号: CN103794644B

本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300‑350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH₃于1000℃进行裂解，得到P₂用作Ps源，调节气源炉PH₃压力P_V为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。

关键词：衬底解析制备生长双异质结双极晶体管气态源分子束外延表面氧化层外延缓冲层亚集电极层表面解吸衬底表面发射极层集电极层磷化铟基外延材料外延生长预处理室半绝缘基极层截止层均匀性生长室渐变除气盖层裂解气源去除加热送入腐蚀传递保证

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去除移动心电中运动干扰的前馈组合自适应滤波器

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华南理工大学学报（自然科学版） 2017年第12期45卷 65-70页

作者：张洹千张树林杜晓薇金庆辉李擎杨坚赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100049 徐汇区中心医院上海200031

最小均方自适应滤波器(LMS-AF)和变步长LMS-AF(VSS-LMS-AF)通常用来去除移动心电信号中的运动干扰.运动干扰和移动心电信号的非稳态特性会增加自适应滤波器的失调,组合自适应滤波器(C-AF)虽具有跟踪非稳态信号的能力,但仍存在信号失真.... 详细信息

最小均方自适应滤波器(LMS-AF)和变步长LMS-AF(VSS-LMS-AF)通常用来去除移动心电信号中的运动干扰.运动干扰和移动心电信号的非稳态特性会增加自适应滤波器的失调,组合自适应滤波器(C-AF)虽具有跟踪非稳态信号的能力,但仍存在信号失真.为了进一步减小信号失真,提高去除运动干扰的能力,提出了一种前馈组合自适应滤波器(FFC-AF),采用参考信号对运动干扰的稳态程度进行估计,将两个并行的自适应滤波器的输出组合起来.用10位健康志愿者的移动心电记录进行了仿真实验,以评估FFCAF的性能.结果表明,文中提出的FFC-AF比C-AF具有更小的信号失真和更大的信号干扰率,可以用于移动心电信号中运动干扰的去除.

关键词：移动心电运动干扰自适应滤波器信号失真信号干扰率

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硅基Ge光探测器阵列

硅基Ge光探测器阵列

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作者：仇超武爱民盛振高腾甘甫烷赵颖璇李军 201800 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室

本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括：1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+... 详细信息

标准号: CN206849844U

本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括：1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。实用新型通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。

关键词：硅基掺杂区光探测器光电流表面形成光探测器阵列掺杂层本征串扰深槽探测器阵列结构本实用新型上金属电极隔离结构结构边缘硅衬底减小刻蚀制作

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一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法

一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法

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作者：宋志棠朱敏 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法，在所述相变存储器中的相变层与上电极界面、相变层中间以及相变层与下电极界面加入石墨烯，以改善相存储器单元的器件性能。在相变层与上电极界面加入石墨烯，能够减小重复操作中相... 详细信息

标准号: CN105047815B

本发明提供一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法，在所述相变存储器中的相变层与上电极界面、相变层中间以及相变层与下电极界面加入石墨烯，以改善相存储器单元的器件性能。在相变层与上电极界面加入石墨烯，能够减小重复操作中相变材料与上电极形成空洞的可能性，降低器件的失效概率；在相变层中间插入石墨烯，能够有效的将相变区域与非晶变区域隔开，限制有效区域大小，从而提高器件性能的稳定性；在相变层与下电极界面加入石墨烯，能够有效的抑制可逆操作过程中下电极与相变层之间的元素扩散，从而提高相变薄膜组分稳定性，延长器件寿命。

关键词：石墨烯相变存储器电极界面器件性能下电极存储器单元组分稳定性电极形成降低器件可逆操作器件寿命失效概率石墨烯层相变薄膜相变材料相变区域有效区域元素扩散重复操作电极隔开减小与非制备空洞

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SOI动态阈值晶体管

SOI动态阈值晶体管

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作者：陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降... 详细信息

标准号: CN104362174B

本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。

关键词：体接触区叉指栅极接触孔器件阈值电压低功耗应用亚阈值斜率阈值晶体管饱和电流电流增大寄生电容寄生电阻截止状态开启状态射频应用泄露电流电容电压低公用的体效应栅电阻衬底漏区源区半导体陡峭应用

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一种应用于静态随机存储器电路的高速电流灵敏放大器

一种应用于静态随机存储器电路的高速电流灵敏放大器

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作者：陈静何伟伟罗杰馨王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种灵敏放大器，至少包括：电流隔离电路，用于隔离输入信号及输出信号；连接于所述电流隔离电路的电流放大电路，用于将输入电流放大，并输出相应电压信号；连接于所述电流放大电路的降压电路，用于对所述电流放大电路输出... 详细信息

标准号: CN104681055B

本发明提供一种灵敏放大器，至少包括：电流隔离电路，用于隔离输入信号及输出信号；连接于所述电流隔离电路的电流放大电路，用于将输入电流放大，并输出相应电压信号；连接于所述电流放大电路的降压电路，用于对所述电流放大电路输出的信号进行降压；连接于所述降压电路的锁存电路，用于锁存所述降压电路输出的信号；连接于所述锁存电路的偏置电路，用于为所述锁存电路提供偏置。本发明的高速电流灵敏放大器不仅时序控制简单，而且有效缩短灵敏放大器读取时间，适于静态随机存储器电路设计，特别适于高速度设计。另外，基于0.13微米SOI CMOS工艺，其仿真结果显示：当灵敏放大器输出电压高电平为70％VDD时，所需时间为51pS。

关键词：灵敏放大器电流放大电路降压电路锁存电路电流隔离输出电路静态随机存储器读取隔离输入信号电路设计电压信号仿真结果高速电流偏置电路时序控制输出电压输出信号输入电流高电平降压偏置锁存放大

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表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构

表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构

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作者：陈静何伟伟罗杰馨王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构，所述存储器单元的表征抗电流噪声容限的方法步骤为：扫描单元第一存储节点的电压，得到该扫描电压与供电电流关系曲线；反扫描第二存储节点的电压，得到该扫描电压与... 详细信息

标准号: CN104200836B

本发明提供一种表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构，所述存储器单元的表征抗电流噪声容限的方法步骤为：扫描单元第一存储节点的电压，得到该扫描电压与供电电流关系曲线；反扫描第二存储节点的电压，得到该扫描电压与供电电流关系曲线；将两条曲线叠加得一相交于三点的曲线；计算两侧点分别与中间点的电流差值，取两者较小值，其值即为单元的最大抗电流噪声容限值；本发明还提供本表征单元抗电流噪声容限的测试结构。本发明的表征静态随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构具有直观、测量精确，适用性强等优点。

关键词：电流噪声容限测试结构存储节点供电电流关系曲线扫描电压静态随机存储器单元随机存储器单元存储器单元表征单元扫描单元反扫描中间点叠加相交测量直观

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一种波荡器

一种波荡器

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作者：乔山常睿季福昊叶茂 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种波荡器，其中，所述波荡器至少包括：M个沿电子束传输方向依次排列的永磁铁周期，每个所述永磁铁周期包括四排永磁铁结构，每排所述永磁铁结构包括N排永磁铁组，每排所述永磁铁组包括K个永磁铁单元，其中，M、N、K均为大... 详细信息

标准号: CN104409129B

本发明提供一种波荡器，其中，所述波荡器至少包括：M个沿电子束传输方向依次排列的永磁铁周期，每个所述永磁铁周期包括四排永磁铁结构，每排所述永磁铁结构包括N排永磁铁组，每排所述永磁铁组包括K个永磁铁单元，其中，M、N、K均为大于等于1的自然数；四排所述永磁铁结构两两配对后相对设置于电子束传输方向的两侧，并能通过相对位移形成至少一种复合磁场，以使电子束通过所述复合磁场时产生椭圆偏振光、圆偏振光或0°～360°任意极化角度方向的线偏振光，并使电子速度方向偏离所述波荡器轴线方向。本发明既能产生线偏振光，又能产生椭圆及圆偏振光，且能使电子速度方向永远不沿波荡器轴线方向，从而大大降低同步辐射光束线的热负载。

关键词：永磁铁波荡器电子束传输复合磁场线偏振光永磁铁组圆偏振光轴线方向电子束同步辐射光束线椭圆偏振光永磁铁单元方向偏离相对设置相对位移依次排列极化热负载椭圆配对

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一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层

一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层

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作者：马英杰顾溢张永刚 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效... 详细信息

标准号: CN106601839A

本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。

关键词：异变缓冲层结构激光器材料结晶递变结构两层材料器件性能位错缺陷低缺陷过渡层厚度比缓冲层探测器层厚衬底晶格失配异质阻挡传递应用

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