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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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作者

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一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法

一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法

引用

作者：张燕辉于广辉肖润涵陈志蓥 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，包括以下步骤：S1：铜基合金衬底退火；S2：通入碳源开始石墨烯生长，按氢碳比的不同分为三个阶段：第一阶段，以（80~10000）:1的高氢碳比气氛维持一定时间，使石墨烯无法在... 详细信息

标准号: CN115505859B

本发明提供一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，包括以下步骤：S1：铜基合金衬底退火；S2：通入碳源开始石墨烯生长，按氢碳比的不同分为三个阶段：第一阶段，以（80~10000）:1的高氢碳比气氛维持一定时间，使石墨烯无法在衬底表面形成，保证足量碳源均匀溶入铜基合金衬底；第二阶段，相比第一阶段降低气氛中的氢碳比使其低于80:1，维持一定时间，使衬底表面迅速形成单层石墨烯；第三阶段，相比第二阶段同时降低氢气和碳源浓度并降温，实现多层石墨烯生长；S3：结束生长。本发明方法操作简单，重复性好，不仅可以明显提高铜基合金衬底上多层石墨烯的覆盖率，而且有利于提高多层石墨烯层数均匀性。

关键词：多层石墨烯铜基合金衬底衬底表面氢碳比石墨烯生长退火单层石墨烯覆盖率碳源浓度氢气均匀性高氢足量保证

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一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法

一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法

引用

作者：郑敏毛嘉辉谭冲刘洪李慧貟超杜大才 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法，其特征在于，包括以下步骤：构建边缘网络系统，所述边缘网络系统包括相互通信的单个基站和多个终端设备；搭建本地计算模块和任务卸载模块，实现对终端任务的卸载决策；根据所... 详细信息

标准号: CN117279096A

本发明涉及一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法，其特征在于，包括以下步骤：构建边缘网络系统，所述边缘网络系统包括相互通信的单个基站和多个终端设备；搭建本地计算模块和任务卸载模块，实现对终端任务的卸载决策；根据所述本地计算模块和任务卸载模块，确定状态空间、动作空间和奖励函数，获得深度学习框架；基于所述深度学习框架，采用改进的DDPG算法构建资源调度模型，所述改进的DDPG算法在原有DDPG算法生成的动作策略中加入了噪声；利用训练好的资源调度模型获得最优卸载决策，使所述终端任务的处理时延最小。本发明的资源调度方法能够动态适应信道状态时变，并支持任务部分卸载的边缘网络资源调度。

关键词：资源调度边缘网络计算模块任务卸载卸载决策算法终端改进处理时延单个基站动态适应动作策略动作空间模型获得算法构建算法生成信道状态终端设备状态空间构建时变卸载噪声学习奖励通信

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一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法

一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法

引用

作者：武爱民吴龙生冯大增 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法，所述光接收芯片设置有探测器阵列、光波导和光口；所述探测器阵列中的探测器的外围均设置有U型电磁屏蔽环。本发明的U型电磁屏蔽环极大增强了探测器的抗电磁干扰能力，使得... 详细信息

标准号: CN116259609A

本发明涉及一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法，所述光接收芯片设置有探测器阵列、光波导和光口；所述探测器阵列中的探测器的外围均设置有U型电磁屏蔽环。本发明的U型电磁屏蔽环极大增强了探测器的抗电磁干扰能力，使得探测器阵列中的相邻探测器距离可以进一步缩小，实现更高集成度的硅基光接收芯片设计，具有良好的市场应用前景。

关键词：探测器阵列光接收电磁屏蔽探测器硅基芯片抗电磁干扰能力抗电磁干扰相邻探测器高集成度市场应用芯片设计光波导光口制备外围

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一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法

一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法

引用

作者：陈垒郁淑婕王悦王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法，所述场效应超导约瑟夫森结器件包括：衬底、桥结左岸电极、桥结右岸电极、绝缘沟道、纳米桥、绝缘介质层及电压极；所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极及所述桥结右岸电极相互隔离；... 详细信息

标准号: CN116209343A

本发明提供一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法，所述场效应超导约瑟夫森结器件包括：衬底、桥结左岸电极、桥结右岸电极、绝缘沟道、纳米桥、绝缘介质层及电压极；所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极及所述桥结右岸电极相互隔离；所述纳米桥横跨所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极与所述桥结右岸电极连接；所述绝缘介质层包覆所述纳米桥；所述电压极位于所述绝缘介质层上侧，向所述纳米桥施加调制电场。本发明提供的场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法能够解决现有约瑟夫森场结效应管临界电流过低，工作温度过低，无法应在超导集成电路中的问题。

关键词：桥结电极超导约瑟夫森结绝缘介质层绝缘沟道场效应电压极制备超导集成电路电场电极连接临界电效应管包覆衬底调制横跨隔离施加

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一种声学谐振器及其制备方法、滤波器

一种声学谐振器及其制备方法、滤波器

引用

作者：欧欣郑鹏程张师斌吴进波张丽萍 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅&a... 详细信息

标准号: CN116633304A

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅<110>晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。

关键词：多边形空腔衬底声学谐振器压电薄膜层刻蚀通孔支撑机械性能半导体技术领域滤波器单晶硅叉指电极依次设置电学晶向周面制备连通申请

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体声波谐振器的调谐方法

体声波谐振器的调谐方法

引用

作者：赵佳母志强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提出一种体声波谐振器的调谐方法，体声波谐振器的调谐方法包括：压电薄膜包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；通过固定压电薄膜的总厚度，改变不同极性的极性压电薄膜的层数。极性压电薄... 详细信息

标准号: CN116248067A

本发明提出一种体声波谐振器的调谐方法，体声波谐振器的调谐方法包括：压电薄膜包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；通过固定压电薄膜的总厚度，改变不同极性的极性压电薄膜的层数。极性压电薄膜层数越多，越能激发更高阶谐振模式，谐振频率越大；体声波谐振器的调谐方法利用分层制备极性相反的极性压电薄膜，在不降低压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，激发更高阶谐振模式，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时，提高滤波器工作频率。

关键词：压电薄膜调谐体声波谐振器极性相反谐振模式高阶谐振器谐振频率滤波器工艺及设备声波谐振器压电薄膜层工作频率过渡电极谐振频率激发分层两层制备种体引入

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基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法

基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法

引用

作者：林志荣刘匡江文兵王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法，先将微波脉冲转换为SFQ脉冲信号；其次，将SFQ脉冲信号复制为N路与之相同的SFQ子脉冲信号；再将N路SFQ子脉冲信号分别转换为N路周期不同的SFQ输出脉冲信号；最后，将N路SFQ输... 详细信息

标准号: CN113037294B

本发明提供一种基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法，先将微波脉冲转换为SFQ脉冲信号；其次，将SFQ脉冲信号复制为N路与之相同的SFQ子脉冲信号；再将N路SFQ子脉冲信号分别转换为N路周期不同的SFQ输出脉冲信号；最后，将N路SFQ输出脉冲信号分别耦合到转变频率与之匹配的量子比特，从而实现对N个不同周期的量子比特的控制；本发明通过单个微波源驱动的DC/SFQ转换器实现对多个不同频率的量子比特进行状态控制，节省了微波源、DC/SFQ转换器、微波源到DC/SFQ转换器之间的微波器件和连线的数量，有利于低温条件下实现对较大规模量子比特的控制及对应装置的集成。

关键词：量子转换器微波源脉冲信号输出脉冲子脉冲超导电子学低温条件对应装置控制装置微波脉冲微波器件状态控制耦合到转换连线匹配复制驱动

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一种基于驻极体的静电平板驱动器

一种基于驻极体的静电平板驱动器

引用

作者：凌必赟夏彧虎吴亚明王潇悦蔡敏力 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于驻极体的静电平板驱动器，包括透明基底，其上设有锚点；可动平板电极，通过弹性梁连接锚点；固定电极，布置在透明基底的上表面，且与可动平板电极位置相对，用于驱动可动平板电极做离面平移运动和离面扭转运动中的... 详细信息

标准号: CN117013869A

本发明提供一种基于驻极体的静电平板驱动器，包括透明基底，其上设有锚点；可动平板电极，通过弹性梁连接锚点；固定电极，布置在透明基底的上表面，且与可动平板电极位置相对，用于驱动可动平板电极做离面平移运动和离面扭转运动中的至少一种；发射电极，布置在可动平板电极的下表面，其接收自透明基底下表面照射的激励光，从而释放出电子；驻极体薄膜，由布置在固定电极上表面的可充电薄膜捕获并固定从发射电极释放的电子而成，用于向固定电极提供偏置电压。本发明还提供了相应的静电平板驱动器的制作方法。本发明的静电平板驱动器能够将驻极体兼容入静电平板驱动器中，以降低静电驱动电压。

关键词：平板驱动器平板电极可动固定电极静电发射电极上表面驻极体基底锚点透明静电驱动电压基底下表面驻极体薄膜扭转运动偏置电压平移运动位置相对释放弹性梁激励光可充电下表面薄膜捕获照射兼容驱动制作

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一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法

一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法

引用

作者：解晨晨李喜王倩陈后鹏宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法，其中，相变存储器单元结构包括第一相变器件、第二相变器件、第一选通器件、第二选通器件和第三选通器件；第一相变器件的第一端连接第一位线，第二相变器件的第一端连接... 详细信息

标准号: CN115631776A

本发明涉及一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法，其中，相变存储器单元结构包括第一相变器件、第二相变器件、第一选通器件、第二选通器件和第三选通器件；第一相变器件的第一端连接第一位线，第二相变器件的第一端连接第二位线；第一相变器件的第二端、第一选通器件的漏极和第三选通器件的漏极连接在一起；第二相变器件的第二端、第二选通器件的漏极和第三选通器件的源极连接在一起；第一选通器件的栅极和第二选通器件的栅极连接在一起作为相变存储器单元的字线，第三选通器件的栅极连接选通线，第一选通器件的源极和第二选通器件的源极均接地。本发明能够降低相变存储器芯片的成本。

关键词：选通器件相变器件相变存储器单元漏极栅极连接第一端位线相变存储器芯片相变存储器阵列源极均接地源极连接选通线源极字线驱动

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一种改性电极及其制备方法和用途

一种改性电极及其制备方法和用途

引用

作者：王雪凤苏莉施嘉慈许鹏程李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种改性电极及其制备方法和用途，所述改性电极包括电极，所述电极的工作区域覆盖有复合材料层，所述复合材料层为含有银铂合金纳米颗粒和还原氧化石墨烯的高分子聚合物膜层。本发明提供一种简单有效的改性电极，基于电化学... 详细信息

标准号: CN113267546B

本发明提供一种改性电极及其制备方法和用途，所述改性电极包括电极，所述电极的工作区域覆盖有复合材料层，所述复合材料层为含有银铂合金纳米颗粒和还原氧化石墨烯的高分子聚合物膜层。本发明提供一种简单有效的改性电极，基于电化学技术与丝网印刷电极，能够快速准确的检测液体中甲醛含量；测定方法简便快捷，无需复杂的仪器操作和前处理过程；检测成本低，甚至改性电极可一次性使用；检出时间快，仅需100秒就能完成测试；具有良好的灵敏度，可满足饮料中甲醛含量测试的要求。

关键词：改性电极复合材料层电极甲醛高分子聚合物膜还原氧化石墨烯工作区域覆盖丝网印刷电极电化学技术含量测试检测液体纳米颗粒仪器操作银铂合金灵敏度前处理检出制备饮料测试检测

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