检索结果-内蒙古大学图书馆

压电与声光 2011年第3期33卷 382-385,389页

作者：陈立国邵超刘德利陈涛朱永杨哈尔滨工业大学机器人研究所黑龙江哈尔滨150001 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

设计、研制了进行微量、快速、精确试剂分配的压电叠堆泵,研究了压电叠堆泵的结构及工作原理,利用解析法和有限元仿真分析法对泵膜、位移放大机构的静态、动态特性进行了分析和研究,并研究了关键参数对泵性能的影响。对样机进行实验研究... 详细信息

设计、研制了进行微量、快速、精确试剂分配的压电叠堆泵,研究了压电叠堆泵的结构及工作原理,利用解析法和有限元仿真分析法对泵膜、位移放大机构的静态、动态特性进行了分析和研究,并研究了关键参数对泵性能的影响。对样机进行实验研究,研究了压电叠堆泵的输出流量、压力分别同加载电压及频率的关系,并测试了压电叠堆泵和试剂泵的输出流量的重复精度和精度。实验结果表明,该文研制的压电叠堆泵能满足微量、快速、精确的试剂分配的要求。

关键词：微量试剂分配微泵压电叠堆微位移放大机构

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应用于无屏蔽心磁测量中的平面三轴磁强计

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低温物理学报 2011年第5期33卷 364-368页

作者：刘扬波张树林曾佳王永良孔祥燕谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院研究生院

目前,无屏蔽心磁测量中主要的噪声抑制技术是梯度计.通常,由于制作工艺不完美和结构不对称等原因,梯度计具有一定的不平衡性.为了提高梯度计的噪声抑制能力,需要采用磁强计进行补偿.本文基于低温超导量子干涉仪(SQUID)设计并制作了平面... 详细信息

目前,无屏蔽心磁测量中主要的噪声抑制技术是梯度计.通常,由于制作工艺不完美和结构不对称等原因,梯度计具有一定的不平衡性.为了提高梯度计的噪声抑制能力,需要采用磁强计进行补偿.本文基于低温超导量子干涉仪(SQUID)设计并制作了平面三轴磁强计.设计思想是通过增加磁通反馈线圈与SQUID间的互感系数,减小了三轴磁强计间的相互串扰,增加了磁强计的动态响应范围,满足城市无屏蔽环境中长时间稳定工作的要求.该平面三轴磁强计成功地应用于无屏蔽心磁图仪中,得到了高信噪比的心磁信号.

关键词：磁强计心磁图仪超导量子干涉仪

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Cu上石墨烯的化学气相沉积法生长研究

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功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 486-490页

作者：师小萍于广辉王斌吴渊文中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征。主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处... 详细信息

利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征。主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处理Cu箔可以腐蚀Cu箔表面的各种杂质提高Cu箔的洁净度从而提高石墨烯的结晶质量,优化CH4和H2的气体流量可以提高石墨烯的单层性和均匀性。并最终在CH4:H2=200:0 sccm条件下,在氨水处理过的Cu箔上获得了面积1.5 cm×1.5 cm的均匀的单层石墨烯。

关键词：石墨烯化学气相沉积(CVD) 表面处理拉曼

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基于集成参比电极的多参数水质监测微传感器阵列研制

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传感器与微系统 2011年第10期30卷 99-101,105页

作者：张缓缓刘彬金庆辉刘咏松浙江理工大学理学院浙江杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

研究了一种基于MEMS工艺制备的集成微电极型传感器,并用电化学修饰方法将Ag/AgCl参比电极集成在传感器上,用于水体中温度、电导率和氧化还原电位的测定。Pt温度传感器的电阻与温度的线性关系良好,满足温度测量精度的需求;比较法确定电... 详细信息

研究了一种基于MEMS工艺制备的集成微电极型传感器,并用电化学修饰方法将Ag/AgCl参比电极集成在传感器上,用于水体中温度、电导率和氧化还原电位的测定。Pt温度传感器的电阻与温度的线性关系良好,满足温度测量精度的需求;比较法确定电导率传感器的电极常数为2.723,可以对一般水体的电导率进行测定;氧化还原电位传感器的标准曲线斜率为0.99733接近于理论值,表明它可以准确表示水体的氧化还原电位值。

关键词：微机电系统技术 Ag/AgCl参比电极集成微电极水质监测

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肿瘤微血管芯片的制备及其应用

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功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 505-512页

作者：翟万银吴蕾贾春平邵建波徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200068 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

肿瘤血管结构不同于正常组织血管,由内皮细胞松散地围成不完整的管道,呈高通透性。为建立体外简便、有效、低廉的肿瘤血管模型,本研究采用微加工技术,制作了肿瘤血管微流控芯片。芯片包括24 mm长50μm宽40μm深的微管道和一侧的微腔体... 详细信息

肿瘤血管结构不同于正常组织血管,由内皮细胞松散地围成不完整的管道,呈高通透性。为建立体外简便、有效、低廉的肿瘤血管模型,本研究采用微加工技术,制作了肿瘤血管微流控芯片。芯片包括24 mm长50μm宽40μm深的微管道和一侧的微腔体以及两者之间的微缝。微管道中部设有膨胀区域以模拟肿瘤血管结构。在微管道内导入血管内皮细胞,培养形成细胞壁垒。通过促进细胞迁移而使得细胞壁垒出现稳定的泄漏点,使血管芯片具有通透性,并对体内调控血管通透性分子组胺和MMP2产生与体内相似的反应。在此基础上发现,原花青素对血管通透性有显著抑制作用,而抗癌药物依立替康则有促进作用,显示该肿瘤血管微流控芯片初步具备了肿瘤血管通透性调控分析的功能。

关键词：肿瘤血管微流控芯片血管内皮细胞通透性

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0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应

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物理学报 2011年第11期60卷 489-493页

作者：刘张李胡志远张正选邵华宁冰旭毕大炜陈明邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化... 详细信息

对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好.深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.

关键词：总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷 MOSFET

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一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器

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微电子学 2011年第4期41卷 540-544页

作者：宏潇陈后鹏宋志棠刘波中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对... 详细信息

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对相变存储单元的低频噪声干扰,能够改进相变存储器性能。电路采用40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,功耗为1.26 mW,RMS抖动为0.83 ps,p-p抖动为5.14 ps,芯片面积为80μm×90μm。

关键词：相变存储器时钟发生器压控振荡器

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用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵

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微电子学 2011年第6期41卷 848-851页

作者：富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩丁晟李喜宏潇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负... 详细信息

针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负载电流为10mA,电源效率最高可达94%。

关键词：电荷泵 DC-DC变换器相变存储器

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高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究

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功能材料 2011年第7期42卷 1335-1338,1341页

作者：陈息林余涛吴雪梅董尧君诸葛兰剑苏州大学分析测试中心江苏苏州215123 苏州大学物理系江苏苏州215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面... 详细信息

利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。

关键词：高k栅介质 Ta2O5 MOSFET器件微结构电学性质

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体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料

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功能材料与器件学报 2011年第2期17卷 147-150页

作者：薛忠营张波魏星张苗中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲... 详细信息

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。

关键词：外延应变锗硅 SGOI

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