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P型MOSFET及其制造方法
P型MOSFET及其制造方法
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作者： 李中华 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
本发明公开了一种P型MOSFET，包括：由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的栅极结构；栅介质层形成于半导体衬底表面上，被栅极结构所覆盖的半导体衬底中形成有由N阱组成的沟道区；N阱由退火后的磷注入区、第一砷注入区和第二砷注入区... 详细信息
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一种减小光刻沟槽线宽极限的方法
一种减小光刻沟槽线宽极限的方法
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作者： 刘骏秋 叶志超 贾海燕 311121 浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路998号5幢503-4室
本发明为一种减小光刻沟槽线宽极限的方法，属于半导体制备领域，克服了现有的光刻机线宽的限制，可替代采用更高精度的光刻机获得沟槽的方法，采用技术方案如下：步骤1，在半导体衬底表面形成下包层；步骤2，在所述下包层表面涂覆光刻... 详细信息
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一种高阻值多晶硅电阻的制造方法
一种高阻值多晶硅电阻的制造方法
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作者： 郑书红 王乐平 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
本发明提供一种高阻值多晶硅电阻的制造方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区，在半导体衬底的多晶硅高阻区内形成高阻值多晶硅；在半导体衬底表面沉积牺牲氧化层；刻蚀去除NMOS区内预定形成源/漏... 详细信息
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半导体结构及其形成方法
半导体结构及其形成方法
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作者： 三重野文健 周永昌 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部和侧壁以及所述外延层表面的第一栅极氧化层；位于所述栅... 详细信息
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二极管及其制造方法
二极管及其制造方法
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作者： 王雷 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
本发明公开了一种二极管的制造方法，二极管的横向接触的第一掺杂区和第二掺杂区的形成步骤包括：步骤一、在半导体衬底表面上形成第二导电类型的第三掺杂区；步骤二、进行第一导电类型杂质注入在第三掺杂区中形成第一注入层；步骤三、... 详细信息
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一种半导体器件的制造方法
一种半导体器件的制造方法
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作者： 钮锋 葛芯汝 266246 山东省青岛市黄岛区红石崖街道山王河路1088号
本发明提供一种半导体器件的制造方法，先采用硅化物工艺在半导体衬底表面形成自对准金属硅化物，再形成高k介质层及金属栅极，使高k介质层及金属栅极避免了前段工艺中的所有的高温步骤，从而能够解决高k介质层及金属栅极高温后出现的... 详细信息
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半导体结构及其形成方法
半导体结构及其形成方法
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作者： 周永昌 三重野文健 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极沟槽；栅极氧化层，位于所述栅极沟槽底部和侧壁以及所述外延... 详细信息
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半导体器件及其制造方法
半导体器件及其制造方法
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作者： 王卉 曹子贵 梁海林 张连宝 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体领域中。具体的，在本发明提供的半导体器件的制造方法中，其通过在形成L型介质层之前增加了去除初始氧化层的步骤，进而避免了由于在形成堆叠结构两侧的L型介质层之前，位于堆叠... 详细信息
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一种半导体衬底的抛光方法
一种半导体衬底的抛光方法
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作者： 吕合彬 翟传鑫 黎晓丰 谷宁宁 242000 安徽省宣城市经济技术开发区飞彩街道清流路99号
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种半导体衬底的抛光方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行超声碱洗；对半导体衬底进行抛光处理，以降低半导体衬底的两侧表面的线痕度；抛光处理采用抛光处理液，抛光处理液包括碱液... 详细信息
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沟槽功率器件及制作方法
沟槽功率器件及制作方法
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作者： 杨彦涛 赵金波 陈琛 梅良波 彭博威 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、多晶硅材料层设置于所述第一沟槽中，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔... 详细信息
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