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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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- 25 篇 应用经济学
16 篇 教育学
7 篇 法学
6 篇 文学
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主题

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72 篇 微机电系统
70 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
50 篇 微流控芯片
47 篇 soi
42 篇 镁合金
42 篇 传感器
42 篇 mems
40 篇 微电子机械系统
40 篇 电化学性能
38 篇 储氢合金
38 篇 分子束外延
37 篇 石墨烯
37 篇 正交频分复用
35 篇 离子注入
35 篇 无线传感网
34 篇 毫米波

机构

10,652 篇 中国科学院上海微...
749 篇 中国科学院大学
553 篇 中国科学院研究生...
369 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
285 篇 上海科技大学
242 篇 上海无线通信研究...
172 篇 上海微小卫星工程...
147 篇 上海大学
140 篇 中国科学院上海微...
128 篇 上海交通大学
120 篇 中国科学院上海微...
110 篇 上海新傲科技股份...
101 篇 中国科学院上海微...
94 篇 上海微系统与信息...
94 篇 中国电子技术标准...
93 篇 上海新安纳电子科...
76 篇 浙江大学
61 篇 复旦大学
60 篇 无锡物联网产业研...

作者

1,138 篇 宋志棠
600 篇 赵建龙
575 篇 王曦
551 篇 王跃林
440 篇 谢晓明
416 篇 封松林
394 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
319 篇 刘波
285 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
253 篇 张苗
236 篇 陈静
231 篇 尤立星
229 篇 金庆辉
228 篇 刘卫丽
226 篇 熊斌
212 篇 王永良
210 篇 张永刚
204 篇 曹俊诚

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13,262 篇 中文
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一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法

一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法

引用

作者：解晨晨李喜王倩陈后鹏宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法，其中，相变存储器单元结构包括第一相变器件、第二相变器件、第一选通器件、第二选通器件和第三选通器件；第一相变器件的第一端连接第一位线，第二相变器件的第一端连接... 详细信息

标准号: CN115631776A

本发明涉及一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法，其中，相变存储器单元结构包括第一相变器件、第二相变器件、第一选通器件、第二选通器件和第三选通器件；第一相变器件的第一端连接第一位线，第二相变器件的第一端连接第二位线；第一相变器件的第二端、第一选通器件的漏极和第三选通器件的漏极连接在一起；第二相变器件的第二端、第二选通器件的漏极和第三选通器件的源极连接在一起；第一选通器件的栅极和第二选通器件的栅极连接在一起作为相变存储器单元的字线，第三选通器件的栅极连接选通线，第一选通器件的源极和第二选通器件的源极均接地。本发明能够降低相变存储器芯片的成本。

关键词：选通器件相变器件相变存储器单元漏极栅极连接第一端位线相变存储器芯片相变存储器阵列源极均接地源极连接选通线源极字线驱动

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超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路

超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路

引用

作者：原蒲升李凌云王永良汪书娜余慧勤尤立星 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路，超导测试电路包括CMOS电路与跨温区互联系统；跨温区互联系统包括衰减模块、放大模块和传输线链路；所述衰减模块的输入端用于连接CMOS电路，所述衰减模块的输出... 详细信息

标准号: CN114553210B

本发明提供一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路，超导测试电路包括CMOS电路与跨温区互联系统；跨温区互联系统包括衰减模块、放大模块和传输线链路；所述衰减模块的输入端用于连接CMOS电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述超导电路；所述衰减模块用于将CMOS电路的CMOS逻辑电平转化处理为超导逻辑电平；所述放大模块的输入端用于连接所述超导电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述CMOS电路；所述放大模块用于将超导电路的超导逻辑电平转化处理为CMOS逻辑电平；所述传输线链路用于实现超导电路与CMOS电路之间跨温区的信号传输。本发明能保证测试中超导芯片的高速、动态功能实现。

关键词：超导电路衰减模块温区放大模块互联系统传输线测试电路超导逻辑逻辑电平输出端输入端链路电平转化动态功能信号传输芯片测试转化保证

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基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜

基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜

引用

作者：董业民胡康康黄亚敏王刘勇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜。方法包括步骤：提供FIB设备，将针尖基底和悬臂梁基底固定于样品台上并置于FIB设备的工艺腔室内；利用聚焦离子束刻蚀从针尖基底上切取所需长度的针梢，且利用聚焦离子束刻... 详细信息

标准号: CN113917190B

本发明提供一种基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜。方法包括步骤：提供FIB设备，将针尖基底和悬臂梁基底固定于样品台上并置于FIB设备的工艺腔室内；利用聚焦离子束刻蚀从针尖基底上切取所需长度的针梢，且利用聚焦离子束刻蚀在悬臂梁基底的一端刻蚀出安装面；将针梢的一端放置于安装面上，并利用聚焦离子束沉积将针梢的一端和安装面相固定；利用聚焦离子束刻蚀对针梢进行轰击削尖，以将针梢加工成所需尺寸的针尖而得到所需的AFM探针。本发明利用FIB技术提供了一种针尖高度和曲率半径可控的AFM探针的制备方法，探针制备的灵活性大大提高，可用于定制各种特殊参数的AFM探针以满足不同的检测需求，有助于提高制备良率和降低制备成本。

关键词：针尖探针针梢聚焦离子束刻蚀基底制备悬臂梁聚焦离子束沉积原子力显微镜基底固定设备定制探针制备安装面工艺腔可控的可用刻蚀良率切取削尖轰击室内检测加工

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含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用

含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用

引用

作者：李卫民余希李鑫吴挺俊俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用C元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了... 详细信息

标准号: CN115679275A

本发明提供一种含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用C元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了含碳双掺杂氮化铝压电薄膜，其中，采用双靶或三靶溅射，靶材分开可以精确控制C元素及X元素的掺杂浓度，尽量始终保持1:1的化学计量比，可在交叉区域获得掺杂均匀的薄膜；采用单靶溅射，则操作简便，便于快速实现薄膜的制备；从而本发明可制备出高压电性能的氮化铝压电薄膜。

关键词：制备氮化铝压电薄膜双掺杂薄膜掺杂结合能磁控溅射技术第一性原理化学计量比单靶溅射技术手段交叉区域压电薄膜高压电靶溅射对设备靶材双靶改装应用

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氧化镓结构的制备方法

氧化镓结构的制备方法

引用

作者：欧欣徐文慧游天桂沈正皓瞿振宇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种氧化镓结构的制备方法，通过智能剥离转移的方法将晶圆级的氮化镓转移到高导热的衬底上，之后经氧化退火将氮化镓薄膜氧化成氧化镓薄膜，从而实现氧化镓与高导热衬底的异质集成，有效解决氧化镓散热的瓶颈问题，且可制备... 详细信息

标准号: CN115863149A

本发明提供一种氧化镓结构的制备方法，通过智能剥离转移的方法将晶圆级的氮化镓转移到高导热的衬底上，之后经氧化退火将氮化镓薄膜氧化成氧化镓薄膜，从而实现氧化镓与高导热衬底的异质集成，有效解决氧化镓散热的瓶颈问题，且可制备大面积、高质量的氧化镓结构。

关键词：氧化镓高导热衬底制备氮化镓薄膜瓶颈问题氧化退火有效解决氮化镓晶圆级散热异质薄膜剥离智能

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一种高频声波谐振器及其制备方法

一种高频声波谐振器及其制备方法

引用

作者：欧欣吴进波张师斌张丽萍姚虎林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产... 详细信息

标准号: CN116781033A

本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。

关键词：衬底叉指换能器高频声波谐振器目标模式支撑机电耦合系数声波谐振器微电子器件高阶模式欧姆损耗压电薄膜依次层叠纵向电场异质准体制备

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一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯

一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯

引用

作者：陈志蓥于广辉张燕辉隋妍萍梁逸俭胡诗珂李晶康鹤王爽 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合... 详细信息

标准号: CN110683533B

本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；将所述结合体放入装有溶剂的密闭容器中加热至预设温度，并保持预设时间，其中所述结合体在所述密闭容器中的位置高于所述溶剂的液面；降温处理，即得目标石墨烯产物。本发明解决了现有技术中制备不同堆垛关系的双层石墨烯存在的步骤多、工艺复杂的问题，相对于现有技术，本发明的制备方法更加简单，且能够显著改变双层石墨烯的耦合性。

关键词：双层石墨石墨烯结合体耦合性密闭容器溶剂衬底预设制备降温处理样品转移堆垛放入液面加热

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基于空中唤醒的LoRa-Mesh组网方法及移动终端入网方法

基于空中唤醒的LoRa-Mesh组网方法及移动终端入网方法

引用

作者：朱磊基熊勇许宝建赵凯姚炜 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于空中唤醒的LoRa‑Mesh组网方法，包括：S0：将采集到信息的监测终端作为源节点，将网关作为目的节点；S1：源节点启动发送任务；S2：判断源节点能否单跳至目的节点，若是则转到S6，否则继续S3；S3：判断源节点的路由... 详细信息

标准号: CN114374639B

本发明提供一种基于空中唤醒的LoRa‑Mesh组网方法，包括：S0：将采集到信息的监测终端作为源节点，将网关作为目的节点；S1：源节点启动发送任务；S2：判断源节点能否单跳至目的节点，若是则转到S6，否则继续S3；S3：判断源节点的路由表中是否存在可用路由；若存在，则执行S5；否则，执行S4；S4：源节点启用融合唤醒与等待机制的AODV协议的路由发现；S5：向源节点单播RREP，更新源节点的路由表；S6：建立源节点到目的节点的连接。本发明还提供相应的移动终端入网方法。本发明的组网及移动终端入网方法对地面关键公共基础设施的监测范围更广，保证收发无线数据稳定性的同时，最大限度降低网络功耗。

关键词：源节点目的节点移动终端路由表入网组网唤醒公共基础设施等待机制监测终端可用路由路由发现网络功耗无线数据更新源单播单跳网关收发采集发送融合监测保证

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一种实时图像序列的几何校正装置

一种实时图像序列的几何校正装置

引用

作者：罗艺华付凤杰刘德华李嘉茂王磊张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种实时图像序列的几何校正装置，其中，流水线实时计算模块用于根据标定的相机参数实时计算输出图像像素点的位置坐标相对于输入图像像素点的位置坐标；输入缓存单元用于缓存输入图像数据；输入缓存管理模块用于根据输入图... 详细信息

标准号: CN115631086A

本发明涉及一种实时图像序列的几何校正装置，其中，流水线实时计算模块用于根据标定的相机参数实时计算输出图像像素点的位置坐标相对于输入图像像素点的位置坐标；输入缓存单元用于缓存输入图像数据；输入缓存管理模块用于根据输入图像像素点的位置坐标的整数部分管理输入缓存单元中的输入图像数据；插值计算模块用于将输入图像像素点的位置坐标的小数部分作为插值计算的权重，对输入图像数据进行插值计算，得到校正图像值；校正系统控制模块用于启动流水线实时计算模块和控制输入缓存管理模块的数据处理，以完成从输入畸变图到输出校正图的时序控制。本发明能够以较少的嵌入式硬件资源实现高实时性图像序列的校正。

关键词：位置坐标输入图像数据输入图像像素实时计算输入缓存单元插值计算管理模块输入缓存流水线缓存插值计算模块几何校正装置实时图像序列嵌入式硬件高实时性控制模块时序控制输出图像输出校正输入畸变图像序列相机参数校正图像校正系统小数数据处理像素点标定权重校正管理

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晶圆级腔体式封装结构及其制备方法

晶圆级腔体式封装结构及其制备方法

引用

作者：肖克来提 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供可伐合金晶圆，并对其进行减薄至预设厚度；于减薄后的可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔，相邻两盲腔之间形成为可伐合金墙；提供表面形成有... 详细信息

标准号: CN116281844A

本发明提供一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供可伐合金晶圆，并对其进行减薄至预设厚度；于减薄后的可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔，相邻两盲腔之间形成为可伐合金墙；提供表面形成有键合金属层的芯片晶圆，并将键合金属层与可伐合金墙键合，以使盲腔与芯片晶圆之间形成为真空腔体，且该真空腔体内的芯片晶圆上设置有芯片。以可伐合金材料作为盖板晶圆，可直接刻蚀形成盲腔，避免在盖板晶圆上制备键合金属层的过程，工艺简单且成本低廉，还能明显提高产品屏蔽性能和散热性，提高产品良率。

关键词：晶圆可伐盲腔键合金属层合金芯片制备盖板减薄表面形成产品良率封装结构合金材料晶圆表面屏蔽性能真空腔体腔体式散热性真空腔键合刻蚀预设种晶体内延伸

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